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Intel 4制程技術(shù)細節(jié)曝光 具備高效能運算先進FinFET

  • 英特爾近期于美國檀香山舉行的年度VLSI國際研討會，公布Intel 4制程的技術(shù)細節(jié)。相較于Intel 7，Intel 4于相同功耗提升20％以上的效能，高效能組件庫（library cell）的密度則是2倍，同時達成兩項關(guān)鍵目標：它滿足開發(fā)中產(chǎn)品的需求，包括PC客戶端的Meteor Lake，并推進先進技術(shù)和制程模塊。 英特爾公布Intel 4制程的技術(shù)細節(jié)。對于英特爾的4年之路，Intel 4是如何達成這些效能數(shù)據(jù)？ Intel 4于鰭片間距、接點間距以及低層金屬間距等關(guān)鍵尺寸（Critic
  • 關(guān)鍵字： Intel 4  制程技術(shù)  FinFET  Meteor Lake  

如何有效地比較CMOS開關(guān)和固態(tài)繼電器的性能

  • 源極和漏極之間的關(guān)斷電容CDS(OFF)可用來衡量關(guān)斷開關(guān)后，源極信號耦合到漏極的能力。它是固態(tài)繼電器（如PhotoMOS?、OptoMOS?、光繼電器或MOSFET繼電器）中常見的規(guī)格參數(shù)，在固態(tài)繼電器數(shù)據(jù)手冊中通常稱為輸出電容COUT。CMOS開關(guān)通常不包含此規(guī)格參數(shù)，但關(guān)斷隔離度是表征相同現(xiàn)象的另一種方法，關(guān)斷隔離度定義為，開關(guān)關(guān)斷狀態(tài)下，耦合到漏極的源極的信號量。本文將討論如何從關(guān)斷隔離度推導出COUT，以及如何通過它來更有效地比較固態(tài)繼電器和CMOS開關(guān)的性能。這一點很重要，因為CMOS開關(guān)適合
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5nm及更先進節(jié)點上FinFET的未來：使用工藝和電路仿真來預測下一代半導體的性能

  • 雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺帶來更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進節(jié)點上，兼顧寄生電容電阻的控制和實現(xiàn)更高的晶體管性能變得更具挑戰(zhàn)。泛林集團在與比利時微電子研究中心 (imec) 的合作中，使用了SEMulator3D?虛擬制造技術(shù)來探索端到端的解決方案，運用電路模擬更好地了解工藝變化的影響。我們首次開發(fā)了一種將SEMulator3D與BSIM緊湊型模型相耦合的方法，以評估工藝變化對電路性能的影響。這項研究的目的是優(yōu)化先進節(jié)點FinFET設計的源漏尺寸和側(cè)墻厚
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KAC-12040: CMOS 圖像傳感器，12 MP

  • KAC-12040 圖像傳感器是一款高速 1200 萬像素 CMOS 圖像傳感器，為基于 4.7 μm 5T CMOS 平臺的 4/3" 光學制式。該圖像傳感器具有非?？斓膸俾?、卓越的 NIR 靈敏度以及靈活的讀取模式，且具有多個興趣區(qū) (ROI)。該讀取結(jié)構(gòu)可使用 8、4 或 2 個 LVDS 輸出組，達到全分辨率每秒 70 幀的速度。每個 LVDS 輸出組均有最多 8 個在 160 MHz DDR 下運行的差分對組成，每組 320 MHz 數(shù)據(jù)速率。該像素結(jié)構(gòu)允許卷簾快門運
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AR0331: CMOS 圖像傳感器，3 MP，1/3"

  • 該 3.1 百萬像素傳感器采用安森美半導體的 A-Pix? 技術(shù)，通過全新的 2.2 微米像素傳感器的卓越性能滿足了不斷發(fā)展的、以全高清視頻為中心的監(jiān)控市場的需求。AR0331 具有卓越的圖像質(zhì)量，其目標為 1/3 英寸光學格式監(jiān)控攝像頭主流市場。該傳感器讓監(jiān)控攝像頭制造商能夠?qū)⑿阅苌壍疆斍暗?3 百萬像素傳感器設計，它帶有業(yè)內(nèi)最佳的功能集，將全高清視頻和寬動態(tài)范圍 (WDR) 功能以及內(nèi)置的自適應局部色調(diào)映射相結(jié)合。這種新型傳感器可在 60 fps 的速度下提供高達 1080p 的高清
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CMOS圖像傳感器的尺寸換算你搞懂了嗎？

