8月6日消息，在近日的財報電話會議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機）。High NA EUV光刻機是目前世界上最先進的芯片制造設備之一，其分辨率達到8納米，能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能，是實現2nm以下先進制程大規模量產的必備武器。帕特·基辛格表示，第二臺High NA設備即將進入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠，預計將支持公司新一代更強大的計算機芯片的生產。此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻
IT之家 7 月 30 日消息，《電子時報》昨日報道稱，臺積電最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技術。對此，臺積電海外營運資深副總經理暨副共同營運長張曉強表示，仍在評估 High NA EUV 應用于未來制程節點的成本效益與可擴展性，目前采用時間未定。▲ ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻機，圖源：ASML上個月，ASML 透露將在 2024 年內向臺積電交付首臺 High NA EUV 光刻機，價值達 3.8
6月16日消息，ASML去年底向Intel交付了全球第一臺High NA EUV極紫外光刻機，同時正在研究更強大的Hyper NA EUV光刻機，預計可將半導體工藝推進到0.2nm左右，也就是2埃米。ASML第一代Low NA EUV光刻機孔徑數值只有0.33，對應產品命名NXE系列，包括已有的3400B/C、3600D、3800E，以及未來的4000F、4200G、4X00。該系列預計到2025年可以量產2nm，再往后就得加入多重曝光，預計到2027年能實現1.4nm的量產。High NA光刻機升級到了
據市場消息，目前，ASML High NA EUV光刻機僅有兩臺，如此限量版的EUV關鍵設備必然無法滿足市場對先進制程芯片的需求，為此ASML布局步伐又邁一步。當地時間6月3日，全球最大的半導體設備制造商阿斯麥（ASML）宣布，攜手比利時微電子研究中心（IMEC），在荷蘭費爾德霍芬（Veldhoven）開設聯合High-NA EUV光刻實驗室（High NA EUV Lithography Lab），并由雙方共同運營。推動摩爾定律關鍵因素：High NA EUV技術據業界信息，High NA EUV技術是
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