10月30日，美國商務部以國家安全為由，對福建晉華集成電路有限公司(以下簡稱晉華)實施出口管制，繼中興之后，晉華成為“中美貿易戰”背景下，第二個被美國列入出口管制“實體清單”的中國企業。

　　從兩年前同臺灣聯華電子股份有限公司(以下簡稱聯電)合作開發DRAM相關制程技術，到目前即將進入量產階段的關鍵時刻，就外部環境而言，晉華的日子并不好過。

　　集微網梳理了自晉華成立以來內外部的重要事件并進行簡要解析。前有圍繞在美光、聯電、晉華三者之間因知識產權產生的經濟糾葛，后有中美貿易摩擦背景下的政治影響，盡管晉華和國內產業界一直希望能同美光回到談盤桌前，但在目前的局面下，此次晉華被禁的未來走勢將變得難以預料。

　　2016年4月，臺灣“經濟部”投審會通過聯電和晉華合作共同開發32納米DRAM制程。2016年5月，晉華與聯電簽署技術合作協議，開發DRAM相關制程技術。由晉華支付技術報酬金，開發出的DRAM技術成果，將由雙方共同擁有。

　　2016年7月，晉華首座12英寸晶圓廠開工建設。2017年11月生產線項目封頂，并于今年第三季度投入使用，計劃年底進行小規模投片試產，2019年實現規模量產。

　　致力于利基型內存的福建晉華和專注于NAND Flash市場的長江存儲，以及專注于移動式內存的合肥長鑫，構成中國存儲產業的三大陣營。今年三大陣營相繼進入試產、量產階段，因此2018被視為中國存儲產業發展的元年。

　　在DRAM領域，長期被三星、海力士、美光等把持，三家市場份額占據90%以上。此前業界有過中國存儲發展或遭三大巨頭在專利、知識產權方面打壓的擔心，如今，這樣的擔憂成為現實。

　　晉華與美光的糾紛始于聯電，2017年2月，聯電資深副總經理陳正坤出任晉華總經理，加入聯電之前，陳正坤曾任美光臺灣地區總經理。

　　2017年9月，美光在臺灣控告聯電，指控從美光跳槽到聯電的員工竊取DRAM商業秘密，涉嫌將美光DRAM 技術泄漏給聯電，幫助聯電開發 32nm DRAM 。

　　2017年12月，美光在美國加州聯邦法庭起訴晉華與聯電，稱聯電通過美光臺灣地區員工竊取其知識產權，包括存儲芯片的關鍵技術，并交由晉華。

　　聯電否認竊取美光DRAM 技術一事，并一直強調自己在DRAM方面的技術實力。同時作為回應，也是作為尋求談判的籌碼，晉華和聯電在2018年1月，分別在福建省福州中院起訴美光科技侵犯其知識產權，并要求禁止部分在華銷售的產品。

　　在美國，90%的知識產權訴訟都以和解結束。聯電和晉華一直想將美光拉回至談判桌前，但美光表現得頗為強硬，不僅沒有表現出談判的意愿，還通過限制供應商供貨等行為進一步打擊晉華。

　　2018年5月，就一直以來的DRAM行情上漲以及涉嫌操控價格等因素，商務部約談美光。2018年6月，國家市場監督總局正式立案調查美光、三星、海力士三家存儲企業。

　　2018年7月，福州中院頒布訴中禁令，裁定美光26種芯片產品因侵犯聯電和晉華的專利而在中國大陸遭到臨時禁售。

　　美光隨后發布聲明，稱相關禁售產品僅占1%營收，影響有限，表示將有力證據遞交至中國國家知識產權局專利復審委員會，試圖證明聯電聲和晉華的專利無效。

　　同時，美光向福建中院提出復議申請，9月28日第一次復議開庭，據集微網了解，目前仍在復議之中。

　　2018年10月30日，美國商務部聲明稱，將把福建晉華集成電路有限公司列入出口管制“實體清單”，限制對其出口，原因是該公司新增的存儲芯片生產能力將威脅到為軍方提供此類芯片的美國供應商的生存能力。

　　10月30日，聯電表示與晉華的合作計劃不受影響，將持續依合約開發技術。但在1天之后，10月31日，聯電宣布目前已接獲臺灣區電機電子工業同業公會轉發的國貿局函令，暫停與晉華合作，直到禁令解除后，才會恢復為晉華開發技術。

　　中國大陸是美光的最大市場，貢獻了超過半數的銷售額，中國市場的重要作用不可忽視。而從目前三星、海力士、美光的規模看，中國存儲產業的未來崛起，可能最先收到沖擊的就是美光。

　　這是美光產生危機感的主要原因，美光與晉華關于知識產權的糾紛，以及美國發布的禁令，適逢中美貿易爭端的時間節點，這也讓未來的走勢變得難以捉摸。

　　中興遭禁之后，業務一度陷入全面癱瘓。在中國政府的努力下，與美國達成和解，最終在7月份解除禁令。中興付出的是向美國政府繳納了10億美元罰金和4億美元的托管金。

　　從目前看，晉華聯電與美光的官司可能成為最先要解決的問題，此前，美光一直不愿同晉華和聯電回到談判桌前，或許美光認為手中掌握的籌碼不夠。而此次美國商務部發出的禁令，美光獲得更多的談判籌碼，也意味著晉華和聯電將付出更高的成本。