  • 如今，隨著商家的引導以及消費者的實際需求，手機攝像頭的傳感器越來越大，不少高端機型的CMOS圖像傳感器（CIS）尺寸已接近1英寸。根據(jù)長度換算，1英寸約等于25.4mm，不禁有人會疑惑，一個手機才幾英寸？圖像傳感器有那么大么？是不是商家在虛假宣傳？本期我們就來簡單介紹一下CIS這個1英寸到底是什么？圖像傳感器尺寸是什么？一般來說，CIS的感光區(qū)域為一個較為規(guī)則的長方體，我們說的尺寸是指感光區(qū)域?qū)蔷€的長度，再將其換算為英制單位，也就是英寸。這個方式與我們計算手機尺寸類似，說的尺寸指的都是對角線的長度。但是
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為技術(shù)找到核心 多元化半導體持續(xù)創(chuàng)新

  • 觀察2021年主導半導體產(chǎn)業(yè)的新技術(shù)趨勢，可以從新的半導體技術(shù)來著眼?；旧习雽w技術(shù)可以分為三大類，第一類是獨立電子、計算機和通訊技術(shù)，基礎(chǔ)技術(shù)是CMOS FinFET。在今天，最先進的是5奈米生產(chǎn)制程，其中有些是FinFET 架構(gòu)的變體。這是大規(guī)模導入極紫外光刻技術(shù)，逐步取代多重圖形光刻方法。 圖一 : 半導體的創(chuàng)新必須能轉(zhuǎn)化為成本可承受的產(chǎn)品。我們知道，目前三星、臺積電和英特爾等主要廠商與IBM 合作，正在開發(fā)下一代3/2奈米，在那里我們會看到一種新的突破，因為他們最有可能轉(zhuǎn)向奈米片全環(huán)繞
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中芯國際FinFET工藝已量產(chǎn) 產(chǎn)能1.5萬片

  • 中芯國際聯(lián)席CEO趙海軍透露了公司的先進工藝的情況，表示FinFET工藝已經(jīng)達產(chǎn)，每月1.5萬片，客戶不斷進來。在最近的財報電話會上，中芯國際聯(lián)席CEO趙海軍透露了公司的先進工藝的情況，表示“我們的FinFET工藝已經(jīng)達產(chǎn)，每月1.5萬片，客戶多樣化，不同的產(chǎn)品平臺都導入了。(這部分)產(chǎn)能處于緊俏狀態(tài)，客戶不斷進來。”根據(jù)之前的報道，中芯國際的FinFET工藝有多種類型，其中第一代FinFET工藝是14nm及改進型的12nm，目前1.5萬片產(chǎn)能的主要就是14/12nm工藝，第二代則是n+1、n+2工藝，已
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揭秘3nm/2nm工藝的新一代晶體管結(jié)構(gòu)

  • GAA FET將取代FinFET，但過渡的過程將是困難且昂貴的。
  • 關(guān)鍵字： 3nm FinFET  GAA FET  晶體管  

手機要漲價了？三星CMOS全球缺貨，已漲價40%

  • 對于各大智能手機廠商來說，目前可供選擇的高端手機CMOS圖像傳感器供應商不多，主要是索尼和三星?！　?月14日，有消息稱，英國調(diào)查公司Omdia在最近的報告中指出，三星于去年12月開始，已將CMOS圖像傳感器（CIS）的價格提高了40%。此外，其他其他CIS供應商的價格也提升了20%左右。　　根據(jù)報告顯示，“產(chǎn)能不足”是此次漲價的主要原因！去年下半年，CMOS圖像傳感器就已處于全球大缺貨的狀態(tài)，根據(jù)TechnoSystem Research調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，2019年CMOS影像傳感器年產(chǎn)值159億美元，
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新思科技與GF合作為12LP+FinFET解決方案開發(fā)DesignWare IP產(chǎn)品組合

