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清純半導(dǎo)體和微碧半導(dǎo)體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品

  • 近日，清純半導(dǎo)體和VBsemi（微碧半導(dǎo)體）分別推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)，標(biāo)志著功率半導(dǎo)體技術(shù)在快充效率、高功率密度應(yīng)用等領(lǐng)域取得了重大突破。01清純半導(dǎo)體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)4月21日，清純半導(dǎo)體官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)平臺(tái)，該平臺(tái)首款主驅(qū)芯片（型號(hào)：S3M008120BK）的常溫導(dǎo)通電阻低至8mΩ，比導(dǎo)通電阻系數(shù)Rsp達(dá)到2.1 mΩ·cm2，處于國(guó)際領(lǐng)先水平。source：清純半導(dǎo)體（圖為清純半導(dǎo)體1、2、3代產(chǎn)品比電阻Rs
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AMD第3代EPYC處理器 為技術(shù)運(yùn)算工作負(fù)載提升效能

  • AMD推出全球首款采用3D芯片堆棧技術(shù)（3D die stacking）的數(shù)據(jù)中心CPU─代號(hào)為Milan-X、采用AMD 3D V-Cache技術(shù)的AMD第3代EPYC處理器。全新處理器基于Zen 3核心架構(gòu)，進(jìn)一步擴(kuò)大了第3代EPYC CPU產(chǎn)品陣容，與沒(méi)有采用堆棧技術(shù)的AMD第3代EPYC處理器相比，可以為各種目標(biāo)技術(shù)運(yùn)算工作負(fù)載提供高達(dá)66%的效能提升。 采用AMD 3D V-Cache技術(shù)的AMD第3代EPYC處理器全新處理器擁有L3快取，并具備與第3代EPYC CPU相同的插槽、軟件
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第3代介紹

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