市場研究機構CoughlinAssociates的最新報告預測，磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)──包含磁場感應(field-induced)以及自旋力矩轉移(spin-torquetransition，STT)等形式──將在未來因為取代DRAM與SRAM而繁榮發展。
CoughlinAssociates的報告指出，因為具備省電與非揮發特性，MRAM/STTMRAM市場營收規模可望由2013年的1.9億美元左右，到2019年成長至21億美元;期間的復合年平均成長率(CAGR)估計為50%。
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MRAM CMOS
本文對目前幾種比較有競爭力和發展潛力的新型非易失性存儲器做了一個簡單的介紹。鐵電存儲器(FeRAM)鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內容的非易失存儲器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優點。 當前應用于存儲
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FeRAM MRAM OUM 非易失性存儲器
專門授權自旋電子(spintronics)磁阻隨機存取內存(MRAM)技術的自旋電子組件開發商NVR公司表示，該公司已于美國聯邦法院對 MRAM 供貨商Everspin Technologies提出侵權訴訟，以捍衛其自旋電子 MRAM 專利技術。
NVE公司指出，在美國明尼蘇達州地方法院提起的這項訴訟案指控Everspin侵犯了NVE公司的三項 MRAM 專利。根據NVE公司表示，該侵權訴訟將尋求法院的禁制令，以迫使Everspin公司停止繼續使用該技術，并針對其侵權行為造成的NVE財務損失進行
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NVE 內存 MRAM
法國研究機構SPINTEC與開發MRAM技術的Crocus Technology共同開發出了將熱輔助切換(Thermally Assisted Switching：TAS)用于垂直磁化方式MTJ元件的STT-MRAM技術。并在2011年10月31日于美國亞利桑那(Arizona)州斯科茨戴爾(Scottsdale)開幕的磁技術國際會議“56th MMM”的首日進行了發布。
TAS技術是一項邊用加熱器對MTJ元件存儲層進行加熱，邊寫入數據的技術。對存儲層進行加熱后，矯頑力會
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MRAM 20nm
韓國Hynix與日本東芝公司近日宣布兩家公司將共同開發STT-MRAM(spin-transfer torque magnetoresistence RAM:自旋轉移矩磁阻RAM)技術,兩家公司均認為這項技術是非常重要的下一代非易失性存儲技術之一。一旦有關的技術研發完成之后，兩家公司計劃成立一 家專門生產STT-MRAM的芯片制造公司。另外，作為這次合作戰略的其它部分，兩家公司還將擴大專利交叉授權的范圍。
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Hynix STT-MRAM
磁性隨機存儲器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)產品的領導廠商Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM， 進一步強化了該公司在MRAM領域的領導地位。現在，所有需要無電數據保持以及SRAM性能的應用都可使用具有非揮發性、高性能、以及高可靠性優勢的MRAM技術。
Everspin科技公司首席運營官Saied Tehrani表示：“Everspin將持續快速擴展MRAM產品組合，以協助更多客戶實現產品差異化的目標。根據產品發展藍圖，我們將不斷提高MR
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Everspin MRAM
根據韓聯社(Yonhap)報導，韓國政府宣布，已與半導體廠三星電子(Samsung Electronics)以及海力士(Hynix)共同合作，進行磁性隨機存儲器(Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory;MRAM)的研發專案，以維持韓國在半導體產業的領先地位。
韓國知識經濟部半導體與面板部門首長 Park Tae-sung表示，一旦STT-MRAM研發完成，韓國于2015年將可掌握大約45%的30奈米制程存儲器芯片市場，并預估該市場于2
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Samsung 芯片制造 MRAM
去年，一場嚴重的“價格寒流”席卷了整個存儲芯片領域，存儲芯片市場亦受到了前所未有的沖擊。業界巨頭三星電子2007年第四季度財務報告顯示，由于計算機存儲芯片的平均銷售價格迅速下滑，該公司的利潤下降了6.6%。DRAM生產商爾必達(Elpida)也宣布其銷售額下滑了34%，并且第三財季凈虧損達1.132億美元。臺灣地區廠商茂德科技也因存儲芯片價格下跌和供過于求而宣布虧損。
存儲芯片市場陰霾的表現，迫使許多廠商削減生產或推遲了Fab的投產計劃。美光(Micron)近期就宣布，將
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三星 DRAM 存儲芯片 MRAM PRAM
磁阻式隨機存儲器（MRAM）將優于快閃記憶體（Flash閃存）？飛思卡爾半導體正試圖證明這一點。
根據消息，飛思卡爾半導體（前摩托羅拉公司芯片部門）周一宣布，它已經獲得了幾個風險投資公司的加入。據悉他們將聯合成立一家命名為Everspin科技的獨立技術公司，側重于研發制造MRAM（磁阻式隨機存儲器），其目的是為了“擴大MRAM及其相關產品的市場份額”。
MRAM與快閃記憶體不同，它使用了磁性材料與常規硅電路相結合記錄方式，在性能上MRAM具有接近SRAM的高
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MRAM 快閃記憶體 Flash DRAM Everspin
相變內存(Phase Change Memory，PCM)是近年來內存業界熱門研發主題之一，針對此一新式內存技術發展趨勢與廠商專利現況，工研院IEK-ITIS計劃發表最新研究報告指出，臺灣地區已有不少廠商投入該技術的研發，相較于FeRAM與MRAM，在PCM領域發展機會較大。 工研院IEK-ITIS計劃分析師陳俊儒表示，相變化材料在1970年代開始有重量級的公司投入研究資源，但受限于當時半導體工藝技術，相變化材料在2000年以前的商業應用還是以光盤片為主
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Freescale所提供的MRAM替代性方案在Freescale的器件中，自由的和固定的磁體層并不是單純的鐵磁板。相反，它們是合成的反鐵磁體(synthetic antiferromagnet，SAF)三明治結構，由兩個反向對準的鐵磁材料層以及兩層材料之間所夾的一層非磁性材料耦合隔層而組成。圖2示出了一個SAF位單元。SAF三明治結構產生磁致電阻效應的能力并不會因為它的混合式結構而受到影響。對準和反對準只取決于MTJ結構兩側相對的兩層材料。將兩層板材組成SAF，就可以讓每層板變成“磁矩平衡”—凈外磁場為零
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摘要： Freescale運用自旋電子技術制作了新的非易失性RAM，本文對此進行了詳細介紹。關鍵詞： MRAM；自旋電子；位線；字線
在半導體業界，微處理器是一種更有魅力，利潤更高，而且更難以設計的產品，而內存芯片在推動半導體技術向前發展的過程中則會起到關鍵性的作用。Intel早期的成功，來源于其1970年推出的、當時業界第一款DRAM芯片，1kb的1103。兩年后，1103成為業界銷售情況最好的內存芯片，在很多新的系統設計中取代了磁芯存儲器。DRAM在過去的歲月中成為半導體技術發展
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