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如何實現FPGA到DDR3 SDRAM存儲器的連接

作者: 時間:2010-11-05 來源:網絡 收藏

  延時鎖定環路(DLL)在整個PVT范圍內將相位保持在一個固定位置。DLL模塊的相位比較器用于將兩個輸入之間的相位差保持在零。實現的方法是均勻地修正DLL模塊中的特定延時(10-16)。用于更新DLL中某個延時模塊的控制信號還被發送到DQS輸入路徑中的時延模塊。例如,可以利用DLL中的全部16個延時單元和DQS相移輸入路徑中的第4個延時抽頭來實現90°的相移:

  或者選擇DLL中的10個延時單元和DQS相移輸入路徑中的抽頭4來實現36°的相移:


  或120°:

  該DLL采用頻率基準為每個DQS引腳中的延時鏈動態產生控制信號,并允許它補償PVT的變化。在Stratix III 中有4個DLL,它們都位于器件的邊角,目的是使每個DLL能夠覆蓋器件的兩側,從而可以在器件的各個邊上支持多種 接口。

  跨越高速數據率域和設計簡化

  DDR捕獲寄存器和HDR寄存器支持數據從雙倍數據率域(數據在時鐘的兩個邊沿)安全傳送到SDR域(數據位于頻率相同的時鐘的上升沿,但數據寬度加倍),再到HDR域(數據位于時鐘的上升沿,數據寬度仍是加倍,但時鐘頻率僅是SDR域的一半),這樣使得內部設計時序更容易實現。

  裸片、封裝和數字信號完整性改進

  裸片和封裝的設計必須為高性能的接口提供更好的信號完整性(即用戶I/O與地和電源的比例為8:1:1,并具有最佳的信號返回路徑,如圖3所示)。此外,應該提供動態OCT和可變的偏移率,以便能夠控制信號的上升和下降時間以及可編程驅動能力,從而滿足所用標準(即SSTL 1.5 Class II)的要求。

  圖3:連接到每個電源和地的8個用戶I/O。

  本文小結

  高性能Stratix III FPGA可以通過提供高帶寬、改進的時序余量以及系統設計中的靈活性來彌補高性能 DIMM的不足。由于在實際使用中將很快超過DDR2,故提供更低成本、更高性能、更高密度和優異的信號完整性的高端FPGA必須提供與JEDEC兼容的讀寫均衡功能,以便與高性能的DDR3 DIMM相接。FPGA與DDR3 SDRAM的有機整合將能夠滿足目前和下一代通信、網絡以及數字信號處理系統的要求。

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關鍵詞: SDRAM FPGA DDR3 存儲器

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