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如何實現FPGA到DDR3 SDRAM存儲器的連接

作者: 時間:2010-11-05 來源:網絡 收藏

  一開始,每個分開的DQS被移相90度,從而捕獲與該組相關的DQ數據。然后用一個自由運行的再同步時鐘(頻率和相位與DQS相同)將數據從捕獲域轉移到圖2所示用粉紅色和橙色連線表示的均衡電路中。在這個階段,每個DQS組都有一個獨立的再同步時鐘。

  接著DQ數據被送到1T寄存器。圖2中給出了一個1T寄存器實例,在上層通道中需要用這個1T寄存器對特定DQS組中的DQ數據位進行延時。注意在該例中,下層通道不需要1T寄存器。通過該過程開始對齊上層和下層通道。任何一個指定的通道是否需要1T寄存器是自動確定的,這是免費物理層IP內核中校準方案的一部分功能。

  隨后兩個DQS組被傳送到下降沿寄存器。如果需要的話,還可以在啟動時通過自動校準過程把可選寄存器切換進來或切換出去。最后是將上層和下層通道對齊到同一再同步時鐘上,這樣就形成了一個將完全對齊的或經過均衡的單倍數據率(SDR)數據傳遞到結構的源同步接口。

  寫均衡

  與讀均衡類似,不過方向相反,DQS組在不同的時刻發出信號,以便與到達DIMM上的器件的時鐘一致,并且必須滿足tDQSS參數要求的+/- 0.25 tCK。控制器必須通過創建反饋環路來調整DQS與CK的關系,在此過程中,控制器會將數據寫入DRAM,再通過順序相位進行掃描讀回,直到發現寫入窗的終點。為了更好的建立和保持余量,數據應該在好窗口的中間點發出。

  其他的 I/O功能創新

  高性能的Stratix III 還具有許多創新性的其他I/O功能,可以實現到各種接口的簡單且魯棒性連接,這種功能包括了動態片上端接(OCT)、可變的I/O延時以及半數據率(HDR)等。

  動態OCT

  并行和串行OCT為讀寫總線提供合適的線路端接和阻抗匹配,因此FPGA周邊不需要外接電阻,從而減少了外接元件成本,節約了電路板面積,而且降低了布線復雜度。另外,它還大大降低了功耗,因為并聯端接在寫操作時可以有效地被旁路掉。

  用于DQ去偏移(deskew)的可變延時

  采用可變的輸入和輸出延時來跟蹤長度失配和電氣去偏移。精細的輸入和輸出延時分辨率(即50皮秒步進)被用于更精細的DQS間去偏移(獨立于均衡功能),這種偏移是由電路板長度失配或FPGA和件上I/O緩存的變化所引起的,如表1所示。最終,這增加了每個DQS組的捕獲余量。

  表1:分辨率和絕對值待定特性。

  為了將自動去偏移算法成為啟動校準過程的一部分,需要從運行時的FPGA結構實現延時單元。也可以利用輸出延時在輸出通道中插入少量偏移來有意地減少同時開關的I/O數量。

  可靠的捕獲

  DQS信號用作輸入選通信號,它必須移位到一個最佳位置才能捕獲讀取事務。移相電路可以將輸入的DQS信號移相0°, 22.5°, 30°, 36°, 45°, 60°, 67.5°, 72°, 90°, 108°, 120°, 135°, 144°或 180°,具體取決于DLL的頻率模式。移相后的DQS信號隨后被用作I/O單元各個輸入寄存器的時鐘。

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關鍵詞: SDRAM FPGA DDR3 存儲器

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