近日，復旦大學微電子學院教授張衛、周鵬團隊實現了具有顛覆性的二維半導體準非易失存儲原型器件，開創了第三類存儲技術，解決了國際半導體電荷存儲技術中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。

　　據了解，目前半導體電荷存儲技術主要有兩類，第一類是易失性存儲，例如計算機中的內存，掉電后數據會立即消失;第二類是非易失性存儲，例如人們常用的U盤，在寫入數據后無需額外能量可保存10年。前者可在幾納秒左右寫入數據，第二類電荷存儲技術需要幾微秒到幾十微秒才能把數據保存下來。

　　寫入速度比目前U盤快10000倍，數據刷新時間是內存技術的156倍，并且擁有卓越的調控性，可以實現按照數據有效時間需求設計存儲器結構……經過測試，復旦大學科研團隊研究人員發現這種基于全二維材料的新型異質結能夠實現全新的第三類存儲特性。

　　值得一提的是，此次研發的新型電荷存儲技術，既滿足了10納秒寫入數據速度，又實現了按需定制(10秒-10年)的可調控數據準非易失特性。這種全新特性不僅在高速內存中可以極大降低存儲功耗，同時還可以實現數據有效期截止后自然消失，在特殊應用場景解決了保密性和傳輸的矛盾。

　　記者了解到，從技術定義、結構模型到性能分析的全過程，這項科學突破均由復旦大學科研團隊獨立完成。團隊立足本土，扎根中國大地，取得了國際上未來存儲技術領域的一項重要科學突破，并在國際頂級刊物《NatureNanotechnology》(《自然·納米技術》)上以長文形式發表。