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電子產品世界雜志
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一種基于LDMOS器件結構優化提升功率放大器功率附加效率的方法

電源與新能源 202006 LDMOS 功率放大器功率附加效率 |2020-05-27
埃賦隆推出工作在433MHz頻段的500W LDMOS晶體管

電源與新能源 LDMOS VSWR |2020-01-25
氮化鎵的卓越表現：推動主流射頻應用實現規模化、供應安全和快速應對能力

模擬技術氮化鎵 LDMOS |2018-03-02
意法半導體與遠創達簽署LDMOS技術許可合作協議

EDA/PCB 意法半導體 LDMOS |2018-02-26
驗證射頻功率晶體管的耐用性

測試測量射頻功率晶體管耐用性 LDMOS |2017-06-03
氮化鎵發展評估

氮化鎵砷化鎵 LDMOS 201701 |2016-12-28
寬頻設計不能滿足？來看看這款4G小基站用LDMOS功放

測試測量 PTFC270101 小基站 4G LTE 末級放大器功率放大器 LDMOS |2016-10-29
5G基站射頻市場：LDMOS開始下滑、GaN快速增長

手機與無線通信 5G LDMOS |2016-09-05
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元件/連接器基站 LDMOS |2016-04-04
覆蓋TD-SCDMA雙頻段的大功率330W LDMOS

手機與無線通信 TD-SCDMA LDMOS |2015-11-05
一種適用于RFIC的抗擊穿LDMOS設計

模擬技術 LDMOS RFIC 射頻放大器 |2014-08-15
憑借第二代Airfast功放，飛思卡爾繼續擴大RF領導地位

模擬技術飛思卡爾 RF Airfast LDMOS 201407 |2014-07-08
飛思卡爾發布LDMOS首批11個射頻功率產品

模擬技術飛思卡爾 LDMOS RF 國防 |2014-03-04
一種適用于射頻集成電路的抗擊穿LDMOS設計

射頻抗擊穿 LDMOS 埋層漂移區襯底 |2014-02-19
利用DS4303為LDMOS RF功率放大器提供偏置

模擬技術 DS4303 LDMOS RF 功率放大器 |2013-11-14
基站功率放大器ADS仿真設計

ADS 晶體管基站功率放大器仿真 LDMOS |2012-06-15
LDMOS結構特點和使用優勢

手機與無線通信優勢使用特點結構 LDMOS |2012-06-04
最新耐用型大功率LDMOS晶體管耐用測試及應用類型

模擬技術 LDMOS 大功率測試晶體管 |2012-06-04
飛思卡爾推出RF LDMOS功率管可在阻抗失配條件下使

醫療電子 LDMOS 飛思卡爾功率管阻抗 |2012-05-08
基于LDMOS的TD-SCDMA射頻功放設計

LDMOS TD-SCDMA 射頻功率放大器 EVM指標 |2012-04-25
基于LDMOS的TD-SCDMA射頻功率放大器

手機與無線通信功率放大器射頻 TD-SCDMA LDMOS 基于 |2012-04-23
LDMOS結構/優點

模擬技術 LDMOS |2012-02-11
LDMOS的性能與制造工藝

模擬技術 LDMOS 性能制造工藝 |2012-02-11
檢測LDMOS漏端電壓判斷是否過流方案

電源與新能源是否方案判斷電壓 LDMOS 檢測 |2011-08-22
基于超薄外延技術的雙擴散新型D-RESURF LDMOS設計

消費電子 D-RESURF LDMOS 設計新型擴散超薄外延技術基于 |2011-04-11
飛思卡爾的先進射頻功率處理技術LDMOS降低蜂窩發射器成本和功耗

電源與新能源 LDMOS |2011-03-06
世強電訊推出Infineon 推動功放參考設計及Demoboard

手機與無線通信 Infineon LDMOS 移動通信 |2010-12-31
英飛凌向中國通信市場推出新一代LDMOS晶體管

元件/連接器英飛凌晶體管 LDMOS |2010-10-18
恩智浦射頻產品技術中心落戶上海及波士頓近郊

模擬技術 NXP 射頻 LDMOS |2010-07-07
3G基站：LDMOS技術提升3G基站能效

手機與無線通信恩智浦 3G基站 LDMOS |2009-12-23
飛思卡爾推出全球首款50V LDMOS功率晶體管

飛思卡爾晶體管 RF LDMOS |2008-06-05
恩智浦突破性地提升LDMOS基站的功率效率

手機與無線通信恩智浦 LDMOS 基站功率晶體管 |2008-05-19
英飛凌推出行業最優峰值輸出功率的LDMOS射頻功率晶體管

模擬技術英飛凌 LDMOS 晶體管 |2008-05-05
飛思卡爾推出最高功率的LDMOS射頻功率晶體管

模擬技術嵌入式系統單片機飛思卡爾 LDMOS 晶體管嵌入式 |2007-08-07

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