今年以來,全球經濟一直未完全走出國際金融危機陰影,整體復蘇疲弱乏力,增速持續放緩,傳統PC業務進一步萎縮,智能終端市場需求逐步減弱,云計算、大數據、物聯網帶來的新興市場需求尚未爆發。美國半導體行業協會數據顯示,受此影響,今年1~6月全球半導體市場銷售規模依舊呈現下滑態勢,為1574億美元,同比下降5.8%。

　　與此相反,《國家集成電路產業發展推進綱要》(以下簡稱《推進綱要》)經過近兩年的系統實施,第一階段目標已順利完成。國家集成電路產業投資基金(以下簡稱國家基金)金融杠桿作用逐步顯現,適應產業發展的政策環境和投融資環境基本形成。在政策支持以及市場需求帶動下,我國集成電路產業繼續保持平穩快速的發展態勢。

　　2016年集成電路呈四大特點

　　第一,產業規模繼續增長,但進出口受經濟下行壓力影響較大。今年以來,我國集成電路產業繼續保持高位趨穩、穩中有進的發展態勢。數據顯示,1~9月全國集成電路的產量為943.9億塊,同比增長約18.2%。據中國半導體行業協會統計,1~6月全行業實現銷售額為1847.1億元,同比增長16.1%,其中,設計業繼續保持較快增速,銷售額為685.5億元,同比增長24.6%,制造業銷售額為454.8億元,同比增長14.8%,封裝測試業銷售額為706.8億元,同比增長9.5%。但海關數據顯示,1~9月全國集成電路進出口額均出現不同程度的下滑。其中,進口金額1615.5億美元,同比下降0.7%,出口金額444.7億美元,同比下降5.4%,整體經濟面臨下行壓力對我國集成電路產業造成了一定影響。

　　第二,技術水平和企業實力同步提升。芯片設計方面,16納米先進設計水平進一步提升,華為海思目前已經發布了麒麟950、955、960三款基于16納米FinFET技術的商用SoC芯片;芯片制造方面,今年2月中芯國際宣布其28納米高介電常數金屬閘極工藝已經成功流片,這標志著中芯國際成為中國大陸首家能夠同時提供28納米多晶硅和高介電常數金屬閘極工藝的晶圓代工企業,在量產的基礎上完成技術升級,實現了該工藝節點的技術覆蓋;封裝測試方面,長電科技斥資2億美元助力星科金朋積極布局高端SiP項目,隨著下游高端客戶的需求提升及公司SiP產能擴大,將帶動星科金朋營收及利潤快速增長。

　　第三,國際合作持續推進,重點產品布局初步成型。《推進綱要》發布以來,海外龍頭企業不斷調整與我國合作策略,逐步由獨資經營向技術授權、戰略投資、先進產能轉移、合資經營等方式轉變,國際先進技術、資金加速向國內轉移。今年1月,英特爾、高通分別與清華大學、瀾起科技以及貴州省簽署協議,在服務器芯片領域開展深度合作。其中,英特爾授權清華大學、瀾起科技X86架構,開發“CPU+FPGA”結構的可重構服務器芯片;高通與貴州省政府成立了合資公司,開發基于ARM架構的高性能服務器芯片。此外,一批芯片制造重大項目陸續啟動。如武漢存儲器項目于3月開工建設,總投資240億美元;臺積電在南京啟動了總投資30億美元的12英寸先進邏輯工藝生產線項目,預計2018年下半年投產,月產能達到2萬片;福建晉華存儲器項目于7月開工建設,項目一期投資370億元,預計2018年形成月產能6萬片DRAM芯片生產能力。

　　第四,國家基金對地方性基金撬動作用進一步凸顯。今年以來,國內陸續新增多支地方性集成電路產業投資基金,總規模超過500億元。其中,湖南省于3月設立了先期2.5億元規模的集成電路創業投資基金,并計劃于2015年~2017年階段性設立30億~50億元規模的集成電路產業投資基金;上海市于4月完成了首期集成電路產業投資基金的募資工作,規模達到285億元,將重點投資芯片制造業;四川省于5月設立了集成電路和信息安全產業投資基金,基金規模120億元,存續期10年;遼寧省于6月設立了集成電路產業投資基金,基金規模100億元,首期募資20億元;陜西省于9月設立的初始規模60億元、目標規模300億元的集成電路產業投資基金。國家集成電路產業投資基金設立以來,撬動作用逐步顯現,適應產業規律的投融資環境基本建立。

