臺灣磁性技術協會邀請產學人士，11月19日于工研院舉辦自旋電子專題論壇，針對該主題介紹市場與技術概況。產業界與學術界人士交流該項技術的看法，對于磁性存儲器(MRAM)的市場前景樂觀，并認為臺灣產官學研有迫切攜手推動的必要性。
在市場發展方面，Digitimes研究中心主任黃逸平指出，至2030年存儲器與儲存市場會由非揮發性存儲器所主宰，在低耗電市場上，包括L1 Cache在內，嵌入式存儲器可望為embedded MRAM一統，而在重運算市場上，MRAM可望拿下L1~L4 Cache、主存儲器以及
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MRAM
磁性隨機存取存儲器(MRAM)是一種非易失性存儲器技術，正在作為一種主流的數據存儲技術被業界所廣泛接受。它集成了一個磁阻器件和一個硅基選擇矩陣。MRAM的關鍵屬性有非易失性、低電壓工作、無限次讀寫的耐用性、快速
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隨機存取 邏輯單元 MRAM
存儲器是當今每一個計算機系統、存儲方案和移動設備都使用的關鍵部件之一。存儲器的性能、可擴展性，可靠性和成本是決定推向市場的每個系統產品經濟上成功或失敗的主要標準。目前，幾乎所有產品都使用一種或組合使用
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MRAM 存儲器
MRAM市場可能會在明年開始變得越來越“擁擠”──開發OST-MRAM (Orthogonal Spin Transfer MRAM)技術的美國業者Spin Transfer Technologies (STT)日前宣布在自家研發晶圓廠制作出僅20奈米的垂直MRAM磁穿隧接面(perpendicular magnetic tunnel junction，pMTJ)，其目標是在明年第一季開始提供其MRAM樣品，并在2018年讓產品正式上市。
STT執行長Barry Hobe
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STT MRAM
三星電子(SamsungElectronics)與IBM攜手研發出11納米制程的次世代存儲器自旋傳輸(SpinTransferTorque)磁性存儲器(STT-MRAM)。兩家公司也表示，預計在3年內展開MRAM量產，也引起了業界高度的注目。
韓媒指出，STT-MRAM是可望取代傳統DRAM、SRAM的新世代存儲器技術。與目前的NANDFlash相比，寫入速度快上10萬倍，而讀取速度則是快上接近10倍。由于STT-MRAM只要透過少量電力就可以驅動的非揮發性存儲器，不使用時也完全不需要電力。
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三星 MRAM
SamsungFoundry準備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)選項。
三星晶圓代工業務(SamsungFoundry)準備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM(spintorquetransfermagneticRAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)選項。
SamsungFoundry行銷暨業務開發負責人KelvinLow在接受EETimes歐洲版訪問時表示，該公司的技術藍圖顯示，28
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存儲器 MRAM
據海外媒體報道，DRAM 發展快到盡頭，磁性存儲器(MRAM)和相變存儲器(PRAM)是最有潛力的接班人?IBM 和三星電子最近宣稱，“自旋傳輸磁性存儲器(STT-MRAM)”的研究出現突破，有望加速走上商用之途。
韓媒 BusinessKorea 11 日報導，IBM 和三星在電機電子工程師學會(IEEE)發布研究論文宣稱，兩家公司攜手研發的 STT-MRAM 的生產技術，成功實現 10 納秒(nanosecond)的傳輸速度和超省電架構，理論上表現超越 DRAM。
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IBM MRAM
在28nm晶片制程節點的嵌入式非揮發性記憶體競賽上，自旋力矩轉移磁阻式隨機存取記憶體(STT-MRAM)正居于領先的位置。
比利時研究機構IMEC記憶體部門總監Arnaud Furnemont指出，雖然電阻式隨機存取記憶體(ReRAM)和相變記憶體(PCM)等其他類型的記憶器也都有其支持者，但這些記憶體都存在著微縮的問題，而難以因應28nm CMOS制程的要求。
28nm平面CMOS節點可望具有更長的壽命，以因應更多的“超越摩爾定律”(More-than-Moore
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MRAM CMOS
日本東北大學2016年3月21日宣布，開發成功了可超高速動作的新型磁存儲器(MRAM：Magnetic Random Access Memory)的基礎元件，并實際驗證了動作。該元件可兼顧迄今MRAM元件難以實現的小電流動作和高速動作。
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三種自旋軌道力矩磁化反轉元件構造。(a)與(b)為以前的構造，(c)為此次開發的構造(該圖摘自東北大學的發布資料) (點擊放大)
PC及智能手機使用的SRAM及DRAM等半導體存儲器，因構成元件的微細化，性能獲得了提高，但隨著微
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MRAM
記憶體產業中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態隨機存取記憶體(SRAM)的快速、快閃記憶體的高密度以及如同唯讀記憶體(ROM)般低成本等各種優勢的非揮發性記憶體。如今，透過磁阻隨機存取記憶體(MRAM)，可望解決開發這種“萬能”記憶體(可取代各種記憶體)的問題
遺憾的是，實際讓非揮發性MRAM的速度更快、密度更高且更便宜(MRAM制造商的承諾)的最佳化步驟，似乎總是還得再等三年之久。如今，荷蘭愛因霍芬科技大學(Eindhoven University of Technolo
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MRAM 存儲器
不同存儲器都有其各自的優勢和缺點，由消費類產品驅動的存儲器市場在呼喚性能更優存儲器技術，當然也要價格便宜。
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MRAM SRAM
DRAM和NAND Flash微縮制程逼近極限，業界認為次世代記憶體“磁電阻式隨機存取記憶體”(MRAM)、“可變電阻式記憶體”(ReRAM)可能即將現身，要以更快的存取速度橫掃市場。
韓媒BusinessKorea 16日報導，南韓半導體業者指出，16奈米將是DRAM微縮制程的最后極限，10奈米以下制程需要縮小電晶體體積，但是薄膜厚度卻無法縮減，也可能不適合采用高介電常數(High-K)材料和電極。MRAM和ReRAM
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DRAM MRAM
東芝(Toshiba)與SK海力士(SK Hynix)宣布將共同開發下一代半導體制程技術，同時東芝也撤銷對SK海力士提出的1.1兆韓元(約9.1億美元)損害賠償訴訟。兩企業決定集中火力爭取半導體產業未來主導權，取代相互耗損的專利訴訟。
據ET News報導，東芝與SK海力士曾維持很長時間的合作關系。2007年締結專利授權合約，并自2011年開始共同開發下一代記憶體STT-MRAM。2014年3月因記憶體半導體技術外流，東芝向SK海力士提出告訴，要求1.1兆韓元規模的民事賠償，雙方關系因此破裂。
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東芝 SK海力士 STT-MRAM
近日，日本TDK首次展示了新型存儲技術MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機訪問內存，已經存在一段時間了，但是TDK將其帶到了一個新的高度。它以磁荷為數據存儲介質，而它的名字來自自旋傳輸矩，也即是寫入數據的時候利用電子角動量來改變磁場。
MRAM技術的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM，當同時又是非易失性的，也就是可以斷電保存數據，等于綜合了RAM、Flash的優點。
TDK多年來一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片
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閃存 MRAM
MRAM以磁荷為數據存儲介質，而它的名字來自自旋傳輸矩，也即是寫入數據的時候利用電子角動量來改變磁場。MRAM是以取代Flash為使命的。目前TDK已經推出這種存儲技術的原型。
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