- 日前在上海舉辦的“RF-SOI研討會”上,SOI產業聯盟稱,RF-SOI生態系統現已建立完善,并成為天線調諧器與射頻開關的主流技術,占據了95%的市場份額,該系統有利于IoT連接和5G的發展,為了更深層地與射頻前端器件結合,RF-SOI這種突破型技術還需要更多的創新和突破性的方案。
目前,RF-SOI技術主要應用于智能手機、WiFi等無線通訊領域,具有性能高、成本低等優勢。上海新傲科技股份有限公司總經理王慶宇稱,國際上3G/4G手機用的射頻器件
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RF-SOI 5G
- 格羅方德9月8日發布12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM,實現了業內首個多節點FD-SOI路線圖。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上,12FDXTM提供全節點縮放和超低功耗,并通過軟件控制實現按需定制性能,專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能系統而設計。
隨著數以百萬計的互聯設備出現,世界正在逐步融合為一體,眾多新興的應用也不斷要求著半導體的進一步創新。用于實現這些應用的芯片正逐漸演進為微系統,集成包括無線連接、非易失性存
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格羅方德 FD-SOI
- 格羅方德半導體今日發布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM,實現了業內首個多節點FD-SOI路線圖,從而延續了其領先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上,專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能系統而設計。
隨著數以百萬計的互聯設備出現,世界正在逐步融合為一體,眾多新興的應用也不斷要求著半導體的進一步創新。用于實現這些應用的芯片正逐漸演進為微系統,集成包括無線連接、非易失性存儲器以及電源管理等在內的越來越多的組件,
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格羅方德 FD-SOI
- 格羅方德半導體今日宣布一項全新合作伙伴計劃FDXcelerator™,該生態系統旨在為客戶加速基于22FDX™的片上系統設計,并縮短產品上市時間。
隨著公司新一代12FDX™的發布,格羅方德現提供業內首個FD-SOI 路線圖,并隨之建立了FDXcelerator™合作伙伴計劃,為希望實現先進節點設計的客戶提供了一條低成本的遷移路徑。
通過格羅方德半導體和FDXcelerator合作伙伴解決方案,客戶將能打造各類創新的22FDX 片上系統解決方
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格羅方德 FD-SOI
- IBM于年度Hot Chips技術大會上介紹Power 9處理器的更多細節,它可望成為一款突破性的晶片,催生系統廠商與加速器供應商建立新的夥伴關系,
IBM首度于上周在美國矽谷舉行的年度Hot Chips技術大會上介紹Power 9處理器的更多細節,它可望成為一款突破性的晶片,催生系統廠商與加速器供應商建立新的夥伴關系,并重新點燃IBM陣營與對手Intel在高階伺服器市場的戰火。
采用14奈米制程的Power 9是在今年3月首度被提及,在正熱門的加速器應用領域采取了大膽、在某種程度上又有些
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IBM Power
- 記者從8月26日工信部獲悉,8月25日,工業和信息化部副部長懷進鵬會見美國IBM公司全球高級副總裁羅思民,就進一步加強Power技術領域合作交換意見。
懷進鵬對IBM公司與中國業界在Power芯片、服務器系統和軟件服務領域合作取得的積極進展表示贊賞,希望IBM公司繼續秉持開放合作的態度,深化與中國業界在技術和產業生態體系建設方面的合作,服務經濟社會信息化發展,實現雙方互利共贏。
工業和信息化部電子信息司司長刁石京、信息化和軟件服務業司司長謝少鋒、國際合作司副司長程建軍等參加會見。
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IBM Power
- 高壓IGBT及SiC MOSFET驅動器技術領域的領導者Power Integrations今天宣布任命Thomas Simonis為公司大功率產品業務副總裁,負責產品管理、研發和營銷。Simonis先生在高壓電機驅動器及半導體領域從業超過25年,加入Power Integrations之前,他先后在ATB、CPM和Infineon等數家知名公司擔任技術及業務管理職務,是一名業內資深人士。Simonis先生是從退休的Wolfgang Ademmer手中接任該職的,Wolfgang Ademmer于20
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Power Integrations IGBT
