LPDDR4X 批量生產進入1z 納米 DRAM 工藝節點

新聞摘要：

? 16Gb LPDDR4X改進了能耗、速度和業內最高容量的單片式裸晶，它的推出進一步鞏固了美光在低功耗 DRAM 領域的領先地位。

? 基于 UFS 的多芯片封裝可在同等尺寸條件下降低功耗并增加容量，從而使手機設計更加輕巧

美光科技股份有限公司近日宣布推出業內容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數據率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能夠在單個智能手機中提供高達 16GB¹ 的低功耗 DRAM (LPDRAM)，顯示了美光為當前和下一代移動設備提供卓越內存容量和性能的前沿地位。

美光 LPDDR4X基于 UFS多芯片封裝 (uMCP4)，滿足了移動設備制造商對于低功耗以延長電池壽命，以及更小尺寸、纖薄設計、有吸引力的設備外形的需求。美光已經開始批量生產其 LPDDR4X 和 uMCP4，引領行業向 1z 納米工藝節點過渡。

“數據密集型移動應用程序不斷推動著消費者對于大容量內存和存儲的需求，這種需求不僅出現在旗艦智能手機中，而且出現在中高端移動設備中，”美光科技移動產品事業部高級副總裁兼總經理 Raj Talluri 博士表示，“新一代 16Gb LPDDR4X 旨在滿足當今數據密集型應用程序的需求，同時確保滿足未來邊緣端高級人工智能處理和高帶寬 5G 應用的需求。”

美光 LPDDR4X 在同等尺寸條件下為分立式設計和低功耗多芯片封裝提供了更高的密度，以滿足更廣泛的智能手機用戶群體的需求。新興的 5G 移動技術需要一個能夠提供更高數據率和實時數據處理的內存子系統，從而為移動設備用戶提供絕佳的體驗。

美光1z 納米 LPDDR4X 產品具備業界最低的能耗，同時保持了LPDDR4 最高的時鐘頻率，高達 4,266兆位/秒 (Mbps)。與上一代針對 4K 視頻播放等內存密集型應用的解決方案相比，美光1z 納米 LPDDR4X的能耗降低了 10%。LPDDR4X作為目前業內最高容量的單片式 16Gb LPDDR4X 裸晶（單個封裝中堆疊多達 8 個裸晶），與前幾代 LPDDR4相比，可在不增加封裝尺寸的條件下，實現內存容量的翻倍。

美光 LPDDR4X 內存解決方案現已批量供貨，提供分立式解決方案和八種不同配置的基于 UFS 的多芯片封裝 (uMCP4)，可選擇范圍從 64GB + 3GB組合至 256GB + 8GB組合。uMCP4滿足了日益增長的中高端市場對于類似旗艦智能手機性能的內存需求。

參考：

¹ 16 Gigabit (Gb) = 2.0 Gigabyte (GB)；8 裸晶 LPDRAM 封裝提供高達 16GB 的容量