新內存芯片材料實現速度高于閃存千倍 —— 作者： 時間：2006-12-13 來源： 加入技術交流群 掃碼加入和技術大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 北京時間12月12日消息，據國外媒體報道，由IBM、旺宏(Macronix)和奇夢達(Qimonda)等企業組成的研發團隊近日表示，已開發出能制造高速“相變(phase-change)”內存的材料；與當前常用的閃存相比，相變內存運行速度高于前者500~1000倍，能耗也將大幅度降低。 據悉該新型材料為復合半導體合金。IBM納米科學部門資深經理斯派克
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