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DRAM技術再一次實現突破,DDR6火速殺到:速度飛天

作者: 時間:2019-02-12 來源:快科技 收藏

  據外媒消息,第二大芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內存即的研發,預期速率12Gb/s,也就是-12000。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/201902/397476.htm

  接受采訪時,SK海力士研發Fellow Kim Dong-kyun前瞻,將在5~6年內發展起來。

  Kim Dong-kyun透露,“后DDR5”產品已經有幾套技術概念成型,其中一套延續現有的數據傳輸規范,另一套則是將和CPU等片上系統的處理技術結合。

  資料顯示,去年11月,SK海力士宣布基于1Ynm工藝、開發出單顆容量16Gb(2GB)的DDR5 內存顆粒,工作頻率高達5200MHz,電壓僅1.1V,2020年起量產。

  談及DDR5時,Kim Dong-kyun表示,他們繼承了多相位同步技術,從而實現低電壓下驅動高頻。

  SK海力士當時還預估,將不晚于2022年搞定DDR5-6400內存顆粒,其實,這也等于為所謂的DDR6鋪平道路。

  



關鍵詞: DRAM DDR6

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