導讀：本文主要講述的是晶體管的原理，感興趣的童鞋們快來學習一下吧~~~很漲姿勢的哦~~~

1.晶體管原理--簡介

　　晶體管是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關，開關速度可以非常之快。嚴格意義上講，晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件，包括各種半導體材料制成的二極管、三極管、場效應管、可控硅等。晶體管有時多指晶體三極管。

2.晶體管原理--結構

　　晶體管內部是由兩個PN結構成的，其三個電極分別為集電極(用字母C或c表示)，基極(用字母B或b表示)和發射機(用字母E或e表示)。根據結構不同，晶體管可以分為PNP型和NPN型兩類。在電路圖形符號上可以看出兩種類型晶體管的發射極箭頭(代表集電極電流的方向)不同。PNP型晶體管的發射極箭頭朝內，NPN型晶體管的發射極箭頭朝外。

3.晶體管原理

　　依據晶體管兩個PN結的偏置情況，晶體管的工作狀態有放大、飽和、截止和倒置四種。以NPN型晶體管為例，NPN型晶體管的工作原理圖及等效電路圖如下圖所示。

　　晶體管工作在放大狀態：發射結正向偏置，集電結反向偏置。

　　晶體管工作在飽和狀態：發射結正向偏置，集電結正向偏置。其特點為：UCE≤UBE，集電極正向偏置。IC≠βIB，IB失去了對IC的控制。

　　晶體管工作在截止狀態：發射結反向偏置，集電結反向偏置。其特點為：發射結反偏;IC=ICBO;IB= - ICBO 。

　　晶體管工作在倒置狀態：發射結反向偏置，集電結正向偏置。其特點為：集電區擴散到基區的多子較少;發射區收集基區的非平衡少數載流子的能力小;晶體管的電流放大系數很小。

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