高通技術公司宣布推出為新一代頂級和高階Android智能型手機打造的最新行動平臺產品組合Snapdragon 8+ Gen 1和Snapdragon 7 Gen 1。高通最新的旗艦平臺Snapdragon 8+是一款強大的頂級平臺,帶來增強的功效和效能,以最終提升涵蓋所有裝置上的體驗。Snapdragon 7提供一系列高階、眾所期望的功能和技術,并且讓全世界更多人都能享受到這些體驗。根據Counterpoint Research、IDC和StrategyAnalytics的最新調查結果顯示,高通技術公司在
4月8日消息,高通驍龍8 Gen 1+ 芯片組可能比預期來得要更快。據gsmarena報道,供應鏈中的一位消息人士透露,搭載 Android 旗艦芯片驍龍8 Gen 1+ 的手機最早將于6月上市,最遲7月上市。搭載驍龍8 Gen 1+ 的首批設備將在中國推出,但目前尚未透露名稱。不過,傳聞一加10 Ultra 將使用該處理器。此前消息稱,驍龍8 Gen 1+將基于臺積電的4納米半導體制造工藝,可能與驍龍8 Gen 1非常相似,但頻率可能略高。而據韓國科技論壇 Meeco 的可靠爆料人,引述消息人士說法稱,
原子層刻蝕和沉積工藝利用自限性反應,提供原子級控制。泛林集團先進技術發展事業部公司副總裁潘陽博士?分享了他對這個話題的看法。圖 1.?原子層工藝中的所有半周期反應是自限性反應。技術節點的每次進步都要求對制造工藝變化進行更嚴格的控制。最先進的工藝現在可以達到僅7 nm的fin寬度,比30個硅原子稍大一點。半導體制造已經跨越了從納米級到原子級工藝的門檻。工程師現在必須關注結構的尺寸變化,僅相當于幾個原子大小。由于多重圖案模式等復雜集成增加了工藝數量,進一步限制了每個步驟允許的變化。3D N
全球高速計算與網絡應用領域創新連接方案領軍企業TE Connectivity (TE)今日宣布推出新型PCIe Gen 4卡邊緣連接器。該款連接器符合PCI-SIG CEM 4.0行業規范,支持16 Gbps高帶寬,可用于下一代Intel和AMD平臺。TE新型PCIe Gen 4卡邊緣連接器采用1.00mm間距,兼容各代PCI Express信號設計,同時支持16 Gbps(PCIe Gen 4)、8.0 Gbps(PCIe Gen 3)、5.0 Gbps(PCIe Gen 2)和2.5 Gbps(PCI