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英飛凌600V功率開關(guān)器件家族又添新丁

  • 　　在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(5月17日至19日)上，英飛凌科技(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)600V逆導(dǎo)型(RC)IGBT家族的兩名新成員閃亮登場。這兩款新的功率開關(guān)器件可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最高達(dá)96%的能效。利用這些全新推出的RC-D快速IGBT，可以設(shè)計更高能效的電機(jī)驅(qū)動家用電器，它們使用更小的組件，因而總成本低于同類系統(tǒng)。　
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英飛凌推出最新EconoPACK? + D家族

  • 　　在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(5月17日至19日)上，英飛凌科技展出了最新EconoPACK? + D家族——額定電流最高為450A的最新一代1200V和1700V系列功率半導(dǎo)體模塊。以業(yè)界享有盛譽(yù)的EconoPACK?+平臺為藍(lán)本，英飛凌開發(fā)了新的EconoPACK ? + D系列，以滿足諸如可再生能源系統(tǒng)、商用電動車輛、電梯、工業(yè)驅(qū)動裝置或電源等應(yīng)用不斷提高的要求。得益于諸如超聲波焊接功率端子、優(yōu)化基板結(jié)構(gòu)或可靠
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IGBT驅(qū)動芯片IXDN404應(yīng)用及改進(jìn)

  • 介紹了IXYS公司大功率IGBT驅(qū)動芯片IXDN404的特點(diǎn)及性能，并在此基礎(chǔ)上，根據(jù)IGBT驅(qū)動的實(shí)際要求，設(shè)計出了一種具有過流保護(hù)及慢關(guān)斷功能的簡單有效的驅(qū)動電路，給出了實(shí)際電路圖和驅(qū)動波形。關(guān)鍵詞：IGBT；驅(qū)動與保護(hù)
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中國未來幾年IGBT市場火爆

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，由于工業(yè)與消費(fèi)領(lǐng)域的需求增長，中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場未來幾年將快速增長，2014年銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元，增長一倍以上。 　　
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高頻條件下IGBT驅(qū)動電路的設(shè)計與仿真

  • 摘要：文中對大功率IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)的開關(guān)特性、驅(qū)動要求進(jìn)行了分析和討論，介紹了一種高頻條件下實(shí)用的IGBT驅(qū)動電路，并通過理論分析和仿真波形說明了該驅(qū)動電路的有效
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中國光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨分析

  • 　　2008年受經(jīng)濟(jì)危機(jī)的影響，全球的經(jīng)濟(jì)形勢受到重創(chuàng)。歐洲作為光伏最大的市場，受到的影響最為顯著。不少歐洲國家縮減了光伏電站的開支，甚至取消了光伏產(chǎn)業(yè)的投資計劃。中國作為世界上最大的太陽能電池產(chǎn)地，對出口有較強(qiáng)的依賴性，以消化產(chǎn)能。 　　
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英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)大馬來西亞產(chǎn)能

  • 　　英飛凌科技股份公司今年投資1.6億美元，用以擴(kuò)大其在馬來西亞馬六甲市的產(chǎn)能，提高研發(fā)能力，并對其生產(chǎn)設(shè)施進(jìn)行升級。此次投資將主要用于提高面向高能效應(yīng)用的功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能，并將在2011年為馬六甲新增350個就業(yè)機(jī)會。目前，英飛凌在馬六甲擁有近7,000名員工。 　　
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基于IGBT的高可靠性驅(qū)動電路設(shè)計

  • 按照915MHz RFID電子標(biāo)簽的要求，設(shè)計電子標(biāo)簽整體電路如下。它主要由射頻接口部分和控制部分組成 ，射頻接口部分是研究的重點(diǎn)。
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華潤微電子1200V Trench NPT IGBT工藝平臺開發(fā)成功

  • 　　華潤微電子有限公司（后簡稱“華潤微電子”）宣布其附屬公司華潤上華科技有限公司（后簡稱“華潤上華”）已開發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT（溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管）工藝平臺，各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計要求，成功進(jìn)入Trench IGBT代工市場。 　　
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華潤微電子1200V Trench NPT IGBT工藝平臺開發(fā)成功

  • 　　華潤微電子有限公司（后簡稱“華潤微電子”）宣布其附屬公司華潤上華科技有限公司（后簡稱“華潤上華”）已開發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT（溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管）工藝平臺，各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計要求，成功進(jìn)入Trench IGBT代工市場。 　　華潤上華開發(fā)的該工藝產(chǎn)品關(guān)鍵參數(shù)如最高耐壓V(BR)CES、導(dǎo)通飽和電壓VCE(on)、關(guān)斷損耗Eoff ，以及在實(shí)際應(yīng)用中的溫升效果都與國際大廠相當(dāng)，該工藝產(chǎn)品主要應(yīng)用于電磁爐。根據(jù)國內(nèi)權(quán)威的
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基于數(shù)字信號處理器的IGBT驅(qū)動電路可靠性分析與設(shè)計

  • 摘要：隨著半導(dǎo)體技術(shù)與大規(guī)模集成電路技術(shù)的發(fā)展，數(shù)字信號處理器在交流調(diào)速及運(yùn)動控制領(lǐng)域應(yīng)用越來越廣。數(shù)字信號處理器與功率器件接口電路設(shè)計的合理完善直接關(guān)系到系統(tǒng)長期工作的可靠性。同時，低壓供電數(shù)字信號
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IGBT焊接電源方案及炸管對策

  • 實(shí)用IGBT焊接電源方案及炸管對策!逆變電焊機(jī)=逆變焊接電源+焊接裝置.只要做好逆變焊接電源,那么系列產(chǎn)品就迎刃而解.影響逆變焊接電源可靠性的主要問題是“炸管”!　　為了研究“炸管“!　　首先
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IGBT驅(qū)動器輸出計算

  • 中心議題：?柵極電荷體現(xiàn)IGBT的特性?如何測量和確定柵極電荷?驅(qū)動器輸出功率和柵...
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科達(dá)半導(dǎo)體IGBT封裝測試項(xiàng)目投產(chǎn)

  • 　　科達(dá)半導(dǎo)體封裝測試項(xiàng)目投產(chǎn)儀式在東營經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)舉行。 　　科達(dá)半導(dǎo)體封裝測試項(xiàng)目于2010年6月開工建設(shè)，從投資建設(shè)到正式投產(chǎn)，僅用了6個月的時間，創(chuàng)造了國內(nèi)封裝測試項(xiàng)目建設(shè)周期最短、投產(chǎn)速度最快的成功范例。項(xiàng)目擁有國際最新型設(shè)備150余臺套，主要從事T0247、T03P、T0220等功率半導(dǎo)體器件的封裝測試，年可生產(chǎn)各類器件3.1億只，年產(chǎn)值3億元以上。封裝測試項(xiàng)目的成功投產(chǎn)，將進(jìn)一步提高科達(dá)半導(dǎo)體公司在成本、交貨期、質(zhì)量等方面的競爭能力。
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高壓IGBT變頻器及應(yīng)用

  • 1前言電力電子技術(shù)、微電子技術(shù)與控制理論的結(jié)合，有力地促進(jìn)了交流變頻調(diào)速技術(shù)的發(fā)展。近年來，具有驅(qū)動電路和保護(hù)功能的智能IGBT的應(yīng)用使得變頻器結(jié)構(gòu)更加緊湊且可靠。與其它電力電子器件相比，IGBT具有高可靠性、
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igbt 7介紹

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