據外媒《BusinessKorea》報道，三星電子的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導體研究所副社長兼工藝開發室負責人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區三成洞韓國貿易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認為是半導體產業的未來增長動力。考慮到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況，業界認為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。與現有
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存儲 3D DRAM
本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝（用于移動應用程序、數據中心和人工智能）的性能，就需要對架構、材料和核心制造流程進行復雜且代價高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構、不同的材料，包括更薄的勢壘層和熱預算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長。挑戰在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠的方式組合這些。當今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動 SoC 平臺，包括一個或多
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3D NAND DRAM 5nm SoC
IT之家 2 月 20 日消息，TrendForce 集邦咨詢今日發布報告稱，2023 年的 Server DRAM 位元產出比重約 37.6%，將正式超越 Mobile DRAM 的 36.8%。▲ 圖源：TrendForce 集邦咨詢報告指出，自 2022 年起 DRAM 原廠持續將原先配置給 Mobile DRAM 的產能移轉至前景相對強勁穩健的 Server DRAM，試圖減輕 Mobile DRAM 端供需失衡的壓力。2023 年由于智能手機出貨增長率與平均搭載容量成長率仍保守，原廠的
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DRAM 市場
IT之家 2 月 10 日消息，據威剛官方消息，威剛 1 月合并營收僅月減 7.57% 為 21.77 億元新臺幣。威剛表示，公司短期內仍將維持彈性且謹慎的庫存策略，并隨時掌握產業變化，預期內存產業供應鏈庫存有望在今年上半年逐步去化完成，隨著下半年消費性需求回籠，以及各項產品單機內存搭載容量快速成長，內存產業需求有望從第三季起恢復成長動能。威剛董事長陳立白進一步指出，目前公司對內存景氣展望不變，預期本季內存價格仍處短期修正波段，但受惠于上游供應商獲利不再且投片態度轉趨保守，DRAM 與 NAND
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威剛 DRAM
2023 年 2 月 7 日消息，據 DT 報道稱主要存儲廠商包括美光、SK海力士、三星等存儲大廠們的芯片庫存仍在不斷膨脹擠壓中，庫存壓力巨大。不斷增長的庫存壓力也讓供銷商對終端出貨的預期保持謹慎，甚至預測到 2023 年第四季度才能回暖。價格方面，目前 DRAM 內存芯片價格預計一季度下跌 20%，二季度下跌 11%；而 NAND 閃存價格預計一季度下跌 10%，二季度下跌 3%，各位有需求入手儲存卡、固態硬盤 SSD 的用戶，近期好價可以選擇入手！
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DRAM 市場
IT之家 2 月 1 日消息，TrendForce 集邦咨詢最新報告指出，全球經濟持續疲軟，促使北美四大云服務供應商下修 2023 年服務器采購量，且數字可能持續下修，下修幅度由多到少依次為 Meta、Microsoft（微軟）、Google（谷歌）、AWS（亞馬遜云科技）。IT之家了解到，TrendForce 集邦咨詢預計，四家廠商服務器采購量由原先預估的同比增長 6.9%，降至 4.4%，此將影響 2023 年全球服務器整機出貨年增率下降到 1.87%，進一步加劇 Server DRAM 供
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DRAM 市場
近日，美光科技宣布，其用于數據中心的DDR5服務器內存產品組合已在第四代英特爾至強可擴展處理器上得到全面驗證。據介紹，美光DDR5提供的內存帶寬是前幾代產品的兩倍，這對于推動當今數據中心處理器內核的快速增長至關重要。過渡到DDR5將提供更高的帶寬以釋放每個處理器的更多計算能力，從而有助于緩解未來幾年的潛在瓶頸。美光DDR5結合第四代Intel Xeon Scalable處理器使包括SPECjbb在內的廣泛工作負載受益，與前幾代相比，它在 Critical-jOPS（每秒 Java 操作數）基準測試中的性能
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美光科技 DDR5 服務器內存
