- 近日，中國南車在英國林肯丹尼克斯公司成立了半導體研發中心，并舉行了丹尼克斯第一期六英寸IGBT芯片線開通儀式，為實現功率半導體器件世界第一的戰略目標奠定了更加堅實的基礎。
中國南車2008年10月成功收購了丹尼克斯半導體公司，獲得了戰略性資源，與中國南車現有功率半導體產業形成優勢互補。為尋求更大發展，南車確立了功率半導體器件世界第一的戰略目標，于2009年底成功完成丹尼克斯公司的再融資，進一步加大對功率半導體產業的投資，著力提升六英寸IGBT芯片的生產能力;同時建立世界水平的功率半導體研發中心，
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軌道交通 IGBT
- 針對汽車功率模塊需求，英飛凌通過增強IGBT的功率循環和溫度循環特性，并增加IGBT結構強度，大大提高了IGBT的壽命預期。
混合動力車輛中功率半導體模塊的要求
工作環境惡劣(高溫、振動)
IGBT位于逆
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IGBT 汽車級 混合動力車 中的設計
- 英飛凌科技股份公司近日推出600 V和1200V高速3(第三代)IGBT產品系列。該系列經過優化，適用于高頻和硬開關應用，在降低開關損耗、實現出類拔萃的效率方面，樹立了行業新標桿，并可滿足開關頻率高達100 kHz的應用需求。
近年來，各種產品對分立式IGBT的需求促使設計者尋求具備優化特性的IGBT，比如開關和通態損耗優化，以期充分發揮產品的性能。英飛凌的全新600 V 和1200 V高速3系列IGBT可適用于電焊機、太陽能逆變器、開關電源和不間斷電源(SMPS 和UPS)等高頻應用，幫助最大
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英飛凌 IGBT UPS
- 英飛凌科技股份公司近日在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(2010年5月4日至6日)上，推出了專為實現最高功率密度和可靠性而設計的新款IGBT模塊：采用PrimePACK 3封裝、電壓為1700 V、電流為1400 A的PrimePACK模塊，和EconoDUAL系列的最新旗艦產品、電壓為1200V、電流為600 A的EconoDUAL 3。
英飛凌公司副總裁兼工業電源部總經理Martin Hierholzer指出：“通過推出這兩款新產品，英飛凌再次鞏固了其在提供具備最高功率密
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英飛凌 IGBT PrimePACK
- 英飛凌科技股份公司與三菱電機公司同意簽署一份服務協議，針對全球工業運動控制與驅動市場，提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進的IGBT模塊。利用英飛凌新近開發的這種革命性封裝概念，兩大領導廠商將會采用最新功率芯片推出新一代模塊產品。
根據協議規定，三菱電機將新一代功率芯片，應用與英飛凌Smart1、Smart2和Smart3封裝中，推出的具備不同額定電流和電壓(電流范圍：15A 至150A，電壓等級：600V和1200V)的產品。作為SmartPACK/PIM全新模塊概念的創造者
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英飛凌 IGBT
- 英飛凌科技股份公司在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(2010年5月4日至6日)上，推出創新的IGBT內部封裝技術。該技術可大幅延長IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術可優化IGBT模塊內部所有連接的使用壽命。依靠這些全新的封裝技術，英飛凌可滿足具備更高功率循環的新興應用的需求，并為提高功率密度和實現更高工作結溫鋪平道路。
英飛凌副總裁兼工業電源部總經理Martin Hierholzer指出：“通過推出全新的.XT技術，英飛凌再次鞏固了自己在IGBT模塊設計和制造領域的技術
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英飛凌 IGBT 封裝
- 英飛凌科技股份公司與三菱電機公司同意簽署一份服務協議，針對全球工業運動控制與驅動市場，提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進的IGBT模塊。利用英飛凌新近開發的這種革命性封裝概念，兩大領導廠商將會采用最新功率芯片推出新一代模塊產品。
根據協議規定，三菱電機將新一代功率芯片，應用與英飛凌Smart1、Smart2和Smart3封裝中，推出的具備不同額定電流和電壓(電流范圍：15A 至150A，電壓等級：600V和1200V)的產品。作為SmartPACK/PIM全新模塊概念的創造者
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英飛凌 IGBT SmartPACK SmartPIM
- 混合動力車電力驅動的關鍵組件是電機和電機驅動器，IGBT作為電機驅動器的核心，它的可靠性關系著混合動力車輛的安全運行，本文主要針對IGBT模塊應用于汽車領域，所涉及的可靠性相關問題進行了探討，提出了汽車級IGBT概念，并詳細說明了英飛凌汽車級IGBT針對汽車應用做出的改進。
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英飛凌 IGBT 可靠性 功率循環 溫度循環 201003
- 國際著名電子、電機和工業產品分銷商RS Components于今日宣布，通過其在線目錄RS Online(RS在線：http://www.rs-components.com)渠道推出三洋(SANYO)半導體公司的1200類半導體產品。
此次推出的產品中，除了有采用三洋半導體獨自技術達成的用于電源電池管理的MOSFET系列(具有業界最高水準的低導通電阻特性, 并實現了小型薄型大功率), 低壓驅動閃光用IGBT產品以外，還包括低飽和電壓,射頻用各種雙極晶體管產品。 通過驅使獨自的核心技術, 三洋在多
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RS MOSFET IGBT
- 在新系統架構、控制方法和器件設計中的持續創新使得太陽能的利用效率更高。這些進步包括從全球政府部門對清潔能源的有力推動，使太陽能利用的前途真正變得光明。
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趨勢 采用 發展 結構 器件 IGBT
- RS Components于今日宣布，增加飛兆半導體900種新裝置，飛兆是全球領先節能半導體技術供應商。RS目前擁有最先進、最全面的飛兆電源產品系列，均可從庫存直接發貨至廣大設計工程師。
新添加的電源IC家族包括飛兆獲得大獎的直流直流控制器，融合了領先行業的便攜式裝置高功率、高性能、功率密度和規格等特點。RS推出的飛兆系列也包括Intellimax™負荷開關和MOSFET、高性能光耦合器、二極管、IGBT、邏輯及接口產品。
飛兆的FAN2XXX和FAN5XXX直流直流控制器家族
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RS 電源 IGBT MOSFET Intellimax
- 英飛凌科技股份公司近日推出適用于節能家用電器電機驅動裝置的功率轉換器件系列。全新的600V RC IGBT驅動系列(RC指逆向導通)，可使變頻電機設計更加經濟高效，從而確保采用多個電機的家電實現高達30%的節能。
洗衣機、冰箱、空調和洗碗機等家電使用的變頻電機驅動裝置，采用電子控制裝置和一個開關電源，以便在不同使用條件下，達到最佳能效。RC IGBT(絕緣柵雙極晶體管)驅動系列將英飛凌行業領先的TRENCHSTOP™ IGBT技術和續流二極管集成在單晶粒上，確保器件相對于競爭性解決方
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英飛凌 功率轉換器 IGBT TRENCHSTOP
- 針對不久前結束的哥本哈根會議，中國政府出臺了具體的量化政策，“到2020年我國單位GDP二氧化碳排放比2005年下降40%—45%”。同時，2010年是“十一五”的最后一年，單位GDP能耗降低20%的目標也需要實現。在“節能減排”政策的量化、“十一五”的最后沖刺加上可再生新能源應用不斷發展、智能電網的持續建設、混合動力和電動汽車市場的刺激等若干利好因素的共同作用下， 2010年將成為電力電子行業
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