SEMI World Fab Forecast最新出爐報告，2009年前段半導體業者設備支出下滑，其中第1季的資本支出便較2008年第4季下滑26%至32億美元。然而，資本支出在2009年第2季便已呈現落底，目前在整個產業供應鏈也已經看到穩定回升的訊號，其中晶圓代工廠2009年下半年扮演資本支出復蘇推手，存儲器晶圓廠、后段封測則跟進。

　　晶圓代工廠臺積電宣布，增加2009年資本支出回復到2008年19億美元的水平，比起原本的預測提高了26%左右。隨后，臺積電第2季的投資法人說明會上，臺積電又進一步提高了2009年資本支出到23億美元，甚至超越了2008年的金額。此大額的投資金額主要將用于擴充40、45奈米及更先進的制程技術產能。

　　時序進入2009年第3季，亞太區領先的晶圓代工都已經在第2季的營收及產能利用率方面回升反彈，預估第3季營運皆將較第2季持續成長。例如，新加坡特許半導體(Chartered)在2009年看到65奈米制程技術的強勁需求，決定提高資本支出幅度33%達到5億美元，主要進行12寸廠Fab 7的產能擴充。另外一方面，聯電也受到先進制程回溫需求刺激，資本支出也從低于4億美元提高到5億美元。

　　而在存儲器產業方面，其資本支出仍被視為2010年半導體設備商的主要成長動力。經過2年來的節縮成本之后，近期存儲器晶圓廠首次呈現資本支出復蘇的跡象。受惠于DRAM與Nand Flash業者控制供給的成效，2009年第1季已經可以見到記憶憶產品價格趨于穩定。

　　韓國的三星電子(Samsung Electronics)與海力士(Hynix)已經先后宣布提高2009年下半資本支出。由于存儲器產品價格穩步趨堅，以及主要的PC OEM業者需求改善，這2家存儲器龍頭紛紛繼續推進其制程技術的進程，以期能維持成長的動力與滿足市場的需求。例如三星打算提高半導體事業部門的資本支出以求保持其在產業內的領先地位;海力士也表示，下半年會提高DRAM與NAND Flash的資本支出金額，預期2009年底完成44奈米DRAM與32奈米Nand Flash產能建置;臺灣DRAM晶圓廠主要的投資約會落在2010年。

　　后段封裝測試方面，在第2季時候受到上游晶圓代工廠強勁需求的影響，產能利用率皆已明顯提升。臺灣主要的封裝測試業者由于受到先進制程與特定應用的強勁需求，也提升其資本支出規畫，主要是在后段晶圓凸塊(wafer bumping)與晶圓級封裝(WLCSP)。在第1季所有的業者都承受極大的沖擊，但是第2季從上游的晶圓代工端開始感受到復蘇，預期進入下半年第3季起將可見更明顯的健康成長信號，SEMI則是對2010年產業前景抱持謹慎樂觀的態度。