a一级爱做片免费观看欧美,久久国产一区二区,日本一二三区免费,久草视频手机在线观看

首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> sic

清純半導體和微碧半導體推出第3代SiC MOSFET產品

  • 近日，清純半導體和VBsemi（微碧半導體）分別推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET產品平臺，標志著功率半導體技術在快充效率、高功率密度應用等領域取得了重大突破。01清純半導體推出第3代SiC MOSFET產品平臺4月21日，清純半導體官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術平臺，該平臺首款主驅芯片（型號：S3M008120BK）的常溫導通電阻低至8mΩ，比導通電阻系數Rsp達到2.1 mΩ·cm2，處于國際領先水平。source：清純半導體（圖為清純半導體1、2、3代產品比電阻Rs
  • 關鍵字： 清純半導體  微碧半導體  第3代  SiC MOSFET  

SiC為數據中心的冷卻風扇提供高密度電源

  • 碳化硅 （SiC） 正在接管電動汽車中的三相牽引逆變器，將電池中的直流電轉換為用于控制電機的交流電。但是，由于 SiC 能夠處理更高的電壓、更好的散熱和更快的開關頻率，因此也適用于更緊湊的電動機中的三相逆變器。其中包括數據中心的電子換向 （EC） 冷卻風扇，這些風扇消耗了更多的電力來運行 AI 訓練和推理，并在此過程中產生了更多的熱量。onsemi 推出了第一代基于 SiC 的智能功率模塊 （IPM），與 IGBT 相比，為這些冷卻風扇帶來了更高的功率密度和效率。1,200 V 模塊基
  • 關鍵字： SiC  數據中心  冷卻風扇  高密度電源  安森美  

SiC MOSFET如何提高AI數據中心的電源轉換能效

  • 如今所有東西都存儲在云端，但云究竟在哪里？答案是數據中心。我們對圖片、視頻和其他內容的無盡需求，正推動著數據中心行業(yè)蓬勃發(fā)展。國際能源署 (IEA) 指出，[1]人工智能 (AI) 行業(yè)的迅猛發(fā)展正導致數據中心電力需求激增。預計在 2022 年到 2025 年的三年間，數據中心的耗電量將翻一番以上。 這不僅增加了運營成本，還給早已不堪重負的老舊電力基礎設施帶來了巨大的壓力，亟需大規(guī)模的投資升級。隨著數據中心耗電量急劇增加，行業(yè)更迫切地需要能夠高效轉換電力的功率半導體。這種需求的增長一方面是為了降低運營成本
  • 關鍵字： SiC MOSFET  AI數據中心  電源轉換能效  

是什么讓SiC開始流行？

  • 碳化硅是一種眾所周知的堅硬和復雜的材料。用于制造 SiC 功率半導體的晶圓生產利用制造工藝、規(guī)格和設備的密集工程來實現商業(yè)質量和成本效益。必要性與發(fā)明寬禁帶半導體正在改變電力電子領域的游戲規(guī)則，使系統級效率超越硅器件的實際限制，并帶來額外的技術特定優(yōu)勢。在碳化硅 （SiC） 的情況下，導熱性、耐溫能力和擊穿電壓與通道厚度的關系優(yōu)于硅，從而簡化了系統設計并確保了更高的可靠性。由于它們的簡單性，SiC 的孕育使二極管領先于 MOSFET 進入市場?，F在，隨著技術進步收緊工藝控制、提高良率并
  • 關鍵字： SiC  

SiC 市場的下一個爆點：共源共柵（cascode）結構詳解

  • 安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場效應晶體管）在硬開關和軟開關應用中有諸多優(yōu)勢，SiC JFET cascode應用指南講解了共源共柵（cascode）結構、關鍵參數、獨特功能和設計支持。本文為第一篇，將重點介紹Cascode結構。Cascode簡介碳化硅結型場效應晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術具有一些顯著的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導通電阻（稱為RDS.A）。為了實現最低的RDS.A，需要權衡的一點是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵
  • 關鍵字： cascode  FET  SiC  

Nexperia推出采用行業(yè)領先頂部散熱型封裝X.PAK的1200V SiC MOSFET

  • Nexperia正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩(wěn)定性方面表現出色，采用創(chuàng)新的表面貼裝?(SMD)?頂部散熱封裝技術X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技術在封裝環(huán)節(jié)的便捷優(yōu)勢以及通孔技術的高效散熱能力，確保優(yōu)異的散熱效果。此次新品發(fā)布精準滿足了眾多高功率（工業(yè)）應用領域對分立式SiC MOSFET不斷增長的需求，該系列器件借助頂部散熱技術的優(yōu)勢，得以實現卓越的熱性
  • 關鍵字： Nexperia  SiC MOSFET  

第17講：SiC MOSFET的靜態(tài)特性

  • 商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強，在結構上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。1. 正向特性圖1顯示了SiC MOSFET的正向通態(tài)特性。由于MOSFET是單極性器件，沒有內建電勢，所以在低電流區(qū)域，SiC MOSFET的通態(tài)壓降明顯低于Si IGBT的通態(tài)壓降；在接近額定電流時，SiC MOSFET的通態(tài)壓降幾乎與Si IGBT相同。對于經常以低于額定電流工作的應用，使用SiC
  • 關鍵字： 三菱電機  SiC  MOSFET  

