DRAM廠40納米開戰 50納米恐曇花一現
臺系DRAM廠身陷財務泥淖且制程停留在70納米制程,然國際大廠卻提前引爆40納米制程大戰!三星電子(Samsung Electronics)40納米制程產品已開始送樣,美光(Micron)產品亦趨近成熟,2010年將加入戰局,爾必達(Elpida)這次雖沒趕上50納米世代,差點出現世代交替斷層危機,公司內部已研擬2010年將略過50納米世代,直接跳到40納米,50納米恐成短命制程,未來真正決戰點會是40納米制程技術。
本文引用地址:http://www.j9360.com/article/97009.htm三星、海力士(Hynix)、美光等DRAM大廠2009年紛轉進50納米制程,且進入量產出貨階段,然臺廠技術卻仍停留在70納米制程,甚至身陷生存危機,然更危急之處在于國際大廠現在都開始布局40納米制程,2010年40納米大戰確定提前引爆,50納米技術恐成短命的過渡制程。
DRAM廠表示,三星不僅維持50納米制程世代領先地位,更積極研發40納米產品,且已進入成熟階段,開始送樣給客戶進行驗證,初期會從6F2技術切入,完全不用更新機器設備,每片晶圓產出可增加20%,相當具成本競爭力,待良率成熟后,再進入高階4F2技術,40納米制程將是三星重點布局的秘密武器。
美光40納米制程已進入成熟階段,預計于2010年進入量產,美光是全球第1家導入6F2技術的DRAM廠,在0.11微米制程世代就開始導入,根據美光內部藍圖規畫,待40納米6F2技術成熟后,亦將緊接著導入4F2技術。
臺廠方面,南亞科和華亞科預計2009年下半開始導入50納米制程,目標2010年底全數產能轉進50納米,且產品線全規劃為DDR3,由于轉進40納米所需要機臺、銅制程技術等,南亞科和華亞科在規劃50納米制程時,都已配備齊全,因此,后續切入40納米速度相當快,初期先規劃6F2技術,再轉進4F2技術,將是唯一有能力同時加入50和40納米戰局的臺DRAM廠。
至于爾必達在這次50納米制程大戰,由于金融風暴襲擊,新制程出現斷層危機,只能停留在65納米制程,短期因應對策是研發省錢的制程技術,業界暫稱為60納米制程技術,在不需要購買新機臺下,成本可再降20%。爾必達內部已研擬將略過50納米制程,2010年直接由60納米跳到40納米制程,以免落后競爭對手太多。
DRAM廠認為,50納米未來恐是短命制程,未來真正決戰點會是40納米制程,若DRAM廠此時能募得資金布局40納米,才有機會在2010年扳回一城。
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