cmos finfet 文章進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區(qū)

三分鐘教你快速選擇機(jī)器視覺傳感器

揭開廢棄紐扣電池的秘密-監(jiān)視便攜式設(shè)備或配套服務(wù)系統(tǒng)中紐扣電池的電壓等級(jí)，對(duì)現(xiàn)代 CMOS 運(yùn)算放大器來說是一項(xiàng)常見的簡(jiǎn)單應(yīng)用。
關(guān)鍵字： CMOS CR2032 德州儀器

所有這些干擾都是從哪里來的？-自從進(jìn)入市場(chǎng)以來，CMOS 單電源放大器就給全球單電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員帶來了極大優(yōu)勢(shì)。影響雙電源放大器總諧波失真 + 噪聲（THD+N）特性的主要因素是輸入噪聲與輸出級(jí)交叉失真。單電源放大器的 THD+N 性能也源自放大器的輸入輸出級(jí)。但是，輸入級(jí)對(duì) THD+N 的影響可讓單電源放大器的這一規(guī)范屬性變得復(fù)雜。
關(guān)鍵字： CMOS 電源放大器 THD

硅光子芯片設(shè)計(jì)突破結(jié)構(gòu)限制瓶頸-當(dāng)今的硅光子芯片必須采用復(fù)雜的制造制程連接光源與芯片，而且也和晶圓級(jí)堆棧密不可分。
關(guān)鍵字：硅光子半導(dǎo)體芯片 CMOS 芯片設(shè)計(jì)

cmos+憶阻器實(shí)現(xiàn)高效分布式處理兼存儲(chǔ)功能的傳感器架構(gòu)-依靠憶阻器執(zhí)行像素級(jí)自適應(yīng)背景提取算法的成像傳感器架構(gòu),與全cmos成像傳感器相比，基于憶阻器的解決方案可取得更小的像素間距和非易失性存儲(chǔ)功能，讓設(shè)計(jì)人員能夠使用可編程時(shí)間常數(shù)建立圖像背景模型。
關(guān)鍵字： cmos 憶阻器傳感器

ccd與cmos的區(qū)別及六大硬件技術(shù)指標(biāo)-CCD 和 CMOS 使用相同的光敏材料，因而受光后產(chǎn)生電子的基本原理相同，但是讀取過程不同：CCD 是在同步信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)的配合下以幀或行的方式轉(zhuǎn)移，整個(gè)電路非常復(fù)雜，讀出速率慢；CMOS 則以類似 DRAM的方式讀出信號(hào)，電路簡(jiǎn)單，讀出速率高。
關(guān)鍵字： ccd cmos 圖像傳感器

圖像傳感器原理及分類-圖像傳感器是各種工業(yè)及監(jiān)控用相機(jī)、便攜式錄放機(jī)、數(shù)碼相機(jī)，掃描儀等的核心部件。目前，這個(gè)快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)現(xiàn)在已經(jīng)延伸到了玩具、手機(jī)、PDA、汽車和生物等領(lǐng)域。
關(guān)鍵字：圖像傳感器 CCD CMOS

詳解先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝之FinFET-FinFET稱為鰭式場(chǎng)效晶體管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管。
關(guān)鍵字： FinFET 半導(dǎo)體工藝

　　隨著臺(tái)積電宣布全世界第一個(gè) 3 奈米制程的建廠計(jì)劃落腳臺(tái)灣南科之后，10 奈米以下個(gè)位數(shù)制程技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)就正式進(jìn)入白熱化的階段。臺(tái)積電的對(duì)手三星 29 日也宣布，將開始導(dǎo)入 11 奈米的 FinFET，預(yù)計(jì)在 2018 年正式投產(chǎn)之外，也宣布將在新一代的 7 奈米制程上全面采用 EUV 極紫外線光刻設(shè)備。　　根據(jù)三星表示，11 奈米 FinFET 制程技術(shù)「11LPP (Low Power Plus)」是現(xiàn)今 14 奈米和 10 奈米制程的融合，一方面采用 10 奈米制程 BEOL (后端制程)，
關(guān)鍵字：三星 FinFET

