臺(tái)積電能否迅速向高價(jià)值客戶(hù)交付首批 2 納米晶圓的計(jì)劃，一切取決于這間公司多快提升良率。根據(jù)上份提到該數(shù)據(jù)的報(bào)告，臺(tái)積電在先進(jìn)制程的試產(chǎn)階段已達(dá)到 60% 良率。天風(fēng)國(guó)際證券分析師郭明錤認(rèn)為，這是三個(gè)月前的資訊，現(xiàn)在試產(chǎn)階段可能已經(jīng)改善，甚至達(dá)到大規(guī)模生產(chǎn)的可能。

市場(chǎng)預(yù)期，臺(tái)積電首批 2 納米晶圓的首位客戶(hù)可能是蘋(píng)果。郭明錤在社群平臺(tái) X 的貼文中提到，蘋(píng)果 iPhone 18 系列預(yù)期 2026 年下半年推出，將采用基于該制程的升級(jí)版芯片；知名蘋(píng)果供應(yīng)鏈分析師 Jeff Pu 先前預(yù)測(cè)，這款芯片（應(yīng)是 A20）將基于臺(tái)積電 3 納米的「N3P」制程量產(chǎn)，但后來(lái)修正說(shuō)法，現(xiàn)在觀點(diǎn)與郭明錤一致。

曾有消息指出，并非所有 iPhone 18 機(jī)型都搭載蘋(píng)果 2 納米 A 系列 SoC 芯片，原因是成本持續(xù)攀升，但這是針對(duì)臺(tái)積電在先進(jìn)制程進(jìn)展的推測(cè)。三個(gè)月前，臺(tái)積電 2 納米試產(chǎn)良率達(dá) 60-70%，郭明錤認(rèn)為現(xiàn)在已遠(yuǎn)高于這一水準(zhǔn)，意味著大規(guī)模生產(chǎn)變得可行。

照目前進(jìn)度，臺(tái)積電有望在年底達(dá)到每月 5 萬(wàn)片 2 納米晶圓的產(chǎn)能，另隨著寶山與高雄廠全面投產(chǎn)，產(chǎn)能甚至可能提升至 8 萬(wàn)片，足以滿足市場(chǎng)對(duì) 2 納米制程需求。此外，臺(tái)積電也在尋求降低每片晶圓成本的方法，或許能吸引蘋(píng)果以外的企業(yè)下單。

臺(tái)積電將于 4 月啟動(dòng)「CyberShuttle」服務(wù)，讓客戶(hù)能在同一片測(cè)試晶圓評(píng)估其芯片設(shè)計(jì)，降低研發(fā)成本，鼓勵(lì)更多客戶(hù)采用 2 納米制程，進(jìn)一步鞏固臺(tái)積電在晶圓代工市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。

臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲家于法說(shuō)會(huì)上透露，客戶(hù)對(duì) 2nm 技術(shù)的需求甚至超越 3nm 同期。根據(jù)規(guī)劃，2nm 于今年下半年在新竹寶山廠和高雄廠同步量產(chǎn)，相關(guān)供應(yīng)鏈透露，臺(tái)積電在新竹寶山廠的 2nm 試產(chǎn)良率達(dá) 6 成，如期持續(xù)推進(jìn)。

新竹寶山廠進(jìn)度其實(shí)更快速，IC 設(shè)計(jì)廠商透露，今年首批 2nm 芯片樣本，就是出自 Fab 12（新竹 Mother Fab），但接下來(lái)的晶圓共乘服務(wù)，4 月 23 日就會(huì)從寶山 Fab 20 發(fā)車(chē)，下半年時(shí)間表也已發(fā)布，提供有需求的客戶(hù)預(yù)訂。

盤(pán)點(diǎn)未來(lái) 2nm 客戶(hù)，供應(yīng)鏈認(rèn)為，蘋(píng)果依然會(huì)率先采用，由于有別于過(guò)往 FinFET 結(jié)構(gòu)，2nm 為 GAAFET（環(huán)繞式閘極晶體管），推估會(huì)在高階機(jī)種 Pro 版本上試行，其他 iPhone 18 版本依然采用第三代 N3P 制程。

業(yè)界分析，晶圓成本飆升是客戶(hù)導(dǎo)入關(guān)鍵，2nm 晶圓成本估計(jì)為 3 萬(wàn)美元，如再加上未來(lái)在美制造或關(guān)稅等潛在因素，即便蘋(píng)果能拿到折扣，最終還是得由供應(yīng)鏈及消費(fèi)者買(mǎi)單。AMD、英特爾推估也將在 CPU 產(chǎn)品線先采用 2nm 制程，至于 AI、HPC 客戶(hù)，會(huì)以 ASIC 廠商先導(dǎo)入。

N2 的推出以及與英特爾代的競(jìng)爭(zhēng)