　　未來存儲器產品布局有望全面鋪開

　　下一階段,頂層設計將進一步完善,助力產業持續發展。2016年是“十三五”的開局之年,隨著第一階段目標的順利完成,《推進綱要》的實施工作也正式開啟了第二階段的序幕。4月19日召開的“網絡安全和信息化座談會”上,特別突出了信息技術對國民經濟發展的巨大促進作用,并從基礎技術、通用技術,非對稱技術、“殺手锏”技術,前沿技術、顛覆性技術等三個方面對核心信息技術發展進行了部署,對新時期集成電路產業發展提出更高的要求。

　　隨著《中國制造2025》、“互聯網+”行動指導意見等一系列國家戰略的持續深入實施,中國集成電路產業將繼續保持平穩快速的發展態勢。預計全年產業銷售額將超過4300億元,同比增速約20%。與此同時,從產業結構來看,芯片設計業比重將進一步提升至約40%,可以為下游芯片制造和封裝測試環節帶來大量訂單,有效推動產業鏈的協同發展。

　　同時,存儲器產品布局有望全面鋪開。今年以來,武漢,深圳、合肥、泉州等多地擬布局或開工建設存儲器芯片生產線。全球存儲器業自1999年始,歷經六次大的兼并與退出,廠家數量越來越少,至今為止DRAM方面只剩下三家,包括三星、海力士和美光。而閃存方面也只有三星、東芝/閃迪、海力士以及美光/英特爾等四組。存儲芯片領域很久沒有“新進者”出現了。中國此輪“存儲熱潮”既說明《推進綱要》第一階段實施工作已取得顯著成果,也預示著下一輪全球存儲器發展的中心將逐步向中國轉移。

　　另外,中資“海淘”受審查壁壘影響步伐將趨緩。自2015年以來,全球半導體產業兼并重組、資本并購頻發,全年并購總金額超過1200億美元,中國企業(或者資本)也積極參與到這一進程之中。美國外商投資委員會(CFIUS)一份報告指出,近三年中資并購案居美國國安審查首位,約占總數近1/5。中國如此大規模的并購行為也引發了各國高度警戒,紛紛采取防止關鍵技術外流的措施。CFIUS近一年來以威脅美國國家安全為由,封殺了多起中資參與的并購案,當前,中國集成電路產業正處于快速上升期,國際并購是支撐這一階段發展的有效途徑,但由于操作層面經驗不足,在一定程度上引起了國際產業界的抵觸情緒。

　　建議營造高效的創新創業金融環境

　　從市場需求來看,我國擁有全球最大且增長最快的集成電路市場,特別是隨著相關國家戰略的組織實施,雙創工作持續深入推進,內需市場活力將進一步釋放,我國集成電路產業將迎來更加廣泛的前景。但同時也應看到,國內產業仍面臨技術水平差距大,產品供給存在結構性短板,以及人才總量不足,特別是高端人才缺乏等突出問題。

　　為此提出一些建議:一是持續推動產品差異化發展,進一步加強需求牽引,以終端定義芯片,提升消費類、通信類產品芯片層次,提升產品性價比,加緊布局工業控制、汽車電子、傳感器等芯片開發,推動芯片產品供給側結構性改革;二是進一步優化產業發展環境,推動形成高效的產業資本與金融資本對接機制,適當放寬集成電路企業上市融資的條件,營造高效的創新創業金融環境。三是創新人才培養和引進機制,加強產學對接,緊密結合產業發展需求培養國際化、復合型、實用性人才。完善鼓勵創新的分配激勵機制,研究針對優秀企業家和團隊的引進“綠色通道”。