全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布率先推出面向第二代DDR5多容量雙列直插式內存模塊（MRDIMM）的完整內存接口芯片組解決方案。人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和其它數據中心應用對內存帶寬的要求不斷提高，這就需要新的DDR5 MRDIMM。它們的運行速度高達每秒12,800兆次傳輸（MT/s）；與第一代解決方案相比內存帶寬提高1.35倍。瑞薩與包括CPU和內存供應商在內的行業領導者以及終端客戶合作，在新型MRDIMM的設計、開發與部署方面發揮了關鍵作用。瑞薩設計并推出三款全新關鍵組件：RRG
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瑞薩 DDR5 MRDIMM 內存接口芯片組
DRAM產業歷經2024年前三季的庫存去化和價格回升，價格動能于第四季出現弱化。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于部分供應商在今年獲利后展開新增產能規劃，預估2025年整體DRAM產業位元產出將年增25%，成長幅度較2024年大。根據TrendForce集邦咨詢最新調查，DRAM產業結構越趨復雜，除現有的PC、Server、Mobile、Graphics和Consumer
DRAM外，又新增HBM品類。吳雅婷指出，三大DRAM原廠中，SK
hynix（SK海力士）因HBM產品
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DRAM TrendForce 集邦咨詢
近日，北京君正在接受機構調研時就DRAM的新工藝情況表示，21nm和20nm都有在研，預計21nm的今年年底會推出，20nm預計將于明年中前后推出，后續還會繼續進行更新工藝的產品研發。關于存儲中各類市場的收入占比情況，北京君正表示，汽車市場占比大概40%以上，工業和醫療今年市場景氣度差一些，去年占比超過30%，今年大概不到30%，剩下大約20%多的是通信和消費等其他領域。存儲產品價格方面，北京君正的存儲產品主要面向行業市場，這個市場的價格變動特點和消費類市場不同，這幾年行業市場存儲價格高點是2022年，2
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北京君正 21nm DRAM
11 月 6 日消息，天風證券分析師郭明錤昨日（11 月 5 日）在 Medium 上發布博文，深入分析了英特爾 Lunar Lake 失敗的前因后果。IT之家此前報道，是英特爾近期宣布在 Lunar Lake (LNL) 之后，將不再把 DRAM 整合進 CPU 封裝。雖此事近來成為焦點，但業界早在至少半年前就知道，在英特爾的
roadmap 上，后續的 Arrow Lake、Nova Lake、Raptor Lake 更新、Twin Lake、Panther
Lake 與 Wildcat La
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郭明錤 英特爾 Lunar Lake DRAM CPU 封裝 AI PC LNL
10 月 30 日消息，芝奇國際今日宣布再度刷新內存頻率超頻世界紀錄，由華碩 ROG 極限超頻者 SAFEDISK 上傳的成績，通過液態氮極限超頻技術，創下 DDR5-12112 的超頻紀錄。該紀錄使用的是芝奇 Trident Z5 旗艦系列 DDR5 內存，搭配最新英特爾酷睿 Ultra 9 285K 處理器及華碩 ROG MAXIMUS Z890 APEX 主板。IT之家附圖如下：此成績已上傳至 HWBOT 及 CPU-Z，超越了 10 月 25 日微星 MEG Z890 UNIFY-X
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芝奇 內存 DDR5
自鎧俠官網獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項創新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會（IEDM）上發表。聲明中稱，鎧俠旨在不斷創新以滿足未來計算和存儲系統的需求。此次發布包括以下三大創新技術：氧化物半導體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術由鎧俠聯合南亞科技共同開發，通過改進制造工藝，開發出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領域具有廣闊的應用前景。高容量交叉點MRAM（磁阻隨機存取存儲器
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鎧俠 存儲技術 DRAM MRAM 3D堆疊
TrendForce指出，隨著AI服務器持續布建，高帶寬內存（HBM）市場處高成長階段，平均售價約是DRAM產品的三至五倍，待下一代HBM3e量產，加上產能擴張，營收貢獻將逐季上揚。TrendForce指出，HBM市場仍處于高成長階段，由于各大云端廠商持續布建AI服務器，在GPU算力與內存容量都將升級下，HBM成為其中不可或缺的一環，帶動HBM規格容量上升。如NVIDIA Blackwell平臺將采用192GB HBM3e內存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生產難度高、良率仍有顯著
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HBM DRAM TrendForce
