SiC SBD具有高耐壓、快恢復速度、低損耗和低漏電流等優點，可降低電力電子系統的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發電及新能源汽車等多種應用，本文介紹SiC SBD的靜態特性和動態特性。SBD（肖特基勢壘二極管）是一種利用金屬和半導體接觸，在接觸處形成勢壘，具有整流功能的器件。Si SBD耐壓一般在200V以下，而耐壓在600V以上的SiC SBD產品已廣泛產品化。SiC SBD的某些產品具有3300V的耐壓。半導體器件的擊穿電壓與半導體漂移層的厚度成正比，因此為了提高耐壓，必須增加器件的厚度。而
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三菱電機 SiC SBD
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產品。該電源模塊系列包括驅動器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機驅動）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應用）兩種產品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
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ROHM SiC MOSFET SiC SBD Apex 工業設備功率模塊
Diodes 公司?(Diodes)近日宣布推出首款碳化硅?(SiC) 蕭特基勢壘二極管?(SBD)。產品組合包含?DIODES DSCxxA065系列，共有十一項?650V 額定電壓?(4A、6A、8A 和?10A) 的產品，以及?DIODES DSCxx120系列，共有八款?1200V 額定電壓?(2A、5A 和?10A) 產品。這些寬帶隙?SBD 的優點包括可大幅提高效率和高溫可靠
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Diodes 碳化硅 肖特基勢壘二極管 SBD
本文對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區別進行說明。
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SiC 碳化硅 SBD
反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數，所以不僅要比較trr的數值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
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SiC 碳化硅 SBD
航空航天系統依賴于引擎控制單元、環境控制、儀器和執行器中的數字和邏輯功能與電路才能完成關鍵的工作。數據中心、5G基礎設施和通信系統同樣依賴于復雜的電路，而這些電路需要得到妥善保護。即便有閃電、太陽活動和電磁事故引起的電壓浪涌和尖峰，系統仍必須保持連續運行。Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布推出其最新瞬態電壓抑制器（TVS）垂直陣列產品組合 — MDA3KP瞬態電壓抑制器（TVS）。?該3kW二極管系列擁有超過25款產品，具有不同的篩選級別、極性和認證標
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TVS SBD ESD EFT MSL RTCA
具有TI無線SoC處理器以及時鐘和接口解決方案的電信基帶單元的系統方框圖(SBD)。當今用于蜂窩式電信網絡的無線基站必須具備強大的信號處理功能，以便能夠處理網絡中不斷增加的大量語音和數據流量，并支持正廣泛...
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電信基帶 系統方框 SBD
東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產品。四款新產品將擴大現有TO-220-2L封裝產品的6A、8A、10A和12A陣容。量產出貨即日啟動。 SBD適合各種應用，包括光伏發電系統用的服務器電源和功率調節器。此外，它還可作為開關電源中的硅二極管的替換件，能夠將效率提升50%(東芝調查)。 SiC功率器件提供比當前硅器件更加穩定的運行，即便是在高電壓
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東芝 SBD SiC
東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產品。四款新產品將擴大現有TO-220-2L封裝產品的6A、8A、10A和12A陣容。量產出貨即日啟動。 SBD適合各種應用，包括光伏發電系統用的服務器電源和功率調節器。此外，它還可作為開關電源中的硅二極管的替換件，能夠將效率提升50%(東芝調查)。 SiC功率器件提供比當前硅器件更加穩定的運行，即便是在高電壓
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東芝 SBD SiC
ROHM于2011年開發了03015(0.3 mm×0.15 mm)尺寸的世界最小貼片電阻器，相比以往的0402產品尺寸成功減小了44%。2012年開發了世界最小半導體—0402尺寸的齊納二極管。2013年，產品陣容中增加了0402尺寸的肖特基勢壘二極管(SBD)，同時實現了03015尺寸的貼片電阻器量產。
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ROHM 小型化 SBD 貼片電阻
新日本無線的這款新MUSES音頻系列產品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode)，粗銅線有利于降低損耗提高效率，SiC-SBD專長于高速開關動作，再加上注重最佳音質的制造工藝技術，能夠實現高音質音響效果。
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新日本無線 SiC-SBD MUSES
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