- 致力于高能效電源轉換的高壓集成電路業界的領導者今日推出HiperPFSTM-4系列功率因數校正(PFC) IC。新器件系列適合要求在滿載及輕載下均提供優異效率及功率因數性能的應用。HiperPFS-4器件采用緊湊型電氣隔離的可散熱封裝,內部同時集成了一個適合305 VAC輸入的600 V MOSFET和一個高效率變頻CCM PFC控制器。該IC系列不僅能提供高功率因數和低THD,而且還可在非常寬的輸出負載范圍內始終實現高效率,使OEM廠商符合嚴格的80
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Power Integrations HiperPFS-4
- 預計半導體和代工市場將在2016-2020年出現強勁成長,半導體年復合增長率達4.4%,代工業年復合增長率達7.1%,而且中國代工廠的年復合增長率更高,達20%。2017年2月10日,格芯公司CEO Sanjay Jha博士在格芯成都工廠奠基典禮之后,向部分國內媒體介紹了格芯對全球半導體市場的看法及其業務擴展計劃。
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半導體市場 FD-SOI 22FDX 12FDX 代工 20170203
- 全球代工巨頭格羅方德(GF)在成都落子,與成都市政府合資建12英寸生產線,GF占51%,并引入中國半導體業非常有興趣的22FDX(FD-SOI)技術。
“格芯”之所以引起業界關注有兩點:
1)與廈門的”聯芯”一樣是合資企業,它不同于之前英特爾、海力士、三星及臺積電的獨資模式;
2)導入SOI技術,目前計劃是2018年開始成熟制程量產,以及2019年是22納米的FD-SOI技術量產。
為什么SOI技術對于中國是個亮點?
在摩爾
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SOI 格芯
- 近日格羅方德12英寸晶圓廠落戶中國成都引起業界關注,為何?因為FD-SOI技術。
眾所周知,當柵極長度逼近20nm大關時,對電流控制能力急劇下降,漏電率相應提高。FinFET與FD-SOI恰是半導體微縮時代續命的高招。
盡管FinFET與FD-SOI師出同門,但是,兩者卻被“陣營化”,FinFET陣營占據絕對優勢。格羅方德是為數不多的FD-SOI技術堅守與推動者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠能給出答案。
今天我們就來談談Fi
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FinFET FD-SOI
- 中國半導體業發展可能關鍵不在于方向在那里?而是確定方向之后,如何踏實去干,去解決一個一個難題。任何進步沒有捷徑,其中骨干企業的責任尤為重要。
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SOI finFET
- 致力于高能效電源轉換的高壓集成電路業界的領導者今日推出LinkSwitch?-XT2系列離線式小功率變換器IC,新器件可提供高精度、高效率以及出色的空載性能。LinkSwitch-XT2?IC適用于要求對輸出電壓和輸出電流提供精確調整的隔離及非隔離反激式應用。新IC在寬輸入范圍設計中可提供6.1?W的輸出功率,在230?VAC敞開式應用中可提供9.2?W的輸出功率。 LinkSwitch-XT2產品系列適用于反激式拓撲結構,所實現的設計具有優于+/-3%的輸出
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Power Integrations LinkSwitch-XT2
- 通信電源通常被稱為通信系統的心臟,其工作不正常,將造成通信系統故障,甚至導致整個系統癱瘓。因此,為保證整個通信系統的暢通,節約人力成本和能源損耗,通信電源監控系統應運而生。通信電源監控系統對分布的通信電源設備和空...
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Power-One通信電源監控系
- 英飛凌科技股份公司助力打造經濟型智能化分布式汽車整車配電網絡架構,近日推出全新超低電阻智能高邊開關產品家族 Power PROFET™。它們具備市場上同類產品最低的導通電阻和最高的能源效率,能夠取代電流高達40A DC配電盒和接線盒中的電磁繼電器和熔絲。
當今整車網絡架構嚴重受限于繼電器和熔絲固有的缺陷,它們過于笨重,經常需要更換,而且功能相當有限。舉例來說,它們的開關壽命只有20萬次。Power PROFET開關可解決這些問題,帶來多重利益。它們的開關壽命達到100萬次,此外,它們
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英飛凌 Power PROFET
- 11月9日,電源轉換芯片世界領導品牌PI(Power Integrations)與中國本土電子元件分銷企業世強(Sekorm)的授權代理簽約儀式,在深圳市世強先進有限公司內隆重舉行,簽約后世強將負責PI全線產品在中國區的分銷業務。世強董事長肖慶,PI總裁兼首席執行官Mr. Balu Balakrishnan均出席會議并講話。
據悉,1986年成立的Power Integrations是電源轉換IC領域的全球領導者,西門子、華為、格力、微軟、ABB等企業均是其長期客戶。
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世強 Power Integrations
- 致力于高能效電源轉換的高壓集成電路業界的領導者Power Integrations公司今日推出LinkSwitch?-TN2離線式開關電源IC,新器件適用于輸出電流在360 mA以內的非隔離式電源應用。LinkSwitch?-TN2器件可用來設計降壓、降壓-升壓或非隔離反激拓撲變換器,能實現高精度、高效率以及出色的空載性能。新器件集成了全新的安全保護特性,包括輸入和輸出過壓保護以及具有725 V擊穿電壓的高可靠性MOSFET,可提供強大的輸出短路和過熱保護,防止輸入浪涌和電壓驟
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Power Integrations 開關電源
- 日前,IBM在2013年LinuxCon大會上宣布將投資10億美元開發基于IBM Power Systems平臺的新一代Linux開源技術,旨在幫助客戶構建和部署更先進的IT系統,以應對后
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Linux Power IBM 開源
- 在今年,業界對FD-SOI的討論終于從理論性的制程技術比較,轉移到由產品與應用所決定的技術競爭。
因為沒有可見的終端產品能證明其號稱超低功耗的特色,全空乏絕緣上覆矽(fully Depleted Silicon On Insulator,FD-SOI)制程一直得努力克服半導體產業界許多工程師的質疑,例如:該技術的好處在哪?在商業市場上有實際產品嗎?它真正的優勢何在?
終于,現在有實際產品可以做為FD-SOI制程的實證──是一只中國智慧型手機品牌業者小米(Xiaomi)副品牌華米(Huami
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智能手表 FD-SOI
- 中等電壓和高壓逆變器應用領域IGBT和MOSFET驅動器技術的領導者Power Integration今日推出1SP0350V SCALE?-2單通道+15/-10 V即插即用型門極驅動器。1SP0350門極驅動器非常適合要求高可靠性應用的HVDC和軌道交通工業領域,并且可安全可靠地驅動4500V Press-Pack IGBT和IEGT以及其他IGBT和IEGT產品。新驅動器基于Power Integrations使用最廣的SCALE?-2芯片組,并且裝備了動態高級有源鉗位(
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Power Integrations IGBT
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