IC Insights預測，今年半導體資本支出總額將增至1020億美元，這是該行業年均支出總額首次超過1000億美元。今年1020億美元的支出水平比2017年的933億美元增長了9%，比2016年增長了38%。預計存儲器IC占2018年半導體支出的53%，其中，閃存占資本支出的份額最大，而DRAM資本支出今年將以最高的速度繼續增長。

　　如圖所示，超過一半的行業資本支出預計用于內存尤其是DRAM和閃存生產，包括對現有晶圓廠產線和全新制作設施的升級。總的來說，預計今年內存將占到半導體資本支出的53%，達到540億美元。用于存儲器件的資本支出比例在六年內大幅增加，幾乎在2013年27%占比(147億美元)的基礎上翻了一番，2013~2018年復合年增長率相當于達到30%。

　　從具體產品類別來看，預計DRAM/SRAM的支出增幅最大，但預計用于閃存產品的支出占今年的最大比例，如下圖。預計2018年DRAM/SRAM市場的資本支出將在2017年強勁增長82%以后再次達到41%的增長幅度，而今年閃存支出繼2017年增長91%之后也將再次增長13%。

　　經過連續兩年的資本支出大幅增長，半導體廠商眼下面臨一個迫在眉睫的問題，即高水平的支出是否會導致產能過剩和價格下降。存儲歷史教訓表明，過多的支出通常會導致產能過剩和隨之而來的價格疲軟。三星、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數據、SanDisk和長江存儲等廠商都計劃在未來幾年內大幅提升3D NAND閃存容量，還將有中國大陸其他新的內存廠商加入這一大軍。IC Insights認為，未來3D NAND閃存市場需求過高的風險不斷高漲。