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臺積電將在美國生產30%的2nm和更先進的芯片

—— Fab 21的生產將至少提前兩個季度開始
作者: 時間:2025-04-18 來源:tomshardware 收藏

管理層在周四的公司財報電話會議上透露,該公司計劃在美國生產其 30% 的 N2(2 納米級)產品,并將其 Fab 21 工廠設在亞利桑那州鳳凰城附近,這是一個獨立的半導體制造集群。這家全球最大的芯片合同制造商還表示,打算加快構建新的 Fab 21 模塊,以生產 N3(3 納米級)、N2 和 A16(1.6 納米級)節點上的芯片。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/202504/469554.htm

“完成后,我們約 30% 的 和更先進的產能將位于亞利桑那州,在美國創建一個獨立的領先半導體制造集群,”首席執行官兼董事長 C.C. Wei 在準備好的講話中說。“它還將創造更大的規模經濟,并有助于在美國建立更完整的半導體供應鏈生態系統。”

為了在亞利桑那州生產 30% 的 N2 和 A16 產品,將再建造兩個 Fab 21 模塊。到目前為止,該公司已確認計劃在臺灣新竹和高雄科學園區建造至少三個支持 N2 和 A16 的晶圓廠模塊,并有更多模塊進來,因此該島仍將生產臺積電大部分先進芯片。然而,臺積電 30% 的 N2 和 A16 芯片在美國生產無疑是一件大事。

臺積電位于亞利桑那州的 Fab 21 模塊 1 目前正在使用該公司的 N4 和 N5 工藝技術為其美國客戶提高芯片的批量生產。該公司具有 N3 功能的 Fab 21 模塊 2(其在亞利桑那州的第二個制造工廠)的建設已經完成,該公司正在努力提前開始在那里安裝設備,以期將該工廠的芯片批量生產至少比最初模糊的 2028 年時間表提前幾個季度。

Fab 21 模塊 3 和 4 模塊(該公司將使用 N2 和 A16 節點的設施)預計將于今年晚些時候開始建設,前提是獲得所有必需的許可。臺積電沒有透露這些 Fab 21 組件的時間表,但如果有理由預期其中至少一個組件將在 2029 年初上線,前提是臺積電按時獲得所有必要的設備。

臺積電的 Fab 21 模塊 5 和模塊 6 將使用 A16 以外的工藝技術(想想 A14 甚至可能更先進),但它們的建設時間表和產量將取決于未來的客戶需求。

TSMS 對 Fab 21 的宏偉計劃是將其發展成一個 GigaFab 集群,每月至少開始生產 100,000 片晶圓,但具體何時發生還有待觀察。

“我們的擴張計劃將使臺積電能夠擴展到 GigaFab 集群,以支持我們領先客戶在智能手機、AI 和 HPC 應用方面的需求,”Wei 補充道。



關鍵詞: 臺積電 2nm

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