- 針對不久前結束的哥本哈根會議，中國政府出臺了具體的量化政策，“到2020年我國單位GDP二氧化碳排放比2005年下降40%—45%”。同時，2010年是“十一五”的最后一年，單位GDP能耗降低20%的目標也需要實現。在“節能減排”政策的量化、“十一五”的最后沖刺加上可再生新能源應用不斷發展、智能電網的持續建設、混合動力和電動汽車市場的刺激等若干利好因素的共同作用下， 2010年將成為電力電子行業
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慕尼黑上海電子展 可再生能源 IGBT
- 隨著綠色電力運動勢頭不減，包括家電、照明和電動工具等應用，以至其他工業用設備都在盡可能地利用太陽能的優點。為了有效地滿足這些產品的需求，電源設計師正通過最少數量的器件、高度可靠性和耐用性，以高效率把太陽能源轉換成所需的交流或者直流電壓。
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太陽能 逆變器 高效率 造就 電壓 IGBT 優化
- 英飛凌科技股份公司今天宣布，公司與飛兆半導體公司之間的專利侵權訴訟已達成和解。2008年11月，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標的包括與超結功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關的14項專利。
通過廣泛的半導體技術專利交叉許可，雙方就上述訴訟達成和解。根據和解協議，飛兆半導體將向英飛凌支付許可費，但協議的具體條款和條件保密。
英飛凌和飛兆半導體將通知美國特拉華州地方法院，雙方已經達成和解，并將申請撤訴。
作為半導體行業的全球領袖，英飛凌目前正
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英飛凌 MOSFET IGBT
- 新型電力半導體器件的代表，IGBT的產業化在我國還屬空白。無論技術、設備還是人才，我國都處于全方位的落后狀態。應當認識到，電力半導體器件和集成電路在國民經濟發展中地位同樣重要，因此，政府應該對IGBT產業予以大力扶持。
眾所周知，電力電子技術可以提高用電效率，改善用電質量，是節省能源的王牌技術。當今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導體器件是高頻電力電子線路和控制系統的核心開關元器件，它的性能參數將直接決定著電力電子系統的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導體器件的代表性器件，
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器件 IGBT 封裝 測試 MOSFET
- 這是一個結果尚不明朗的賭注，巴菲特和王傳福站在一邊，巴菲特已經賭贏了，但是王傳福暫時還沒有。
初冬的傍晚天黑得早，寧波北侖港保稅港區的比亞迪(73.4,-0.70,-0.95%,經濟通實時行情)寧波半導體公司(原寧波中緯)依舊冒著騰騰的熱氣，公司墻上貼滿了新員工的名字，由于人數眾多，許多人還來不及辦理入廠證件。大批身穿比亞迪廠服的員工走出工廠大門，投入茫茫夜色，這里有許多來自深圳的年輕工程師，他們正試圖適應在寧波度過的第一個寒冷冬天。
這些員工身上，承載著王傳福的野心和夢想。“
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比亞迪 IGBT
- 過去，人們常把集成電路比作電子系統的大腦，而把功率半導體器件比作四肢，因為集成電路的作用是接受和處理信息，而功率器件則根據這些信息指令產生控制功率，去驅動相關電機進行所需的工作。如今，新型功率半導體器件如MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及功率集成電路應用逐漸普及，其為信息系統提供電源的功能也越來越引人注目。功率半導體器件在電子系統中的地位已不僅限于“四肢”，而是為整個系統“供血”的“心臟&rdq
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功率半導體 MOSFET IGBT
- IGBT以其輸入阻抗高，開關速度快，通態壓降低等特性已成為當今功率半導體器件的主流器件，但在它的使用過程中，精確測量導通延遲時間，目前還存在不少困難。在介紹時間測量芯片TDC-GP2的主要功能和特性的基礎上，利用其優良的特性，設計一套高精度的IGBT導通延遲時間的測量系統，所測時間間隔通過液晶顯示器直接讀取，是一套較為理想的測量方案。
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IGBT 導通 精確測量 方法
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M，適用于電動汽車 (EV) 、混合電動汽車 (HEV) 和中功率驅動器中的高電流、高電壓汽車逆變器模塊。
AUIRG7CH80K6B-M 采用了 IR 的最新一代場截止溝槽技術，大幅度降低了傳導和開關損耗。此外，這款新器件的焊前金屬可實現雙面冷卻，提高了散熱性能，
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IR IGBT 逆變器
- 9月8日，隨著第一批高壓大功率晶閘管正式投片，國內最大的大功率半導體器件研發及產業化基地在中國南車正式投產。
為滿足國民經濟發展的急切需求，打破國外公司的市場壟斷，推動大功率半導體產業上水平、上規模，中國南車旗下的株洲南車時代電氣股份有限公司(南車時代電氣)依托公司良好的技術基礎，總投資近3.5億元，于2006年年底啟動大功率半導體器件研發及產業化基地的建設，歷經22個月后實現正式投產。
位于湖南株洲的生產基地總面積超2萬平方米，部分凈化級別達到了100級，由于產品對生產環境的要求極其苛刻
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半導體器件 IGBT 二極管
- 中國最大的大尺寸功率半導體器件研發及產業化基地近日在湖南株洲正式投產。長期以來，高端半導體器件技術和市場一直被國外壟斷，該基地的投產運行將加速推動國產化大功率半導體器件產業化進程。
大尺寸功率半導體器件(晶閘管、IGBT、IGCT均屬于大尺寸功率半導體器件)是變流器的關鍵元件，被譽為電力電子產品的“CPU”，廣泛用于軌道交通、電力(高壓直流輸電、風力發電)、化工、冶煉等領域。長期以來，國內高端半導體器件技術和產品主要依靠進口，價格昂貴，嚴重制約民族工業的快速發展。
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半導體 晶閘管 IGBT
- 從普通串級調速原理入手，簡要分析影響串級調速系統功率因數的主要因素。對三相四線雙晶閘管串級調速、新型GTO串級調速等高功率方案分析與比較的基礎上，提出了一種新型三相四線制雙IGBT串級調速控制方案。
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IGBT 斬波 串級調速 系統
- 英飛凌科技股份公司在功率電子半導體分立器件和模塊領域連續第六年穩居全球第一的寶座。據IMS Research公司2009年發布的《功率半導體分立器件和模塊全球市場》報告稱，2008年，此類器件的全球市場增長了1.5%，增至139.6億美元(2007年為137.6億美元)，而英飛凌的增長率高達7.8%?，F在，英飛凌在該市場上占據了10.2%的份額，其最接近的競爭對手份額為6.8%。在歐洲、中東和非洲地區以及美洲，英飛凌也繼續獨占鰲頭，分別占據了22.8%和11.2%的市場份額。
隨著汽車、消費和工
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英飛凌 IGBT MOSFET
- 經濟領域有兩大活躍因子：技術與資本。走進鳳凰半導體科技有限公司，你可以感受到這兩大活躍因子結合后迸發出的強勁效應。這家注冊于2008年7月的“530”企業，一期工廠已開始安裝設備。今年9月正式投產后,其生產的可提高能源使用效率的IGBT系列芯片將填補國內空白，告別同類產品依賴進口的局面。
剛滿“周歲”的鳳凰半導體就將進入產業化階段,其速度令人驚奇，但在總經理屈志軍看來,這一局面的形成并不意外。原因有二：一是所率留美博士團隊擁有國際一流技術;二是擁有
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