第16講：SiC SBD的特性

  • SiC SBD具有高耐壓、快恢復速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點，可降低電力電子系統的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車等多種應用，本文介紹SiC SBD的靜態(tài)特性和動態(tài)特性。SBD（肖特基勢壘二極管）是一種利用金屬和半導體接觸，在接觸處形成勢壘，具有整流功能的器件。Si SBD耐壓一般在200V以下，而耐壓在600V以上的SiC SBD產品已廣泛產品化。SiC SBD的某些產品具有3300V的耐壓。半導體器件的擊穿電壓與半導體漂移層的厚度成正比，因此為了提高耐壓，必須增加器件的厚度。而
  • 關鍵字： 三菱電機  SiC  SBD  

東芝推出應用于工業(yè)設備的具備增強安全功能的SiC MOSFET柵極驅動光電耦合器

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新推出一款可用于驅動碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅動光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開始支持批量供貨。在逆變器等串聯使用MOSFET或IGBT的電路中，當下橋臂[2]關閉時，米勒電流[1]可能會產生柵極電壓，進而導致上橋臂和下橋臂[3]出現短路等故障。常見的保護措施有，在柵極關閉時，對柵極施加負電壓。對于部分SiC MOSFET而言，具有比硅（Si
  • 關鍵字： 東芝  SiC MOSFET  柵極驅動  光電耦合器  

速看！SiC JFET并聯設計白皮書完整版

  • 隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。在第一篇文章(SiC JFET并聯難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！http://www.j9360.com/article/202503/467642.htm)和第二篇文章(SiC JFET并聯的五大難題，破解方法終于來了！http://www.j9360.com/article/202503/467644.htm)中我們重點介紹了SiC JFET并聯設計的挑戰(zhàn)，本文將介紹演示和測試結果。演
  • 關鍵字： SiC  JFET  并聯設計  

碳化硅與硅：為什么 SiC 是電力電子的未來

  • 在這里，我們比較了碳化硅 （SiC） 與硅以及在汽車和可再生能源等行業(yè)的電力電子中的應用。我們將探討硅和碳化硅之間的顯著差異，并了解 SiC 為何以及如何塑造電力電子的未來。硅 （Si） 到碳化硅 （SiC）：改變電力電子的未來電力電子技術在過去幾年中取得了前所未有的進步。硅 （Si） 等傳統半導體材料一直主導著電力電子和可再生能源行業(yè)。然而，碳化硅 （SiC） 的出現徹底改變了這一領域，為卓越的性能和效率鋪平了道路。無與倫比的效率、熱性能和高壓能力使碳化硅成為用于電子和半導體器件的下一代半導體材料。硅與
  • 關鍵字： 碳化硅  SiC  電力電子  

800V與碳化硅成為新能源汽車電驅的新寵，器件性能與可靠性還有上升空間

  • 1 我國能源汽車已突破1000萬輛，今年將增長24%據賽迪顧問 2024 年 12 月發(fā)布的數據預測顯示，我國新能源汽車的新車全球市占率有望穩(wěn)居七成以上，我國從汽車大國邁向汽車強國的步伐更加堅實。據中國汽車工業(yè)協會的統計數據顯示，2024年我國汽車產銷分別完成3128.2萬輛和3143.6萬輛，同比分別增長3.7％和4.5％，繼續(xù)保持在3000萬輛以上規(guī)模，產銷總量連續(xù)16年穩(wěn)居全球第一。其中，新能源汽車產銷首次突破1000萬輛，分別達到1288.8萬輛和1286.6萬輛，同比分別增長34.4％和35.5
  • 關鍵字： 電驅  碳化硅  SiC  新能源汽車  800V  

格力：SiC工廠整套環(huán)境設備均為自主制造

  • 自央視頻官方獲悉，格力電器董事長董明珠在紀錄片中，再次回應外界對格力造芯片質疑，并談到了格力建設的芯片工廠，直言“是大家把芯片看得太神秘”。董明珠表示，造芯片不是格力電器孤勇地冒險，是作為中國制造企業(yè)的責任與擔當。格力做了亞洲第一座全自動化的碳化硅工廠，整個芯片的制造過程是自己完成的。而在芯片工廠制造的過程中，格力解決了一個最大的問題。“傳統的芯片工廠用的環(huán)境設備都是進口的，比如恒溫狀態(tài)，而這正好是格力強項。所以我們自主制造了整套系統的環(huán)境設備，要比傳統的降溫模式更節(jié)能，而這可以降低企業(yè)的成本?！倍髦橐?/li>
  • 關鍵字： 格力電器  SiC  芯片工廠  

從硅到碳化硅過渡，碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者？

  • 電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術優(yōu)勢（圖1），這使其在電動汽車、數據中心，以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能源基礎設施領域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術。圖1：硅器件（Si）與碳化硅（SiC）器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術？眾多終端產品制造商已選擇碳化硅技術替代傳統硅技術，基于雙極結型晶體管（B
  • 關鍵字： SiC  Cascode  JFET  AC-DC  

英飛凌達成200mm碳化硅(SiC)新里程碑：開始交付首批產品

  • ●? ?英飛凌開始向客戶提供首批采用先進的200 mm碳化硅（SiC）晶圓制造技術的SiC產品●? ?這些產品在奧地利菲拉赫生產，為高壓應用領域提供一流的SiC功率技術●? ?200 mm SiC的生產將鞏固英飛凌在所有功率半導體材料領域的技術領先優(yōu)勢英飛凌200mm SiC晶圓英飛凌科技股份公司在200 mm SiC產品路線圖上取得重大進展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進的200 mm SiC技術的產品。這些產品在位于奧地利菲
  • 關鍵字： 英飛凌  碳化硅  SiC  200mm碳化硅  
共446條 1/30 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

sic介紹

SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類：一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數目；另一類是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能. Si [ 查看詳細 ]

熱門主題

關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網站地圖 - 聯系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網安備11010802012473