多年來，各大廠商多年來孜孜不倦地追求閃存更高層數和內存更先進制程。現代社會已經進入大數據、物聯網時代——一方面，數據呈爆炸式增長，芯片就必須需要具備巨大的計算能力 ；另一方面，依據傳統摩爾定律微縮的半導體技術所面臨的挑戰越來越大、需要的成本越來越高、實現的性能提高也趨于放緩。應用材料公司金屬沉積產品事業部全球產品經理周春明博士說：「DRAM、SRAM、NAND 這些傳統的存儲器，已經有幾十年歷史了，它們還在一直在向前發展，不斷更新換代，尺寸越來越小，成本越來越低，性能越來越強。」但是已經開始出現無法超越的
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在如此龐大的資料儲存、傳輸需求下，在DRAM、SRAM以及NAND Flash等傳統記憶體已逐漸無法負荷，且再加上傳統記憶體的制程微縮愈加困難的情況之下，驅使半導體產業轉向發展更高儲存效能、更低成本同時又可以朝制程微縮邁進的新興記憶體。
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“非易失性存儲器”作為新一代國際公認存儲技術，越來越受到世界各國高度重視。從7日在滬召開的第十一屆非易失性存儲器國際研討會上獲悉，上海在這一領域的研究已躋身國際先進水平。
與易失性存儲器相比，非易失性存儲器具有高速、高密度、可微縮、低功耗、抗輻射、斷電后仍然能夠保持數據等諸多優點。隨著技術發展，非易失性存儲器分為相變存儲器、磁性存儲器、電阻式存儲器、鐵電存儲器等諸多類型。
中國科學院上海微系統所、中芯國際、micro-chip是產學研結合的團隊，一直致力于研究我國自
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固態硬盤產業雖然風生水起，但受限于各種因素，短期內還無法取代機械硬盤，而最新研究給出的結論是固態硬盤將永無出頭之日。《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發表了卡內基梅隆大學教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲技術，看它們到2020年的時候能否在單位容量成本上超越機械硬盤，結果選出了兩個最有希望的候選 者：相變隨機存取存儲(PCRAM)、自旋極化隨機存取存儲(STTRAM)。
PCRAM我們偶爾
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pcram介紹
稱為相變存儲器：
相變存儲器利用硫族化合物在晶態和非晶態巨大的導電性差異來存儲數據的。
初次聽到"相變"這個詞,很多讀者朋友會感到比較陌生.其實,相(phase)是物理化學上的一個概念,它指的是物體的化學性質完全相同,但是物理性質發生變化的不同狀態.例如水有三種不同的狀態,水蒸氣(汽相)，液態水（液相）以及固態水（固相）。物質從一種相變成另外一種相的過程叫做‘相變’例如水從液態轉 [
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