三星電子今日宣布，已成功開發出其首款24Gb GDDR7[1]?DRAM（第七代圖形雙倍數據傳輸率存儲器）。GDDR7具備非常高的容量和極快的速率，這使得它成為眾多下一代應用程序的理想選擇之一。三星半導體24Gb GDDR7 DRAM憑借高容量和卓越性能，24Gb GDDR7將廣泛應用于需要高性能存儲解決方案的各個領域，例如數據中心和人工智能工作站，這將進一步擴展圖形 DRAM 在顯卡、游戲機和自動駕駛等傳統應用領域之外的應用范圍。三星電子存儲器產品企劃團隊執行副總裁裴永哲（Bae YongCh
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三星 24Gb GDDR7 DRAM 人工智能計算
?Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）于近日宣布推出兩款內置時鐘驅動器的全新類型內存，即?Crucial??英睿達??DDR5?時鐘驅動器無緩沖雙列直插式內存模塊?(CUDIMM)?和時鐘驅動器小型雙列直插式內存模塊?(CSODIMM)，并已開始批量出貨。這兩款全新內存均符合?JEDEC?標準，運行速度高達?6,400MT/s，是?DDR4?的兩
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美光 時鐘驅動器 DDR5
IT之家 9 月 4 日消息，據韓媒 ZDNET Korea 報道，三星電子 MX 部門 8 月向 DS 部門表達了對面向 Galaxy S25 系列手機的 1b nm （IT之家注：即 12nm 級） LPDDR 內存樣品供應延誤的擔憂。三星電子于 2023 年 5 月啟動 1b nm 工藝 16Gb DDR5 內存量產，后又在當年 9 月發布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在內部推進 1b nm LPDDR 移動內存產品的開發工作。然而該韓媒此前就在今年 6 月
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三星 內存 DDR5
根據TrendForce最新調查，消費型電子需求未如預期回溫，中國大陸地區的智能型手機，出現整機庫存過高的情形，筆電也因為消費者期待AI PC新產品而延遲購買，市場持續萎縮。此一現象，導致以消費型產品為主的內存現貨價走弱，第二季價格較第一季下跌超過30％。盡管現貨價至8月份仍與合約價脫鉤，但也暗示合約價可能的未來走向。TrendForce表示，2024年第二季模塊廠在消費類NAND Flash零售通路的出貨量，已大幅年減40％，反映出全球消費性內存市場正遭遇嚴峻挑戰。內存產業雖一向受周期因素影響，但202
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TrendForce 內存 DRAM
2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開發出采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現了10納米出頭的超微細化存儲工藝技術。SK海力士強調：“隨著10納米級DRAM技術的世代相傳，微細工藝的難度也隨之加大，但公司以通過業界最高性能得到認可的第五代（1b）技術力為基礎，提高了設計完成度，率先突破了技術極限。公司將在年內完成1c
DDR5 DRAM的量產準備，從明年開始供應產品，引領半導體存儲器市場發展?！惫疽?b DRAM
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SK海力士 第六代 10納米級 DDR5 DRAM
根據TrendForce集邦咨詢調查，受惠主流產品出貨量擴張帶動多數業者營收成長，2024年第二季整體DRAM（內存）產業營收達229億美元，季增24.8%。價格方面，合約價于第二季維持上漲，第三季因國際形勢等因素，預估Conventional
DRAM（一般型內存）合約價漲幅將高于先前預期。觀察Samsung（三星）、SK
hynix（SK海力士）和Micron（美光科技）第二季出貨表現，均較前一季有所增加，平均銷售單價方面，三大廠延續第一季合約價上漲情勢，加上臺灣地區四月初地震影響，以及HBM
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DRAM TrendForce 集邦咨詢
比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發表了曝光后的圖形化組件結構。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機邏輯結構、中心間距為30納米的隨機通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動態隨機存取內存（DRAM）專用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進圖形化研究計劃伙伴所優化的材料和基線制程。透過這些研究成果，imec證實該微影技術的生態系
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imec High-NA EUV DRAM
8月7日消息，隨著移動設備功能的不斷增強，對內存性能和容量的要求也日益提高。據外媒gsmarena報道，三星電子近日宣布，公司推出了業界最薄的LPDDR5X
DRAM芯片。這款12納米級別的芯片擁有12GB和16GB兩種封裝選項，專為低功耗RAM市場設計，主要面向具備設備端AI能力的智能手機。gsmarena這款新型芯片的厚度僅為0.65毫米，比上一代產品薄了9%。三星估計，這一改進將使其散熱性能提高21.2%。gsmarena三星通過優化印刷電路板（PCB）和環氧樹脂封裝技術，將LPDDR5X的厚度
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三星 手機芯片 LPDDR5X DRAM
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