研究公司Strategic Marketing Associates(SMA)日前表示，閃存產能將在2008年首次超過DRAM內存。

　　根據SMA報告，閃存產能從2000年以來已經增長了四倍，達到相當于290萬片200毫米硅晶圓的規模。相比之下，DRAM產能自那時起僅增長225%。

　　報告表示，從2005年到2008年底的三年間，閃存制造商增加的產能是之前四年增加量的六倍。

　　預計2008年和2009年，將有另外超過十座晶圓廠上線。SMA預計，當設備裝機完成時，將帶來每月相當于150萬片200毫米硅晶圓的產能。

　　SMA總裁George Burns表示，“Alliances和三星是推動閃存產能增長的主要動力，東芝與SanDisk合資公司Alliances最近大幅增加產能，超過三星、Hynix和IMFlash的合并產能增加量。”

　　據悉，東芝與SanDisk合資公司包括Flash Vision、Flash Partners和Flash Alliance。Flash Alliance的Fab 4晶圓廠剛開始處理硅晶圓餅，當設備完全裝配好，據稱每月產能將達21萬片300毫米晶圓。Burns注意到，“那將是全球最大的晶圓廠，產能幾乎相當于50萬片200毫米硅晶圓。”