據韓媒BusinessKorea報導，IBM 和三星在電機電子工程師學會（IEEE）發布研究論文宣稱，兩家公司攜手研發的STT-MRAM 的生產技術，成功實現10 奈秒（nanosecond）的傳輸速度和超省電架構，理論上表現超越DRAM。韓國半導體業者指出，16納米將是DRAM微縮制程的最后極限，包括FRAM在內的多種次世代存儲（其它包括MRAM）備受期待。（本文引用自“電子發燒友網”報道，有刪節）

什么是FRAM

FRAM（鐵電隨機存取存儲器）采用鐵電質膜用作電容器來存儲數據，具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取器）的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優勢。

存儲器分類中的FRAM

鐵電存儲器工作原理

當一個電場被加到鐵電晶體時，中心原子順著電場的方向在晶體里移動。當原子移動時，它通過一個能量壁壘，從而引起電荷擊穿。內部電路感應到電荷擊穿并設置存儲器。移去電場后，中心原子保持不動，存儲器的狀態也得以保存。

PZT晶體結構和FRAM工作原理

上圖表解釋了PZT晶體結構，這種結構通常用作典型的鐵電質材料。在點陣中具有鋯和鈦，作為兩個穩定點。它們可以根據外部電場在兩個點之間移動。一旦位置設定，即使在出現電場，它也將不會再有任何移動。頂部和底部的電極安排了一個電容器。那么，電容器劃分了底部電極電壓和極化，超越了磁滯回線。數據以“1”或“0”的形式存儲。

相比之下，鐵電電容的漏電流沒有EEPROM、FLASH之類的傳統非易失性存儲器那么重要，因為FeRAM的信息存儲是由極化來實現的，而不是自由電子。

與傳統存儲器相比，FRAM具有下列優勢

· 非易失性

- 即使沒有上電，也可以保存所存儲的信息。

- 與SRAM相比，無需后備電池（環保產品）

· 更高速度寫入

- 像SRAM一樣，可覆蓋寫入不要求改寫命令

- 對于擦/寫操作，無等待時間

寫入循環時間 =讀取循環時間

寫入時間： E2PROM的1/30，000

· 具有更高的讀寫耐久性

- 確保最大1012次循環（100萬億循環）/位的耐久力

耐久性：超過100萬次的 E2PROM

· 具有更低的功耗

- 不要求采用充電泵電路

功耗：低于1/400的E2PROM

與其它存儲器產品相比，FRAM的特性

*1） T=晶體管。 C=電容器

*2） 256Kb獨立的FRAM存儲器的技術規格

*3） 讀寫操作的總循環