- 在技術飛速發展的今天，新興的航空電子、關鍵基礎設施和汽車應用正在重新定義人們對現場可編程門陣列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠閃存來存儲配置位流。這種方法適用于許多主流FPGA配置應用；然而，隨著技術的進步以及對更高可靠性和性能的需求增加，人們需要更多樣化的配置存儲選項。這種轉變的催化劑在于應用和行業的不同需求，它們目前正不斷突破FPGA應用的極限，要求在數據完整性、系統耐用性和運行效率等方面更進一步。現代應用需要更先進的功能1.更高的耐用性和可靠性：高級駕駛輔助系統和先進的互連航空電子技術等應用
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閃存 MRAM FPGA 萊迪思
- 不只是 imec，當下諸多研究機構紛紛表示，看好 MRAM。
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MRAM
- 大阪大學的研究人員介紹了一項創新技術，可以降低現代存儲設備的功耗。
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磁阻RAM MRAM
- 自鎧俠官網獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項創新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會（IEDM）上發表。聲明中稱，鎧俠旨在不斷創新以滿足未來計算和存儲系統的需求。此次發布包括以下三大創新技術：氧化物半導體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術由鎧俠聯合南亞科技共同開發，通過改進制造工藝，開發出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領域具有廣闊的應用前景。高容量交叉點MRAM（磁阻隨機存取存儲器
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鎧俠 存儲技術 DRAM MRAM 3D堆疊
- Source:Getty/kaptnal專注于磁阻隨機存取存儲器（MRAM）解決方案的美國企業Everspin Technologies日前宣布將與Lucid Motors合作，在Lucid即將推出的Gravity電動運動型多用途車中使用其PERSYST MRAM產品。Everspin旗下PERSYST產品線中的一款256Kb串行MRAM產品——MR25H256A，將被集成至Lucid的Gravity SUV車型中。Lucid之所以選擇Everspin的MR25H256A MRAM型號，是因為它能夠在較寬
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Everspin Lucid Motors MRAM Gravity SUV車型
- 1956 年，IBM 推出世界上第一個硬盤驅動器——RAMAC 305，可以存儲 5MB 的數據，傳輸速度為 10K/s。雖然這款硬盤體積巨大如同兩臺冰箱，重量超過一噸，但是卻標志著磁盤存儲時代的開始。此后，隨著科技的進步，內存技術逐漸發展。動態隨機存取存儲器（DRAM），具有較快的讀寫速度，能夠滿足計算機系統在運行過程中對數據的快速存取需求。固態硬盤（SSD）以其高速的讀寫性能、低功耗和抗震動等優點，逐漸取代傳統磁盤成為主流存儲設備之一。存儲技術仍舊在持續發展，近年來新型存儲技術如雨后春筍般涌現，諸如相
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磁變存儲器 MRAM
- 最新一代人工智能或將開啟新一輪科技革命，全面提升各種人機交互體驗。人工智能日益融入人們的日常生活，在方方面面帶來深刻變化。基于人工智能的文本和圖像生成工具可以創建出令人難以置信的內容。不僅如此，人工智能的觸角已從視覺和文字媒介，伸向語音轉文字（STT）和自然語言處理（NLP）等音頻應用，展現出巨大潛力。然而，音頻應用質量大幅提高是否僅僅歸功于最新一代基于大語言模型的生成式人工智能？還是說硬件依然功不可沒？就拿高信噪比（SNR）微機電系統（MEMS）麥克風來說，它為實現這種必將改變人們日常生活的新質人機交互
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NLP STT SNR MEMS 麥克風
- 臺積電利用其自身先進的制程優勢，正在積極推動新型存儲產業的發展。
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MRAM
