中芯國際聯席CEO趙海軍透露了公司的先進工藝的情況，表示FinFET工藝已經達產，每月1.5萬片，客戶不斷進來。

在最近的財報電話會上，中芯國際聯席CEO趙海軍透露了公司的先進工藝的情況，表示“我們的FinFET工藝已經達產，每月1.5萬片，客戶多樣化，不同的產品平臺都導入了。(這部分)產能處于緊俏狀態，客戶不斷進來。”根據之前的報道，中芯國際的FinFET工藝有多種類型，其中第一代FinFET工藝是14nm及改進型的12nm，目前1.5萬片產能的主要就是14/12nm工藝，第二代則是n+1、n+2工藝，已經試產，但產能不會有多大。

根據中芯國際聯席CEO梁孟松博此前公布的信息顯示，N＋1工藝和現有的14nm工藝相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。從邏輯面積縮小的數據來看，與7nm工藝相近。梁孟松博士也表示，N＋1代工藝在功耗及穩定性上跟7nm工藝非常相似，但性能要低一些（業界標準是提升35%），所以中芯國際的N＋1工藝主要面向低功耗應用的。而在N＋1之后，中芯國際還會有N＋2，這兩種工藝在功耗上表現差不多，區別在于性能及成本，N＋2顯然是面向高性能的，成本也會增加。