11 月 7 日消息，鎧俠日本當地時間昨日表示，其“創新型存儲制造技術開發”提案已獲日本新能源?產業技術綜合開發機構（NEDO）“加強后 5G 信息和通信系統基礎設施研究開發項目 / 先進半導體制造技術開發”計劃采納。鎧俠表示，在后 5G 信息和通信系統時代，AI 普及等因素產生的數據量預計將變得極其龐大，從而導致數據中心的數據處理和功耗增加。因此數據中心使用的存儲器必須能夠在高性能處理器之間高速傳輸數據，提高容量并降低功耗。鎧俠計劃開發新型 CXL 接口存儲，目標打造出較 DRAM
關鍵字：
鎧俠 存儲器 CXL接口
隨著GDDR7存儲器標準規格于今年確定，存儲器業者開始推出GDDR7解決方案。與目前的GDDR6和GDDR6X相比，GDDR7提供大升級，提高游戲和其它類型工作負載的性能。什么是GDDR7存儲器呢？其實GDDR（Graphics Double Data Rate）的「G」，可以得知是用于GPU的顯示存儲器，如即將推出的NVIDIA Blackwell RTX 50系列。新一代GDDR6于2018年問世，首先用于NVIDIA RTX 20系列和AMD RX 5000系列GPU，其起始的顯存時脈頻率為14
關鍵字：
HBM 存儲器 GDDR7
根據TrendForce集邦咨詢最新調查，存儲器模組廠從2023年第三季后開始積極增加DRAM（內存）庫存，到2024年第二季庫存水位已上升至11-17周。然而，消費電子需求未如預期回溫，如智能手機領域已出現整機庫存過高的情況，筆電市場也因為消費者期待AI
PC新產品而延遲購買，市場繼續萎縮。這種情況下，以消費產品為主的存儲器現貨價格開始走弱，第二季價格較第一季下跌超過30%。盡管現貨價至八月份仍與合約價脫鉤，但也暗示合約價的潛在趨勢。TrendForce集邦咨詢表示，2024年第二季模組廠在消費
關鍵字：
存儲器 現貨市場 TrendForce
日本橫濱2024年8月20日
/美通社/ -- 富士通半導體存儲器解決方案株式會社（Fujitsu Semiconductor Memory Solution
Limited）欣然宣布，自2025年1月1日起，公司名稱將變更為RAMXEED
LIMITED。在更名的同時，公司的電子郵件地址和網站網址也將提前更新，而郵政地址和電話號碼則保持不變。新公司徽標：https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202408074740/_p
關鍵字：
富士通半導體 存儲器 RAMXEED LIMITED
簡單解釋一、ROM：只讀存儲器，內容寫入后就不能更改了，制造成本比較低，常用于電腦中的開機啟動如啟動光盤bios，在系統裝好的電腦上時，計算機將C盤目錄下的操作系統文件讀取至內存，然后通過cpu調用各種配件進行工作這時系統存放存儲器為RAM。PROM：可編程程序只讀存儲器，但是只可以編寫一次。EPROM：可抹除可編程只讀存儲器，可重復使用。EEPROM：電子式可抹除可編程只讀存儲器，類似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場完成。二、RAM：隨機存取存儲器，也叫主存，是與CPU直接交換數據的內部存儲器，可
關鍵字：
存儲 存儲器
AI人工智能應用持續推動存儲器市場前行，其中HBM（高帶寬內存）是當之無愧的“寵兒”，不斷吸引存儲器廠商加大資本支出與擴產。與此同時，存儲器市場新的力量已經悄然形成，GDDR7有望接過HBM大棒，在AI浪潮下繼續推動存儲器市場穩步向前。GDDR7與HBM的差異GDDR7與HBM同屬于圖形DRAM，二者均具備高帶寬和高速數據傳輸能力，可為AI計算提供強大支持，不過GDDR7與HBM在技術、應用場景與性能表現方面略有不同。GDDR7主要用于增強GPU的可用帶寬和內存容量，是GDDR家族的最新一代技術。今年3月
關鍵字：
HBM 存儲器
2024年第一季DRAM產業，受到主流產品合約價走揚、且漲幅較2023年第四季擴大，帶動營收較前一季度成長5.1％，達183.5億美元，推動多數業者營收呈季增趨勢。TrendForce指出，第一季三大原廠出貨皆季減，反映產業淡季效應，加上下游業者的庫存水平墊高，采購量明顯衰退。三大原廠延續著2023年第四季合約價上漲氛圍，再加上庫存仍處于健康水位，漲價意圖強烈。其中，中系手機銷售暢旺，帶動mobile DRAM的價格漲幅領先所有應用，而consumer DRAM的原廠庫存仍待去化，拖累價格漲幅居所有應用之
關鍵字：
存儲器 DRAM TrendForce
數字存儲需求不斷增長，這需要更先進的存儲技術來支持強大的數字海量存儲層次結構。
關鍵字：
存儲器
