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DDR5加速滲透,封測龍頭帶來新消息

作者: 時間:2022-11-25 來源:全球半導體觀察 收藏

近日,龍頭長電科技宣布,高性能動態隨機存儲芯片成品實現穩定量產。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/202211/440858.htm

隨著5G高速網絡、云端服務器、智能汽車等領域對存儲系統性能的要求不斷提升,芯片在服務器、數據中心等領域加速滲透。相比前代產品,因其速度更快、能耗更低、帶寬更高、容量更大等優勢,給用戶帶來更佳的可靠性和擴展性,市場前景廣闊。

反映到芯片成品制造環節,包括DDR5在內的存儲芯片效能不斷提升,對芯片封裝提出更高集成度、更好電氣性能、更低時延,以及更短互連等要求。

為此,長電科技通過各種先進的2.5D/3D封裝技術,實現同尺寸器件中的高存儲密度性能,滿足市場的需求。

目前,長電科技的工藝能力可以實現16層芯片的堆疊,單層芯片厚度為35um,封裝厚度為1mm左右。長電科技包括DDR在內各類存儲產品已實現量產。

長電科技表示,隨著PC端、服務器端、以及消費端等領域對存儲系統性能的要求不斷提升,市場對DDR5的需求有望加速釋放,為集成電路帶來新機遇。




關鍵詞: DDR5 封測

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