  • 要點： 用于GF 12LP+解決方案的DesignWare IP核產(chǎn)品組合包括USB4、PCIe 5.0、Die-to-Die HBI和112G USR/XSR、112G Ethernet、DDR5、LPDDR5、MIPI、OTP NVM等 兩家公司之間的長期合作已成功實現(xiàn)了DesignWare IP核從180納米到12納米的開發(fā)，可應用于廣泛領(lǐng)域新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）今日宣布與GLOBALFOUNDRIES?（GF?）開展合作，開發(fā)用于G
  • 關(guān)鍵字： 新思科技  12LP+FinFET  DesignWare IP  

三星發(fā)布四顆0.7μm單像素CMOS 可縮小手機攝像頭凸起

  • 如今智能手機的拍照攝像能力越來越強，不過手機的攝像頭也越做越大，搞得現(xiàn)在許多手機不僅更加厚重，而且攝像頭的凸起部分也越來越多。而這些都與CMOS尺寸變大和單像素面積增大有關(guān)，三星也發(fā)現(xiàn)了這一問題，并于近日推出了四個單像素0.7μm大小的ISOCELL圖像傳感器。這四個CMOS分別為1億800萬像素的HM2、6400萬像素的GW3，4800萬像素的GM5以及3200萬像素的JD1，它們相比0.8μm單像素的CMOS均要縮小15％，并可讓相機模塊的高度減少了10%。由于外形尺寸較小，因此這4顆CMOS可以有效
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貿(mào)澤開售Skyworks Solutions適用于軍事和航電設計的高速光耦合器

  • 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 近日開始備貨Skyworks Solutions的OLI300、OLS300、OLI500和OLS500高速光耦合器。這些光耦合器在輸入端和輸出端之間具有1500VDC電氣隔離，設計用于航空電子、生物醫(yī)學材料、雷達、航天、監(jiān)控系統(tǒng)、儀器儀表和軍事通信等應用。OLI300和OLS300光耦合器適用于將晶體管-晶體管邏輯 (TTL) 連接到低功耗肖特基晶體管-晶體管邏輯 (LSTTL)。這兩款光耦合器還適合用在互
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新一代安全儲存架構(gòu)將提供最佳解決方案

  • 隨著半導體制程不斷發(fā)展，嵌入式系統(tǒng)開發(fā)人員受益良多，但這卻為應用處理器用戶帶來一個難題——用戶需要對其設備及收發(fā)的數(shù)據(jù)進行高度安全保護。因為生產(chǎn)應用處理器所采用的CMOS制程，與儲存啟動碼、應用程序代碼、以及敏感數(shù)據(jù)的非揮發(fā)性芯片內(nèi)建NOR Flash使用的制造技術(shù)之間差異越來越大。雖然當今先進應用處理器大多是采用次10納米的制程，NOR Flash制程卻因技術(shù)上的基本物理特性限制而落后好幾代。如今，浮柵閃存電路仍應用于40納米以上制程所制造的器件。換言之，閃存無法嵌入最先進、最高效能的處理器芯片內(nèi)。因此
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臺積電擴大與索尼 CMOS 圖像傳感器代工合作，規(guī)劃全新產(chǎn)能

  • 據(jù)臺灣媒體報道，臺積電擴大了與索尼 CIS(CMOS 圖像傳感器，CMOS Image Sensor，簡稱 CIS)代工合作。臺積電　　臺積電旗下關(guān)聯(lián)企業(yè)采鈺，以及供應鏈成員將一起吃下索尼 “超級大單”。應索尼后續(xù)需求，采鈺、同欣電進入戰(zhàn)斗狀態(tài)，正擴建 CIS 后段封測、材料及模組組裝產(chǎn)能?！　∨_積電積極規(guī)劃在竹南打造全新的高階 CIS 封裝產(chǎn)能，相關(guān)開發(fā)計劃本月初正式動工興建，預計明年中完工，預計將斥資新臺幣 3000 億元，成為臺積電先進封裝的最大生產(chǎn)據(jù)點，首批進駐即是幫索尼代工的 CIS 封裝產(chǎn)線。
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