前幾天看到群里在討論存儲器，有些人一直搞不懂，今天給大家分享一篇文章總結一下。存儲器分為兩大類：RAM 和 ROM。RAM 就不講了，今天主要討論 ROM。rom最初不能編程，出廠什么內容就永遠什么內容，不靈活。后來出現了prom，可以自己寫入一次，要是寫錯了，只能換一片，自認倒霉。人類文明不斷進步，終于出現了可多次擦除寫入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外線上照一下，想一下你往單片機上下了一個程序之后發現有個地方需要加一句話，為此你要把單片機放紫外燈下照半小時
關鍵字：
存儲器 flash EEPROM
AI、大數據等應用催生海量存儲數據需求，也對存儲技術提出了更高要求，這一背景下，存儲大廠技術競爭愈演愈烈。閃存方面，大廠聚焦層數突破。近期，韓媒報道，三星電子預計將于本月晚些時候量產第九代V-NAND閃存，該公司已于2022年量產了236層第八代V-NAND閃存，即將量產的第九代V-NAND閃存將繼續使用雙閃存堆棧的結構，層數將達到290層。另據業界預測，三星未來第十代V-NAND層數有望達到430層，屆時三星將換用三堆棧結構。而更遙遠的未來，三星、鎧俠兩家廠商透露將發力1000層閃存。三星計劃2030年
關鍵字：
存儲器 DRAM TrendForce
AI浪潮正持續改變各行各業，此前歷經下行周期的PC市場也開始迎來新的機會。今年以來，無論是美國消費電子展（CES）還是巴塞羅那世界移動通信大會（MWC），AI
PC都成為了當之無愧的焦點，包括英特爾、AMD、英偉達等芯片大廠，以及聯想、戴爾、宏碁、華碩、榮耀等下游廠商紛紛推出相關產品，布局AI
PC。業界直言，2024年或是AI PC元年，這一風口下，半導體領域NPU以及存儲器等有望持續受益。一 AI PC一觸即發，半導體大廠瞄準NPUChatGPT的橫空出世，讓人見識到了AI大模型的威力，隨后，
關鍵字：
AI PC 存儲器 NPU
DMA，全稱Direct Memory Access，即直接存儲器訪問。DMA傳輸將數據從一個地址空間復制到另一個地址空間，提供在外設和存儲器之間或者存儲器和存儲器之間的高速數據傳輸。我們知道CPU有轉移數據、計算、控制程序轉移等很多功能，系統運作的核心就是CPU.CPU無時不刻的在處理著大量的事務，但有些事情卻沒有那么重要，比方說數據的復制和存儲數據，如果我們把這部分的CPU資源拿出來，讓CPU去處理其他的復雜計算事務，是不是能夠更好的利用CPU的資源呢？因此：轉移數據（尤其是轉移大量數據）是可以不需要
關鍵字：
DMA CPU 存儲器
近日，國產主控芯片廠商英韌科技宣布量產其第九款主控芯片——YRS820。這也是繼去年9月宣布量產PCIe 5.0 SSD企業級主控YRS900后，英韌科技官宣量產的最新款主控芯片。YRS820的4“高”2“低”據英韌科技聯合創始人、數據存儲技術副總裁陳杰介紹，YRS820主控芯片具備四“高”二“低”的技術亮點，即超高安全性、超高可靠性、超高容量支持、超高性能、超低功耗及超低延時。陳杰表示，YRS820主控芯片采用RISC-V（開源指令架構），配備4通道PCIe 5.0接口，8個NAND閃存通道，支持NVM
關鍵字：
存儲器 AI
近日，中國科學家鐵電隧道結存儲器研發取得了新的進展。據中國科學院金屬研究所官網介紹，在最新完成的研究中，其研究團隊提出利用緩沖層定量調控薄膜應變，延遲鐵電薄膜晶格弛豫從而增強鐵電極化強度的策略，成功揭示極化強度同鐵電隧道結存儲器隧穿電阻之間的內在關聯，并實現巨大隧穿電致電阻(或器件開關比)。鐵電隧道結具有簡潔的金屬-超薄鐵電-金屬疊層器件結構。利用鐵電極化翻轉調控量子隧穿效應獲得不同的電阻態，從而實現數據存儲功能，具有高速讀寫、低功耗和高存儲容量等優點，屬于下一代信息存儲技術，近年來在信息存儲領域備受關注
關鍵字：
存儲器 存儲技術
存儲器是電子信息處理系統中不可或缺的組成部分。在過去，依靠CMOS工藝的不斷進步，存儲器的性能得以不斷提高。但近年來，一方面，尺寸微縮導致的晶體管漏電問題越來越嚴重，在增大存儲器功耗的同時，惡化了存儲單元的保持特性，存儲器的發展遇到較為明顯的瓶頸；另一方面，人工智能和物聯網等領域的快速發展又對存儲器的容量速度以及功耗等性能指標提出了更高的要求。在這樣的背景下，由于嵌入式鐵電隨機存取存儲器(Embedded Ferroelectric Random Access Memory，eFeRAM)具有非易失、高密
關鍵字：
存儲器 存儲技術
存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [
查看詳細 ]
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473