英特爾近期于美國檀香山舉行的年度VLSI國際研討會，公布Intel 4制程的技術細節。相較于Intel 7，Intel 4于相同功耗提升20％以上的效能，高效能組件庫（library cell）的密度則是2倍，同時達成兩項關鍵目標：它滿足開發中產品的需求，包括PC客戶端的Meteor Lake，并推進先進技術和制程模塊。
 

英特爾公布Intel 4制程的技術細節。
對于英特爾的4年之路，Intel 4是如何達成這些效能數據？ Intel 4于鰭片間距、接點間距以及低層金屬間距等關鍵尺寸（Critical Dimension），持續朝向微縮的方向前行，并同時導入設計技術偕同優化，縮小單一組件的尺寸。透過FinFET材料與結構上的改良提升效能，Intel 4單一N型半導體或是P型半導體，其鰭片數量從Intel 7高效能組件庫的4片降低至3片。綜合上述技術，使得Intel 4能夠大幅增加邏輯組件密度，并縮減路徑延遲和降低功耗。
Intel 7已導入自對準四重成像技術（Self-Aligned Quad Patterning、SAQP）和主動組件閘極上接點（Contact Over Active Gate、COAG）技術來提升邏輯密度。前者透過單次微影和兩次沉積、蝕刻步驟，將晶圓上的微影圖案縮小4倍，且沒有多次微影層迭對準的問題；后者則是將閘極接點直接設在閘極上方，而非傳統設在閘極的一側，進而提升組件密度。Intel 4更進一步加入網格布線方案（gridded layout scheme），簡單化并規律化電路布線，提升效能同時并改善生產良率。
隨著制程微縮，晶體管上方的金屬導線、接點也隨之縮小；導線的電阻和線路直徑呈現反比，該如何維持導線效能抑是需要克服的壁壘。Intel 4采用新的金屬配方稱之為強化銅（Enhanced Cu），使用銅做為導線、接點的主體，取代Intel 7所使用的鈷，外層再使用鈷、鉭包覆；此配方兼具銅的低電阻特性，并降低自由電子移動時撞擊原子使其移位，進而讓電路失效的電遷移（electromigration）現象，為Intel 3和未來的制程打下基礎。
將光罩圖案成像至晶圓上的最重要改變，可能是在于廣泛的使用EUV來簡化制程。英特爾不僅在現有良好解決方案中的最關鍵層使用EUV，而且在Intel 4的較高互連層中使用EUV，以大幅度減少光罩數量和制程步驟。其降低制程的復雜性，亦同步替未來制程節點建立技術領先地位及設備產能，英特爾將在這些制程更廣泛地使用EUV，更將導入全球第一款量產型高數值孔徑（High-NA）EUV系統。