芯片事件，成為現階段科技公司熱議的焦點，如何擺脫芯片落后的局面，是我國高科技公司應該去思考和運作的事情，日本作為芯片行業的先驅，是我們可以學習和借鑒的國家。

　　日本芯片發展路程

　　早期70年代的崛起

　　上世紀70世紀初， 日本半導體產業整體落后美國十年以上。70 世紀中期， 日本本土半導體企業受到兩件事的嚴重沖擊。一件事是日本 1975、1976 年在美國壓力下被迫開放其國內計算機和半導體市場;另一件事是IBM公司開發的被稱為未來系統(Future System，F/S)的新的高性能計算機中，采用了遠超日本技術水平的一兆的動態隨機存儲器。1976-1979年在政府引導下，日本開始實施具有里程碑意義的， 超大規模集成 電路的共同組合技術創新行動項目(VLSI)。該項目由日本通產省牽頭，以日立、三菱、富士通、東芝、日本電氣五大公司為骨干，聯合了日本通產省的電氣技術實驗室(EIL)、日本工業技術研究院電子綜合研究所和計算機綜合研究所，共投資了720 億日元，用于進行半導體產業核心共性技術的突破。

　　VLSI 項目是日本“官產學”一體化的重要實踐，將五家平時互相競爭的計算

　　機公司以及通產省所屬的電子技術綜合研究所的研究人才組織到一塊進行研究工作，不僅集中了人才優勢，而且促進了平時在技術上互不通氣的計算機公司之間的相互交流 、相互啟發，推動了全國的半導體、集成電路技術水平的提高，為日本半導體企業的進一步發展提供平臺，令日本在微電子領域上的技術水平與美國并駕齊驅。項目實施的四年內共取得了約 1000 多項專利，大幅度提升了成員企業的 VLSI制作技術水平，日本公司借此搶占了 VLSI 芯片市場的先機。同時政府在政策方面也給予了大力支持。 日本政府于 1957 年頒布《電子工業振興臨時措施法》，支持日本企業積極學習美國先進技術，發展本國的半導體產業。1971 年、1978 年分別頒布了《特定電子工業及特定機械工業振興臨時措施法》、《特定機械情報產業振興臨時措施法》，進一步鞏固了以半導體為核心的日本信息產業的發展。

　　中期80年代的輝煌

　　日本半導體業的崛起以存儲器為切入口，主要是 DRAM(Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取記憶體)。1963年日本電氣公司(NEC)自美國Fairchild公司取得平面技術Planar Technology的授權。日本政府要求NEC將取得的技術和國內其他廠商分享。由此項技術的引進，日本的NEC、三菱、京都電氣等開始進入半導體產業。日本半導體業的發展由此開始。到上世紀 80 年代，受益于日本汽車產業和全球大型計算機市場的快速發展，DRAM 需求劇增。而日本當時在 DRAM 方面已經取得了技術領先，日本企業此時憑借其大規模生產技術，取得了成本和可靠性的優勢，并通過低價促銷的競爭戰略，快速滲透美國市場，并在世界范圍內迅速取代美國成為DRAM 主要供應國。隨著日本半導體的發展，世界市場快速洗牌，到1989年日本芯片在全球的市場占有率達 53%，美國僅37%，歐洲占12%，韓國1%，其他地區1%。80 年代，日本半導體行業在國際市場上占據了絕對的優勢地位。截至 1990 年，日本半導體企業在全球前十中占據了六位，前二十中占據十二位，日本半導體達到鼎盛時期。

　　中后期90年代的衰落

　　進入上世紀九十年代，在美國掀起了以 downsizing 為核心的技術革命，以PC 為代表的新型信息通信設備快速發展，但日本在該領域未有足夠準備。同時日本在 DRAM 方面的技術優勢也逐漸喪失，成本優勢也被韓國、臺灣等地取代。PC 取代大型主機成為計算機市場上的主導產品，也成為DRAM的主要應用下游。不同于大型主機對 DRAM 質量和可靠性(可靠性保證 25 年) 的高要求，PC對 DRAM 的主要訴求轉變為低價。DRAM的技術門檻不高，韓國、臺灣等地通過技術引進掌握了核心技術，并通過勞動力成本優勢，很快取代日本成為了主要的供應商。1998年韓國取代日本，成為 DRAM 第一生產大國，全球 DRAM 產業中心從日本轉移到韓國。