- M 是一種非易失性存儲技術，通過磁致電阻的變化來表示二進制中的 0 和 1，從而實現數據的存儲。由于產品本身具備非易失性，讓其在斷電情況下依然可以保留數據信息，并擁有不遜色于 DRAM 內存的容量密度和使用壽命，平均能耗也遠低于 DRAM。被大廠看好的未來之星，非它莫屬。三星：新里程碑目前三星仍然是全球專利第一，2002 年三星宣布研發 MRAM，2005 年三星率先研究 STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對 MRAM 的研發一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的 MRAM 研發逐漸走向低調。20
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MRAM
- 多年來，各大廠商多年來孜孜不倦地追求閃存更高層數和內存更先進制程。現代社會已經進入大數據、物聯網時代——一方面，數據呈爆炸式增長，芯片就必須需要具備巨大的計算能力 ；另一方面，依據傳統摩爾定律微縮的半導體技術所面臨的挑戰越來越大、需要的成本越來越高、實現的性能提高也趨于放緩。應用材料公司金屬沉積產品事業部全球產品經理周春明博士說：「DRAM、SRAM、NAND 這些傳統的存儲器，已經有幾十年歷史了，它們還在一直在向前發展，不斷更新換代，尺寸越來越小，成本越來越低，性能越來越強。」但是已經開始出現無法超越的
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MRAM ReRAM PCRAM
- 據外媒報道，三星電子即將在國際電子器件會議（IEDM）上報告其在新一代非易失性存儲器件領域的最新研究進展。會議接收的資料顯示，三星研究人員在14nm FinFET邏輯工藝平臺上實現了磁性隧道結堆疊的磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)制造，據稱是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存儲器。該團隊采用三星28nm嵌入式MRAM，并將磁性隧道結擴展到14nm FinFET邏輯工藝。三星研究人員將在12月召開的國際電子器件會議上就此進行報告。論文中提到，該團隊生產了一個獨立的存儲器，其寫入能量要求為每比特25pJ
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功耗 三星 MRAM
- 近年來，半導體先進制程微縮趨勢帶動下，加上AI人工智能、5G與AIoT等科技加速推進，3C設備、智慧家電、智慧汽車、智能城市到國防航天等領域都可以應用大量芯片記錄海量數據。內存是所有微控制器嵌入式系統的主要組件，閃存（Flash）儲存技術早已成為工控設備的主流配備。近年來，半導體先進制程微縮趨勢帶動下，加上AI人工智能、5G與AIoT等科技加速推進，3C設備、智慧家電、智慧汽車、智能城市到國防航天等領域都可以應用大量芯片記錄海量數據。新一代嵌入式內存具有小體積、大容量、高效能等特性，可以滿足龐大運算需求，
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工業儲存 MRAM
- 在如此龐大的資料儲存、傳輸需求下，在DRAM、SRAM以及NAND Flash等傳統記憶體已逐漸無法負荷，且再加上傳統記憶體的制程微縮愈加困難的情況之下，驅使半導體產業轉向發展更高儲存效能、更低成本同時又可以朝制程微縮邁進的新興記憶體。
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存儲技術 MRAM RRAM PCRAM
- 全球電子元器件與開發服務分銷商 e絡盟 新近發布名為《AIoT時代——AIoT發展背景、功能與未來》的電子書，旨在為專業工程師、創客和電子愛好者提供人工智能相關專業知識，助力他們更加順利地進行人工智能應用開發并開拓出更多新型市場應用。本冊電子書匯集了人工智能詳細路線圖和類別，闡釋了人工智能、機器學習（ML）和深度學習（DL）之間的關系，并詳細介紹了神經網絡相關技術。書中還向讀者推薦了數款適用于首次進行人工智能物聯網方案開發的優質平臺。人工智能和物聯網將徹底改變人類的工作方式。目前，人工
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TTS STT AIoT CNN RNN GAN
- 全球各半導體大廠如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競相投入磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)，準備在后摩爾定律世代一較高下。臺灣清華大學研究團隊最新發表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉，研究成果已于今年2月19日刊登于材料領域頂尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)。 MRAM為非揮發性存儲器技術，斷電時利用納米磁鐵所存儲的數據不會流失，是“不失憶”的存儲器。其結構如三明治，上層是自由翻轉的鐵磁層，可快速處理數據，底層則是釘鎖住的鐵磁層，可用作存儲數據，兩層中則有氧化層隔開。 其
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