a一级爱做片免费观看欧美,久久国产一区二区,日本一二三区免费,久草视频手机在线观看

新聞中心

EEPW首頁(yè) > EDA/PCB > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 臺(tái)積電18英寸晶圓2012年內(nèi)開(kāi)始試生產(chǎn)

臺(tái)積電18英寸晶圓2012年內(nèi)開(kāi)始試生產(chǎn)

作者: 時(shí)間:2009-10-09 來(lái)源:digitimes 收藏

  公司近日表示,盡管很少有半導(dǎo)體公司有較快推出18英寸制造技術(shù)的計(jì)劃,但他們?cè)ǖ?012年內(nèi)開(kāi)始基于18英寸(450mm)的試生產(chǎn) 的計(jì)劃將如期進(jìn)行。目前正和設(shè)備及材料制造商積極合作,努力推進(jìn)18英寸制造技術(shù)的實(shí)用化。另?yè)?jù)內(nèi)部人士透露,這項(xiàng)技術(shù)的試制期有望提前到2010年。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/98657.htm

  盡管目前其制程工藝的良率飽受質(zhì)疑,但按早先的報(bào)道,將于明年第一季度開(kāi)始轉(zhuǎn)向28nm制程技術(shù)。



關(guān)鍵詞: 臺(tái)積電 40nm 晶圓

評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