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三星發(fā)飆：半導(dǎo)體28nm FD-SOI投片 功耗暴降一半

  • 　　蘋果(Apple)宣布以182萬美元從美信半導(dǎo)體(Maxim Integrated)買下位于加州圣荷西的一座8吋晶圓廠。專家分析認(rèn)為，此舉并不會影響與蘋果合作的晶圓代工廠生意。 　　據(jù)SemiWiki報導(dǎo)指出，SEMI World Fab Watch Database資料顯示，蘋果買下的晶圓廠于1987年建立，即使全面開工每月也只能生產(chǎn)1萬片晶圓，規(guī)模相對小且老舊，無法生產(chǎn)蘋果所需的應(yīng)用處理器(AP)。 　　蘋果最新AP采16/14納米FinFET制程，而10納米制程也正在開發(fā)中。8吋晶圓近日才微
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手機(jī)鏈考量？技術(shù)分水嶺抉擇？大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展FD-SOI

  • 　　DIGITIMES Research觀察，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有時也稱Ultra-Thin Body;UTB)制程技術(shù)，包含拜會關(guān)鍵晶圓片底材供應(yīng)商、簽署相關(guān)合作協(xié)議、于相關(guān)高峰論壇上表態(tài)等。大陸選擇FD-SOI路線，而非臺積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場效電晶體)路線，估與手
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IBM Power服務(wù)器起死回生 英特爾可能腹背受敵

  • 　　據(jù)國外媒體報道，去年拋棄x86服務(wù)器業(yè)務(wù)后，IBM已經(jīng)重新調(diào)整了其硬件策略。IBM倒貼15億美元也沒有把Power處理器業(yè)務(wù)嫁出去，該公司已經(jīng)認(rèn)識到打鐵還需自身硬。雖然它的服務(wù)器系統(tǒng)在某些行業(yè)依然保持著很高的利潤，但是IBM昂貴的Power服務(wù)器正在快速失去市場份額。圍繞英特爾處理器構(gòu)建的系統(tǒng)，在超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心和高性能計算市場已經(jīng)將IBM幾乎完全拋在后面。 　　   　　兩年前，IBM為了扭轉(zhuǎn)Power服務(wù)器的頹勢。建立了OpenPower開源項目，現(xiàn)在擁有約150家會員企業(yè)。O
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Power Integrations新推出的725 V InnoSwitch-EP IC為輔助和待機(jī)電源帶來革命性變化

  • 　　關(guān)注高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日發(fā)布InnoSwitch™-EP系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)IC。新的IC產(chǎn)品系列采用集成式725 V MOSFET、同步整流和精確的次級反饋檢測控制，因此可提供出色的多路輸出交叉調(diào)整率，同時提供全面的輸入電壓保護(hù)和即時動態(tài)響應(yīng)，并且空載功耗低于10 mW。InnoSwitch-EP IC還采用Power Integrations創(chuàng)新的FluxLink™技術(shù)，可設(shè)計出無需光耦的高效率、高精度和
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Power Integrations推出業(yè)界首款兼容高通公司Quick Charge 3.0技術(shù)的充電器接口IC

  • 　　致力于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今日宣布推出ChiPhy™充電器接口IC產(chǎn)品系列的最新器件CHY103D，這是首款兼容Qualcomm Inc.旗下子公司Qualcomm Technologies, Inc.所開發(fā)的Quick Charge (QC) 3.0協(xié)議的離線式AC-DC充電器IC。 　　與Power Integrations的InnoSwitch™ AC-DC開關(guān)IC一起使用，CHY103D器件可提供支持QC 3
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IBM突破7納米制程瓶頸　或左右Power處理器發(fā)展

  • 　　IBM與合作伙伴成功研制出7納米的測試芯片，延續(xù)了摩爾定律，突破了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的瓶頸。對于IBM而言，7納米制程技術(shù)的后續(xù)發(fā)展將會影響旗下Power系列處理器的規(guī)劃藍(lán)圖。 　　據(jù)The Platform網(wǎng)站報導(dǎo)，7納米制程芯片背后結(jié)合了許多尚未經(jīng)過量產(chǎn)測試的新技術(shù)，IBM與GlobalFoundries、三星電子(Samsung Electronics)等合作伙伴，對何時能實際以7納米制程制作處理器與其他芯片并未提出時程表。 　　IBM這次利用矽鍺(silicon germanium)制造一部分的電
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Leti從FD-SOI學(xué)到的一課：打造生態(tài)系統(tǒng)

  • 　　今年由歐洲兩大主要研發(fā)中心——法國CEA-Leti和比利時IMEC舉辦的年度開放日活動剛好都在六月的同一時期舉行。但這種時程的沖突并不是有意的，至少Leti是這么認(rèn)為。Leti的一位官方代表指出，“在過去七年來我們一直是在六月的同一周舉行年度活動。對他們來說，我們的排程應(yīng)該不是什么秘密。” 　　   　　Leti位于法國格勒諾布爾市創(chuàng)新園區(qū)的核心地帶 　　不過，位于格勒諾布爾的Leti Days和位于布魯塞爾的IMEC技術(shù)論壇這兩大
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中國石墨烯技術(shù)重大突破——石墨烯層數(shù)可調(diào)控