臺(tái)積電的尖端技術(shù)一直是其營(yíng)收的關(guān)鍵，而即將在 2025 年下半年量產(chǎn)的 2nm（N2）制程節(jié)點(diǎn)，將在很大程度上影響臺(tái)積電的未來(lái)增長(zhǎng)軌跡。相較于 N3E，N2 在相同功耗下的速度預(yù)計(jì)可提升 15%，如果維持相同的運(yùn)行速度，功耗則可降低 24%-35%。

在臺(tái)積電最新的財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，CEO 特別提到了 N2 及其后續(xù)節(jié)點(diǎn) A16。他強(qiáng)調(diào)，臺(tái)積電在滿足高效能計(jì)算需求方面仍然處于行業(yè)領(lǐng)先地位，幾乎所有主要的創(chuàng)新者都在與臺(tái)積電合作。據(jù)預(yù)測(cè)，2nm 在智能手機(jī)和高性能計(jì)算（HPC）領(lǐng)域的推動(dòng)下，流片數(shù)量（正式進(jìn)入生產(chǎn)前的設(shè)計(jì)階段）將在前兩年內(nèi)超越 3nm 和 5nm。N2 仍按照計(jì)劃推進(jìn)，預(yù)計(jì) 2025 年下半年量產(chǎn)，產(chǎn)能提升的速度將與 N3 相似。

值得注意的是，臺(tái)積電與 Apple、英偉達(dá)等客戶(hù)的緊密合作，使其在先進(jìn)制程的良率上保持行業(yè)領(lǐng)先。數(shù)據(jù)顯示，臺(tái)積電的 N3 制程良率高達(dá) 84%，而三星的良率僅在 50%-60% 之間。至于英特爾 3，我沒(méi)有找到可靠的良率數(shù)據(jù)，但從晶體管密度來(lái)看，它更接近臺(tái)積電的 N5，而非 N3。

目前有傳言稱(chēng)，臺(tái)積電的 N2 良率已達(dá)到 60%，而英特爾的 18A 進(jìn)展緩慢，良率僅約 20%-30%。這對(duì)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)至關(guān)重要，因?yàn)橄冗M(jìn)制程節(jié)點(diǎn)的收入占比正在不斷提升。比如，據(jù)稱(chēng)臺(tái)積電的 N3 產(chǎn)能已被預(yù)訂至 2026 年，為滿足需求，部分 N5 產(chǎn)能甚至被調(diào)整至 N3。

從歷史數(shù)據(jù)來(lái)看，臺(tái)積電的 2nm 有望在量產(chǎn)一年內(nèi)就帶來(lái)可觀的營(yíng)收?；仡欉^(guò)去兩年，5nm 和 3nm 的營(yíng)收快速增長(zhǎng)，而 7nm 及以下的節(jié)點(diǎn)仍維持穩(wěn)定。因此，即使 N2 推出，也不會(huì)對(duì)臺(tái)積電其他先進(jìn)制程的收入產(chǎn)生明顯沖擊，而是推動(dòng)整體增長(zhǎng)。

回顧過(guò)去十年，臺(tái)積電在技術(shù)上超越英特爾，并在 2022 年?duì)I收上正式反超，自此一路領(lǐng)先。英特爾前 CEO 帕特·基辛格曾試圖通過(guò)「四年五節(jié)點(diǎn)」計(jì)劃追趕臺(tái)積電，盡管計(jì)劃最終未能按期達(dá)成，但英特爾仍預(yù)計(jì)在 2025 年下半年量產(chǎn) 18A 制程。

18A 和 N2 在技術(shù)上可能相當(dāng)，但臺(tái)積電在產(chǎn)量和產(chǎn)能擴(kuò)展方面更具優(yōu)勢(shì)。此外，臺(tái)積電有豐富的客戶(hù)流片經(jīng)驗(yàn)，而英特爾代工尚未真正為外部客戶(hù)大規(guī)模生產(chǎn)過(guò)先進(jìn)制程芯片。即便 18A 具備技術(shù)領(lǐng)先性，英特爾仍可能受限于產(chǎn)能，而臺(tái)積電則可以依靠 N5 和 N3 帶來(lái)的穩(wěn)定現(xiàn)金流，支撐 N2 產(chǎn)能的快速爬坡。

如果我們以數(shù)據(jù)推測(cè) N2 未來(lái)的營(yíng)收貢獻(xiàn)，2025 年底的月產(chǎn)能目標(biāo)為 50,000 片晶圓，到 2026 年底提升至 125,000 片。如果假設(shè)產(chǎn)能是線性增長(zhǎng)的，那么 2026 年全年將生產(chǎn)約 100 萬(wàn)片晶圓。

市場(chǎng)傳聞 N2 晶圓價(jià)格約為 30,000 美元，以此計(jì)算，2026 年 N2 可能帶來(lái) 300 億美元收入，占全年?duì)I收的 22.5%。相比之下，N3 在量產(chǎn)五個(gè)季度后貢獻(xiàn)了 20% 的收入，N2 有望超越這一成績(jī)。