IT之家 4 月 16 日消息，消息源 yeux1122 近日在其 Naver 博客上曝料，表示從蘋果供應鏈處獲悉，蘋果正測試新的抗反射光學涂層技術，可以減少鏡頭炫光和鬼影等偽影，從而提高照片質量。供應鏈消息稱蘋果正在考慮在 iPhone 相機鏡頭制造工藝中，引入新的原子層沉積（ALD）設備。原子層沉積（Atomic layer deposition，ALD）是一種基于連續使用氣相化學過程的薄膜沉積技術，將物質以單原子膜形式逐層鍍在襯底表面的方法。ALD 是一種真正的納米技術
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思銳智能攜業界尖端的離子注入（IMP）和原子層沉積（ALD）技術亮相SEMICON China 2024，持續建設全球一流的高端半導體制造裝備，廣泛賦能集成電路、第三代半導體等諸多高精尖領域。展會現場精彩瞬間思銳智能離子注入機（IMP）模型根據SEMI的數據，受芯片需求疲軟等影響，2023年全球半導體設備銷售額為1056億美元，同比下降1.9%，而中國大陸地區半導體設備銷售額同比增長28.3%。中國對成熟節點技術表現出了強勁的需求和消費能力。縱觀全局，離子注入已成為半導體器件制備中最主要的摻雜方法，是最基
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日前，以“凝聚芯合力，發展芯設備”為主題的第十屆（2022）中國半導體設備年會（CSEAC）在無錫太湖國際博覽中心隆重召開。中國集成電路創新聯盟秘書長、中國半導體協會集成電路分會理事長葉甜春在致辭中強調，中國集成電路發展到現在，確實需要進入新的階段。這帶來的變化就是從被動到主動的變化。如今，既然我們有自己的體系，就需要從系統應用、設計、制造、封測、裝備、裁量、零部件形成內循環，然后對接國際資源構建國內國際雙循環，最終主動打造一個以我為主的全球化的新生態。在百年未有之大變局下，半導體產業同樣迎接巨變。隨著半
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原子層沉積(ALD, Atomic Layer Deposition)工藝，是當前及未來工藝節點相關的收縮及更復雜器件幾何形狀上沉積薄層材料的關鍵技術。如今，隨著技術節點以驚人的速度持續進步，精確而又高效地生成關鍵器件特征成為了一項持久的挑戰。 原子層沉積工藝依靠專業的高性能原子層沉積閥在數百萬個脈沖中輸送精確的化學品劑量，構建形成材料層。為了達到原子級精密度和高生產良品率，輸送這些脈沖式化學品劑量的閥門必須日益精確且一致。世偉洛克一直致力于此，不斷刷新ALD閥使用壽命、響應時間、高溫高流量應用
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原子層刻蝕和沉積工藝利用自限性反應，提供原子級控制。泛林集團先進技術發展事業部公司副總裁潘陽博士?分享了他對這個話題的看法。圖 1.?原子層工藝中的所有半周期反應是自限性反應。技術節點的每次進步都要求對制造工藝變化進行更嚴格的控制。最先進的工藝現在可以達到僅7 nm的fin寬度，比30個硅原子稍大一點。半導體制造已經跨越了從納米級到原子級工藝的門檻。工程師現在必須關注結構的尺寸變化，僅相當于幾個原子大小。由于多重圖案模式等復雜集成增加了工藝數量，進一步限制了每個步驟允許的變化。3D N
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近日，由北方華創下屬子公司北方華創微電子自主研發的國內首臺12英寸原子層沉積(AtomicLayerDeposition，ALD)設備進駐上海集成電路研發中心。北方華創微電子為國產高端裝備在先進集成電路芯片生產線的應用再添新秀。
ALD設備是先進集成電路制造工藝中必不可少的薄膜沉積設備，ALD工藝具有工藝溫度低、薄膜厚度控制精確及臺階覆蓋率高等優點。在集成電路特征線寬發展到28納米節點后，ALD工藝應用日益廣泛。北方華創微電子自2014年開始布局ALD設備的開發計劃，歷時四年，成功推出中國首臺應
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由于低溫沉積、薄膜純度以及絕佳覆蓋率等固有優點，ALD（原子層淀積）技術早從21世紀初即開始應用于半導體加工制造。DRAM電容的高k介電質沉積率先采用此技術，但近來ALD在其它半導體工藝領域也已發展出愈來愈廣泛的應用。
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液化空氣集團電子氣業務線近日宣布，其應用于半導體制造的前驅體ZyALD已獲得中國專利局授予的相關專利，從而使中國成為了繼韓國、新加坡、中國臺灣以及部分歐洲國家之后又一獲得該項專利的國家。此外，相關專利的申請工作在其他國家及地區也預期順利。ZyALD及其它類似分子應用于高介電常數沉積鍍膜，該工藝目前已在全球范圍內獲得11項專利，另有13項專利正在申請中。
ZyALD是上述已獲專利的系列分子中一種重要的鋯前驅體(功能分子)。該分子能夠在半導體制造工藝中，實現高溫條
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半導體產業正在轉換到3D結構，進而導致關鍵薄膜層對高速原子層沉積(ALD)的需求日益升高。過去在平面元件中雖可使用幾個 PVD 與 CVD 步驟，但就閘極堆疊的觀點而言，過渡到 FinFET 元件將需要全方位的 ALD 解決方案。
就 FinFET 而言，以其尺寸及控制關鍵元件參數對后閘極 (gate last) 處理的需求來說，在 14 奈米制程必需用到全 ALD 層。半導體設備大廠 ASM International (ASMI) 針對此一趨勢，與《電子工程專輯》談到了ALD 技術在先進半導
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半導體 FinFET ALD
摘要：闡述原子層沉積系統(ALD)中射頻阻抗匹配器的設計方案。利用ADS軟件對阻抗匹配網絡進行仿真，通過分析ALD真空腔室內等離子體產生前后的負載阻抗變化，結合仿真結果，提出等離子體產生過程中阻抗匹配網絡的控制方
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