MRAM市場可能會在明年開始變得越來越“擁擠”──開發OST-MRAM (Orthogonal Spin Transfer MRAM)技術的美國業者Spin Transfer Technologies (STT)日前宣布在自家研發晶圓廠制作出僅20奈米的垂直MRAM磁穿隧接面(perpendicular magnetic tunnel junction，pMTJ)，其目標是在明年第一季開始提供其MRAM樣品，并在2018年讓產品正式上市。

　　STT執行長Barry Hoberman接受EE Times訪問時表示，位于該公司總部的研發晶圓廠在其技術商業化過程中扮演了關鍵角色，而從今年初開始，STT已經達到了可處理超過40晶圓批次(wafer lots)的能力;他指出，為了最佳化開發周期：“我們已經為MRAM所需的磁性元件建造了完整的無塵室。”

　　MRAM這種新興記憶體技術已經崛起好一段時間，目前Everspin Technologies是唯一推出商用產品的廠商;但盡管市場上供應商數量有限，Hoberman表示MRAM技術已經演進至第三代：“pMTJ就是目前的最新進展，而我們已經達成。”

　　STT的公司歷史最早可追溯到2001年美國紐約大學(New York University)教授Andrew Kent所主導開發的一項研究，而該公司是在2007年正式成立，到目前為止已經募得1.08億美元的資金，并成長為擁有60名員工的企業。

　　Hoberman指出，MRAM雖然在速度、功耗以及耐久性方面表現優異，但與其他記憶體如DRAM的一個關鍵差異，是pMTJ MRAM的寫入為概略性(probabilistic)而非決定性(deterministic)，因此有一定程度的隨機性(randomness)。這意味著當你將資料寫入DRAM記憶體單元1兆次，就大概有1兆次的成功寫入;但同樣寫入1兆次資料至pMTJ MRAM，則會有幾次是失敗的。

　　“那些失敗的寫入是隨機出現，如何處理這種概略性，就是讓MRAM達到所需的性能與可靠度之關鍵;”Hoberman表示，STT的目標是讓pMTJ MRAM的概略性表現控制在恰當水準，以利用其專有的讀寫架構，達到更快的速度、更好的耐久性以及更低功耗。

　　STT的目標是讓pMTJ MRAM的概略性表現控制在恰當水準

　　STT看好MRAM的兩大主流應用──企業用儲存，以及包括汽車與手機顯示等嵌入式應用;Hoberman表示，該公司也將開發獨立MRAM元件，并將技術授權給晶圓代工業者。市場研究機構Objective Analysis首席分析師Jim Handy表示，STT在技術開發腳步上雖然稍嫌落后，但因為自有晶圓廠，可望能很快趕上競爭對手。