IT之家 1 月 17 日消息，美光昨日宣布，公司旗下面向數據中心的 DDR5 服務器內存產品組合已在第四代英特爾至強可擴展處理器系列產品中完成驗證。據介紹，美光 DDR5 所提供的內存帶寬相比前幾代產品實現了翻番。升級到 DDR5 將帶來更高的帶寬，有助于充分釋放每臺處理器的計算能力，從而緩解其未來幾年可能面臨的性能瓶頸。IT之家了解到，美光數據顯示，SPECjbb 在關鍵 jOPS（每秒 Java 運行次數）的基準測試中，性能比前代產品提升了近 49%。除了更高的內存帶寬和更強的性
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DDR5 美光
Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，公司旗下面向數據中心的DDR5服務器內存產品組合已在第四代英特爾?至強?可擴展處理器系列產品中完成驗證。美光 DDR5?所提供的內存帶寬相比前幾代產品實現了翻番，為當今數據中心快速增長的處理器內核提供更強賦能。升級到 DDR5?將帶來更高的帶寬，有助于充分釋放每臺處理器的計算能力，從而緩解其未來幾年可能面臨的性能瓶頸。美光 DDR5 與第四代英特爾??至強??可擴展處理器強強聯手，可為各
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美光 DDR5 英特爾至強
IT之家 1 月 13 日消息，SK 海力士宣布，公司研發的第四代 10 納米級（1a）DDR5 服務器 DRAM 獲得了近期上市的全新第四代 Xeon 服務器處理器（代號為 Sapphire Rapids）兼容認證。SK 海力士表示，采用 EUV（極紫外線）技術的 1a 納米 DDR5 DRAM 產品獲得了英特爾推出的第四代 Xeon 服務器處理器可支持的存儲器認證。將通過目前在量產的 DDR5 積極應對增長趨勢的服務器市場，盡早克服存儲器半導體的低迷市況。新一代服務器用 CPU 上
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海力士 DDR5
IT之家 12 月 26 日消息，韓國《首爾經濟日報》表示，盡管明年全球經濟將放緩，三星電子仍計劃明年在其最大半導體工廠增加芯片產能。據稱，三星 2023 年存儲器和系統半導體的晶圓產能提高約 10%。業內消息人士稱，三星電子將在位于韓國平澤的 P3 工廠增加 DRAM 設備，12 英寸晶圓月產能可達 7 萬片，明年將把 P3 代工晶圓產能提高 3 萬片（共 10 萬），高于目前 P3 廠 DRAM 產線的每月 2 萬片產能。三星電子計劃利用新的設備生產 12 納米級 DRAM。截至今
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三星 晶圓代工 DRAM
三星電子宣布，已成功開發出其首款采用12納米（nm）級工藝技術打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產品評估。三星電子首款12納米級DDR5 DRAM三星電子高級副總裁兼DRAM產品與技術負責人Jooyoung Lee表示："三星12nm級DRAM將成為推動整個市場廣泛采用DDR5
DRAM的關鍵因素。憑借卓越的性能和能效，我們希望新款DRAM能夠成為下一代計算、數據中心和AI驅動系統等領域更可持續運營的基礎。"AMD高級副總裁、企業院士兼客戶、計算
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三星電子 12納米 DDR5 DRAM
12月19日，美光宣布，與AMD在奧斯汀建立聯合服務器實驗室，以減少服務器內存驗證時間。目前美光適用于數據中心的DDR5內存和第四代AMD EPYCTM（霄龍）處理器均已出貨。長期以來，超級計算機承擔著高性能計算工作負載。此類大規模的數據密集型工作負載需要運行TB級的數據量以進行數百萬個并行操作，以解決人類世界的難題，如天氣和氣候預測；地震建模；化學、物理和生物分析等。隨著計算機架構的進步，此類工作負載往往托管在超大型“可橫向擴展”的高性能服務器集群中。這些服務器集群需要集合最強大的算力、架構、內存和存儲
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美光 AMD DDR5
IT之家 12 月 19 日消息，據美光發布，美光與 AMD 雙方在奧斯汀建立聯合服務器實驗室，以減少服務器內存驗證時間，在產品驗證和發布期間共同進行工作負載測試。目前美光適用于數據中心的 DDR5 內存和第四代 AMD EPYCTM （霄龍）處理器均已出貨，官方對其進行了一些常見的高性能計算（HPC）工作負載基準測試。長期以來，超級計算機承擔著高性能計算工作負載。此類大規模的數據密集型工作負載需要運行 TB 級的數據量以進行數百萬個并行操作，以解決人類世界的難題，如天氣和氣
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美光 AMD DDR5
美光與AMD聯手為客戶及數據中心平臺提供一流的用戶體驗。雙方在奧斯汀建立聯合服務器實驗室，以減少服務器內存驗證時間，在產品驗證和發布期間共同進行工作負載測試。目前美光適用于數據中心的 DDR5 內存和第四代 AMD EPYCTMTM （霄龍）處理器均已出貨，我們對其進行了一些常見的高性能計算（HPC）工作負載基準測試。 長期以來，超級計算機承擔著高性能計算工作負載。此類大規模的數據密集型工作負載需要運行TB 級的數據量以進行數百萬個并行操作，以解決人類世界的難題，如天氣和氣候預測；地震建模；化學、物理和生
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美光 DDR5 AMD EPYC
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