飛思卡爾半導體日前在IEEE MTT-S國際微波大會上宣布推出全球最高功率的LDMOS射頻功率晶體管。MRF6VP11KH 設備提供130 MHz、1 kW的脈沖射頻輸出功率，具有同類設備最高的排放效率和功率增益。

這種超高效率晶體管是飛思卡爾承諾為工業、科技和醫療（ISM）市場提供業界最具創新力的射頻功率解決方案的最新例證。該晶體管的操作電壓為50V，與雙極和MOSFET 設備相比，它具有明顯的優勢。它能夠提供核磁共振成像(MRI)系統、CO2激光器、等離子體發生器和其他系統所需的功率。

以空前的功率水平實現高增益，這大大減少了所需的部件數量，與傳統設計相比，部件數量減少了70%。部件數量的大幅減少，使主板空間要求和制造復雜性隨之降低，最終使放大器成本全面降低。 

飛思卡爾副總裁兼射頻部總經理Gavin P. Woods表示：“MRF6VP11KH的推出，在效率、輸出功率、可靠性和設計集成的便利性等各方面設定了新的行業基準。任何其他射頻功率設備（包括LDMOS、MOSFET和雙極）都無法實現這樣的性能。我們將繼續針對這類市場推出創新設備，讓我們的客戶能夠攻克系統性能的新障礙。”

這種晶體管在10-150 MHz之間運行。它采用飛思卡爾第六代高電壓 (VHV6) LDMOS（橫向擴散金屬氧化物晶體管)技術，是飛思卡爾承諾向工業、科技和醫療（ISM）市場提供業界最新射頻功率解決方案的最新例證。該產品組合2006年6月公布的業界領先的50V VHV6 LDMOS設備系列，能夠滿足在頻率高達450 MHz的HF、VHF和UHF上操作ISM應用所需的要求。

ABI Research半導體研究主任Lance Wilson表示： “飛思卡爾憑借50V LDMOS已經突破RF 1 kW脈沖功率級別。MRF6VP11KH的高增益、高效率、低熱阻和高輸出失配可存活性都給人留下了深刻印象。” linux操作系統文章專題:linux操作系統詳解（linux不再難懂）