- Samsung Foundry準備開始以28奈米FD-SOI制程,提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)選項。
三星晶圓代工業務(Samsung Foundry)準備開始以28奈米FD-SOI制程,提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快閃記憶體,做為嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)選項??。
Samsung Foundry行銷暨業務開發負責人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時表示,該
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FD-SOI 存儲器
- 高效率、高可靠性LED驅動器IC領域的業界領導者Power Integrations公司今日推出適合于單級非隔離降壓式可調光LED驅動器應用的LYTSwitch™-7 IC產品系列。這些器件采用超薄SO-8封裝,在無需散熱片的情況下可提供22 W輸出功率,并且效率極高,適合于燈泡、燈管及其它照明裝置的應用。在LYTSwitch-7的設計中只需采用一個簡單的無源衰減電路而無需泄放電路即可滿足可控硅調光器的要求。另外,設計中的電感可采用現成的只有單一繞組的市售標準電感。LYTSwitch-7的
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Power Integrations LYTSwitch-7 IC
- 中國政府日漸寬松的安全政策,令IBM可以通過將專利授權給中國廠商的方式,間接進入對外資IT企業來說門檻頗高的政府部門和工業核心領域的服務器市場
6月22日,蘇州中晟宏芯信息科技有限公司(下稱“中晟宏芯”)對外公布,該公司已拿到IBM服務器處理器芯片Power 8芯片架構和指令系統的永久授權,并可以基于該芯片進行自主創新。所謂“指令系統”,是指用來計算和控制計算機系統的一套指令的集合。
中晟宏芯成立于2013年,其員工主要來自中科院計算所和IB
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中晟宏芯 Power 8
- 產業資深顧問Handel Jones認為,半導體業者應該盡速轉移14奈米FD-SOI (depleted silicon-on-insulator)制程,利用該技術的眾多優勢…
半 導體與電子產業正努力適應制程節點微縮至28奈米以下之后的閘成本(gate cost)上揚;如下圖所示,在制程微縮同時,每單位面積的邏輯閘或電晶體數量持續增加,其速率高于晶圓片成本增加的速率。在另一方面,當制程特征尺寸縮 減時,晶片系統性與參數性良率會降低,帶來較高的閘成本。
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FD-SOI 14nm
- Globalfoundries技術長GaryPatton透露,其22FDX全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術可望今年稍晚上市,而目前該公司正在開發后續制程。
晶圓代工業者Globalfoundries技術長GaryPatton透露,其22FDX全空乏絕緣上覆矽(fully-depletedsilicon-on-insulator,FD-SOI)制程技術可望今年稍晚上市,而目前該公司正在開發后續制程。
Globalfoundries聲稱其針對不同應用最佳化的22FDX平臺四種制程,能提
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Globalfoundries FD-SOI
- 今天的智能手機和平板電腦內均裝有射頻(RF)前端模塊(FEM),一般包括功率放大器(PA)、開關、可調諧電容器和過濾器。射頻絕緣體上硅(RF SOI)等技術可支持移動設備調整和獲取蜂窩信號——在更廣泛的區域為無線設備提供持續強勁且清晰的網絡連接。 移動市場對RF SOI的追捧持續升溫,因為它以高性價比實現了低插入損耗,在廣泛的頻段內實現低諧波和高線性度。RF SOI是一個雙贏的技術選擇,能夠提高智能手機和平板電腦的性能和數據傳輸速度,同時有望在物聯網中發揮關鍵作用。
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RF-SOI 5G
- 中等電壓和高壓逆變器應用領域IGBT和MOSFET驅動器技術的領導者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅動器IC,8 A是目前業內不采用外部推動級的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時為IGBT和MOSFET提供驅動,也是首款將Power Integrations首創的FluxLink?磁感雙向通信技術引入1200 V驅動器應用的產品。Flux
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Power Integrations IGBT
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