　　FD SOI技術(shù)在物聯(lián)網(wǎng)蓬勃發(fā)展的大環(huán)境下，以其低功耗、集成射頻和存儲(chǔ)、高性能等優(yōu)勢(shì)獲得業(yè)界各方重視;在以芯原、Globalfoundries(格芯)、三星等為代表的企業(yè)的推動(dòng)下，該產(chǎn)業(yè)鏈正逐步得到完善。此外，在中國(guó)大力發(fā)展集成電路的當(dāng)口，F(xiàn)D-SOI技術(shù)還給中國(guó)企業(yè)帶去更多的發(fā)展空間和機(jī)遇，如何充分利用FD-SOI技術(shù)優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)差異化創(chuàng)新成了眾IC設(shè)計(jì)企業(yè)的探討重點(diǎn)。此外，5G網(wǎng)絡(luò)與物聯(lián)網(wǎng)的不斷進(jìn)化，對(duì)RF技術(shù)革新的強(qiáng)烈需求，對(duì)RF SOI技術(shù)帶來更廣大的市場(chǎng)前景。　　FD SOI生態(tài)系統(tǒng)逐步完
關(guān)鍵字： FinFET 物聯(lián)網(wǎng)

　　格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其為IBM的下一代服務(wù)器系統(tǒng)處理器定制的量產(chǎn)14納米高性能(HP)技術(shù)。這項(xiàng)雙方共同開發(fā)的工藝專為IBM提供所需的超高性能和數(shù)據(jù)處理能力，從而在大數(shù)據(jù)和認(rèn)知計(jì)算的時(shí)代為IBM的云、商業(yè)和企業(yè)解決方案提供支持。IBM在9月13日宣布推出IBM Z產(chǎn)品。　　14HP是業(yè)內(nèi)唯一將三維FinFET晶體管架構(gòu)結(jié)合在SOI襯底上的技術(shù)。該技術(shù)采用了17層金屬層結(jié)構(gòu)，每個(gè)芯片上有80多億個(gè)晶體管，通過嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)以及其它創(chuàng)新功能，達(dá)到比前代
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　　格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布計(jì)劃推出全新12納米領(lǐng)先性能(12LP)的FinFET半導(dǎo)體制造工藝。該技術(shù)預(yù)計(jì)將提高當(dāng)前代14納米 FinFET產(chǎn)品的密度和性能，同時(shí)滿足從人工智能、虛擬現(xiàn)實(shí)到高端智能手機(jī)、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等最具計(jì)算密集型處理需求的應(yīng)用。　　這項(xiàng)全新的12LP技術(shù)與當(dāng)前市場(chǎng)上的16 /14納米 FinFET解決方案相比，電路密度提高了15%，性能提升超過10%。這表明12LP完全可與其它晶圓廠的12納米 FinFET產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)。這項(xiàng)技術(shù)
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本文主要對(duì)電路設(shè)計(jì)常用接口類型進(jìn)行了簡(jiǎn)要說明，下面一起來學(xué)習(xí)一下：　　(1)TTL電平接口：　　這個(gè)接口類型基本是老生常談的吧，從上大學(xué)學(xué)習(xí)模擬電路、數(shù)字電路開始，對(duì)于一般的電路設(shè)計(jì)，TTL電平接口基本就脫不了“干系”!它的速度一般限制在30MHz以內(nèi)，這是由于BJT的輸入端存在幾個(gè)pF的輸入電容的緣故(構(gòu)成一個(gè)LPF)，輸入信號(hào)超過一定頻率的話，信號(hào)就將“丟失”。它的驅(qū)動(dòng)能力一般最大為幾十個(gè)毫安。正常工作的信號(hào)電壓一般較高，要是把它和信號(hào)電壓較低的ECL電路接近時(shí)會(huì)產(chǎn)生比較明顯的串?dāng)_問題。
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