據報道，三星已開始生產磁阻隨機存取存儲器(MRAM)。預計MRAM將改變半導體市場的格局，因為它兼具DRAM與NAND閃存的優點。

　　三星3月6日宣布，已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產線上，開始大規模生產和商業運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。該公司在首爾近郊京畿道器興廠房舉行了儀式，標志著新內存產品的首次發貨。

　　這種解決方案無需在數據記錄期間擦除數據，并實現了比傳統閃存快1000倍左右的寫入速度。三星表示，由于它在斷電時保存了存儲的數據，并且不使用額外的備用電源，所以它的功耗也很優秀。

　　三星將FD-SOI工藝與嵌入式設計技術相結合。在FD-SOI工藝中，硅片上覆蓋一層絕緣膜，在頂部形成晶體管。它的特點是大大降低了晶體管運行過程中產生的漏電流。該公司在FD-SOI進程中添加了嵌入式內存技術。嵌入式存儲技術是一種存儲模塊，用于小型電子設備的微控制器單元(MCU)和片上系統(SoC)等系統半導體中存儲信息。

　　三星電子表示，該解決方案結構簡單，可以通過在當前基于邏輯流程的設計中添加最少的層數來實現，從而減輕了公司進行新設計的負擔，并降低了生產成本。三星計劃擴大其嵌入式內存解決方案，從今年生產1塊Gbe MRAM測試芯片開始。

　　行業分析師表示，隨著eMRAM的推出，三星將增加其代工銷售，同時增強其在代工方面的競爭力，以確保在未來半導體市場占據領先地位。

　　三星計劃明年推出18納米FD-SOI eMRAM工藝。