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華亞科被高薪挖角 大陸存儲點燃DRAM主導權大戰

作者: 時間:2016-12-20 來源:經濟日報 收藏

  中國大陸紫光集團長江存儲、合肥長鑫及福建晉華都積極爭取大陸存儲主導權,隨著三大體建廠計劃預定2018年量產,三大體系將正面對決。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/201612/341789.htm

  長鑫目前已網羅SK海力士、及臺廠設計公司相關人員,構成中日臺的存儲研發團隊。長鑫日前正式曝光相關投資計劃,預定第一期在合肥空港經濟示范區興建第一座12吋晶圓廠,明年7月動工,目前團隊已逾50位員工,預定明年要達千人規模、2018年上看2,000人,這也是為何急于對臺挖角的關鍵。

  大陸發展自主存儲已列入大陸國家發展目標,多方勢力積極主導地位,其中,紫光列名國家級發展存儲廠商外,也獲大基金支持,今年8月整并武漢新芯成立長江存取公司,由紫光集團董事長趙偉國出任長江存儲公司董事長,國家集成電路產業投資基金總經理丁文武出任副董事長,武漢新芯執行長楊士寧擔任執行長。

  三大存儲布局重讀

  據臺灣媒體報道,近期大陸三股勢力正如火如荼點燃主導權大戰,長江存儲傳已評估到南京設立12吋廠,聯電大陸廠福建晉華計劃2018年量產,并在南科廠同步研發25、30納米制程,至于合肥市與北京兆易創新(GigaDevice)合作的合肥長鑫,由前中芯國際執行長王寧國操刀,大陸這三股DRAM勢力將決戰2018年,搶當大陸DRAM產業龍頭。

  盡管大陸布局自制3DNANDFlash雛形漸現,長江存儲將與已購并飛索(Spansion)的賽普拉斯(Cypress)合作,切入32層和64層3DNAND技術,由于門檻較高,長江存儲仍有機會急起直追國際存儲器大廠,然值得注意的是,全球存儲器產業將率先上演大陸力爭DRAM主導權戲碼。

  目前大陸DRAM勢力處于戰國時代,至少有三股DRAM勢力全面競逐版圖,除了長江存儲之外,還有聯電旗下福建晉華,其主要操盤手為前瑞晶總經理、現任聯電資深副總陳正坤,第三股DRAM勢力則是合肥市政府結合GigaDevice及王寧國人馬成立的合肥長芯。

  長江存儲與旗下武漢新芯原本是扮演大陸存儲器中心角色,將統籌3DNAND和DRAM兩大存儲器技術發展,然大陸政府傳出針對長江存儲DRAM布局進行規范,若是自行研發DRAM技術必須先量產3DNAND,但若對外購買技術則無此限制,使得長江存儲積極與國際大廠合作,以加速DRAM量產,并獲得專利保護傘。

  長江存儲除了積極與美光洽談DRAM技術專利授權,業界亦傳出正著手評估自建或購并現有晶圓廠的可能性,甚至有意跟隨臺積電腳步評估在南京設立12吋晶圓廠,長江存儲執行長楊士寧則表示,將以購并現有晶圓廠為第一考量。

  近期武漢新芯12吋新廠已經動起來,單月產能規劃30萬片,涵蓋NANDFlash和DRAM芯片,然業界預期長江存儲兩大產品線的生產基地,最終仍會分開進行。至于大陸另外兩個DRAM陣營亦加快腳步展開研發自制,希望搶在長江存儲之前先量產DRAM技術,以爭取大陸DRAM產業寶座。

  聯電與福建晉江地方政府合作成立的福建晉華新廠已經動工,預計2018年進入量產,業界傳出大陸注資近新臺幣100億元,讓聯電在南科廠同時進行25、30納米技術研發,預計2017年底完成技術開發,福建晉華則配合在2018年下半裝機,屆時聯電南科廠DRAM技術將快速轉到福建晉華量產。

  盡管福建晉華至少要投入25納米以下制程技術,才有機會獲得大陸官方青睞,但聯電采取較謹慎作法,避免一下子投入25納米技術開發面臨失敗風險,遂同時研發30納米作為備案。

  大陸第三股DRAM勢力系由王寧國操刀的合肥長鑫,原本合肥市政府和GigaDevice投資的廠房,傳出主要投入DRAM相關存儲器IC設計,然近期業界傳出該陣營將豪擲逾新臺幣1,000億元,同時進行DRAM研發和制造。

  目前大陸這三股DRAM勢力持續進行招兵買馬,并雙頭并進朝向技術專利授權及自主技術研發模式發展,希望趁著大陸DRAM主導權還未底定之前先卡好位,預期2018年這三大DRAM陣營將力拚量產并陷入激戰。

  齊齊挖角

  中國大陸兩大體系紫光和合肥長鑫同步鎖定挖角制程相關人才,其中由合肥市政府主導的存儲研發團隊合肥長鑫,開出三倍高薪和紫光集團的雙倍薪較勁,在存儲界丟出一顆震撼彈,凸顯中國大陸建立存儲自主技術的決心。

  大陸高薪挖角的行動,也將讓本月才正式并入美光的華亞科,甚至臺塑集團旗下的南亞科,明年將有大批人才跳槽,如何挽留這些人才,將成為首要課題。

  中國大陸已將存儲列為國家發展半導體產業重項扶植項目,除了明定紫光集團為指標廠外,各地方政府也積極整合,希望列入國家級補助計劃之列。

  不過在爭取和國外技術授權后,以武岳鋒為首的大陸基金,和國家大基金都各自積極整合尋求突圍,其中以合肥與中國大陸NAND Flash設計公司兆易創新(Gigadevice)合作的合肥長鑫和清華紫光集團最為積極。

  消息人士透露,合肥長鑫除了計劃和武岳鋒基金并入的美商矽成(ISSI)合并,也挖角華亞科前資深副總劉大維,展開大批挖角華亞科人才行動。據了解,合肥長鑫開出現有華亞科三倍的高薪進行挖角,且鎖定人數高達兩百人,遠高于紫光集團出的雙倍薪,已有不少人決定投效。

  另外,華亞科前董事長高啟全跳槽紫光集團擔任資深副總裁,紫光納入武漢新芯整合成立長江存儲公司后,也挖角前華亞科主管廠務的子弟兵施能煌擔任紫光集團高級副總裁,并相繼帶走近十位子弟兵,投入在武漢興建3D NAND Flash的建廠及后續自主研發DRAM技術作業。臺系存儲人才面臨空前的挖角行動。

  而連同瑞晶前總經理陳正坤帶領的臺系團隊,投入為福建晉華興建利基型DRAM代工廠,明年可謂臺系DRAM人才大舉向大陸靠攏的一年。



關鍵詞: 華亞科 DRAM

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