最新一代人工智能或將開啟新一輪科技革命，全面提升各種人機交互體驗。人工智能日益融入人們的日常生活，在方方面面帶來深刻變化。基于人工智能的文本和圖像生成工具可以創建出令人難以置信的內容。不僅如此，人工智能的觸角已從視覺和文字媒介，伸向語音轉文字（STT）和自然語言處理（NLP）等音頻應用，展現出巨大潛力。然而，音頻應用質量大幅提高是否僅僅歸功于最新一代基于大語言模型的生成式人工智能？還是說硬件依然功不可沒？就拿高信噪比（SNR）微機電系統（MEMS）麥克風來說，它為實現這種必將改變人們日常生活的新質人機交互
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NLP STT SNR MEMS 麥克風
全球電子元器件與開發服務分銷商 e絡盟 新近發布名為《AIoT時代——AIoT發展背景、功能與未來》的電子書，旨在為專業工程師、創客和電子愛好者提供人工智能相關專業知識，助力他們更加順利地進行人工智能應用開發并開拓出更多新型市場應用。本冊電子書匯集了人工智能詳細路線圖和類別，闡釋了人工智能、機器學習（ML）和深度學習（DL）之間的關系，并詳細介紹了神經網絡相關技術。書中還向讀者推薦了數款適用于首次進行人工智能物聯網方案開發的優質平臺。人工智能和物聯網將徹底改變人類的工作方式。目前，人工
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半導體產業正在迎來下一代存儲器技術的新紀元，幾大主要變化趨勢正在成形。這其中包括磁性隨機存儲器 (MRAM) 的出現。我將在幾篇相關文章中介紹推動MRAM 得以采用的背景，重點說明初始階段面臨的一些挑戰，并探討實現 STT MRAM 商業可行性的進展。 應用材料公司為實現 STT MRAM 的制造提供了多項重要創新，包括基于Endura? 平臺上的PVD創新以及特別的蝕刻技術。利用這些新技術并借助梅丹技術中心的設施來加工并測試器件陣列，我們驗證了 STT MRAM 的性能和可擴展性。 如今，除了邏
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STT MRAM
MRAM市場可能會在明年開始變得越來越“擁擠”──開發OST-MRAM (Orthogonal Spin Transfer MRAM)技術的美國業者Spin Transfer Technologies (STT)日前宣布在自家研發晶圓廠制作出僅20奈米的垂直MRAM磁穿隧接面(perpendicular magnetic tunnel junction，pMTJ)，其目標是在明年第一季開始提供其MRAM樣品，并在2018年讓產品正式上市。
STT執行長Barry Hobe
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東芝(Toshiba)與SK海力士(SK Hynix)宣布將共同開發下一代半導體制程技術，同時東芝也撤銷對SK海力士提出的1.1兆韓元(約9.1億美元)損害賠償訴訟。兩企業決定集中火力爭取半導體產業未來主導權，取代相互耗損的專利訴訟。
據ET News報導，東芝與SK海力士曾維持很長時間的合作關系。2007年締結專利授權合約，并自2011年開始共同開發下一代記憶體STT-MRAM。2014年3月因記憶體半導體技術外流，東芝向SK海力士提出告訴，要求1.1兆韓元規模的民事賠償，雙方關系因此破裂。
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東芝 SK海力士 STT-MRAM
韓國Hynix與日本東芝公司近日宣布兩家公司將共同開發STT-MRAM(spin-transfer torque magnetoresistence RAM:自旋轉移矩磁阻RAM)技術,兩家公司均認為這項技術是非常重要的下一代非易失性存儲技術之一。一旦有關的技術研發完成之后，兩家公司計劃成立一 家專門生產STT-MRAM的芯片制造公司。另外，作為這次合作戰略的其它部分，兩家公司還將擴大專利交叉授權的范圍。
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Hynix STT-MRAM
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