  • 可控石墨烯薄膜制備方面取得新進(jìn)展：設(shè)計了Ni/Cu體系，利用離子注入技術(shù)引入碳源，通過精確控制注入碳的劑量，成功實現(xiàn)了對石墨烯層數(shù)的調(diào)控，有助于實現(xiàn)石墨烯作為電子材料在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域真正的應(yīng)用。 　
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哪些半導(dǎo)體公司會成為22nm FD-SOI的嘗鮮者？

  • 　　美國時間7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺，成為全球第一家實現(xiàn)22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。 　　   　　FD- SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管，目前并不為業(yè)內(nèi)看好，因為無論Intel還是三星、臺積電，22n時代起就紛紛轉(zhuǎn)入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技術(shù)實力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續(xù)改進(jìn)平面型，20nm上努力了一
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格羅方德半導(dǎo)體推出業(yè)內(nèi)首個22nm FD-SOI工藝平臺

  • 　　格羅方德半導(dǎo)體(GLOBAL FOUNDRIES)今日發(fā)布一種全新的半導(dǎo)體工藝，以滿足新一代聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的超低功耗要求。“22FDX™”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當(dāng)，為迅速發(fā)展的移動、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡(luò)市場提供了一個最佳解決方案。 　　雖然某些設(shè)備對三維FinFet晶體管的終極性能有要求，但大多數(shù)無線設(shè)備需要在性能、功耗和成本之間實現(xiàn)更好的平衡。22FDX 采用業(yè)內(nèi)首個22nm二維全耗盡平面晶體管技術(shù)(FD-SOI)工
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GlobalFoundries全球首發(fā)22nm FD-SOI工藝

  • 　　GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工藝平臺，全球第一家實現(xiàn)22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。 FD-SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管， 目前并不為業(yè)內(nèi)看好，因為無論Intel還是三星、臺積電，22n時代起就紛紛轉(zhuǎn)入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技 術(shù)實力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續(xù)改進(jìn)平面型，20nm上努力了一陣放棄了，14nm索性直接借用三星的。 　　
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只能FinFET或FD-SOI？二合一也行！

  • 　　在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導(dǎo)體業(yè)者應(yīng)該不是選擇FinFET就是FD-SOI制程技術(shù);不過既然像是臺積電(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圓代工廠，必須要同時提供以上兩種制程產(chǎn)能服務(wù)客戶，有越來越多半導(dǎo)體制造商也正在考慮也致力提供“兩全其美”的制程技術(shù)。 　　例如飛思卡爾半導(dǎo)體(Freescale Semiconductor)最近就透露，該公司正在14至16奈米節(jié)點采用
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Power Integrations新推出的HiperPFSTM-3功率因數(shù)校正IC可提高電源的輕載性能

  • 　　致力于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布推出HiperPFSTM-3系列功率因數(shù)校正IC，新器件可在整個負(fù)載范圍內(nèi)提供高功率因數(shù)及高效率。該系列IC非常適合通用輸入下連續(xù)輸出功率要求達(dá)405 W以及高壓輸入下峰值功率要求達(dá)900 W的應(yīng)用，而且在10%負(fù)載點到滿載的范圍內(nèi)其效率均超過95%，空載功耗則低于60 mW。功率因數(shù)在20%負(fù)載點可輕松達(dá)到0.92以上。 　　高度集成的HiperPFS-3器件包含變頻CCM控制器、高壓功率MOSFET
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FD-SOI制程技術(shù)已到引爆點？

  • 　　身為記者，我有時候會需要經(jīng)過一系列的資料收集──通常包含非正式評論、隨機(jī)事實(random facts)、推特文章、研討會/座談會資料或是公關(guān)宣傳稿，然后才能把許多線索串聯(lián)在一起;全空乏絕緣上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator，F(xiàn)D-SOI)就是一個例子。 　　我從美國旅行到中國接著又到歐洲，在與電子產(chǎn)業(yè)人士討論技術(shù)的過程中，發(fā)現(xiàn)FD-SOI從一個不容易了解的名詞，逐漸變得越來越“有形”。關(guān)于這個技術(shù)，我在最近這幾個星期所收集到的隨機(jī)
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Power Integrations推出寬范圍CAPZero-2 IC，X電容安全放電可達(dá)6 μF

  • 　　致力于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布推出其CAPZero系列創(chuàng)新的雙端子X電容放電IC的下一代器件 - CAPZero™-2 IC。CAPZero-2 IC涵蓋寬范圍的應(yīng)用和輸出功率，可提高設(shè)計的靈活性。由于涵蓋0.1 µF至6 µF的寬范圍X電容，并且額定1 kV的擊穿電壓可經(jīng)受6 kV的瞬態(tài)電壓，因此CAPZero-2 IC可耐受劇烈的輸入浪涌和電壓驟升。 　　CAPZero-2 IC是一種智能的高壓開關(guān)
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