- 北京時間12月12日消息，據國外媒體報道，由IBM、旺宏(Macronix)和奇夢達(Qimonda)等企業組成的研發團隊近日表示，已開發出能制造高速“相變(phase-change)”內存的材料；與當前常用的閃存相比，相變內存運行速度高于前者500~1000倍，能耗也將大幅度降低。 據悉該新型材料為復合半導體合金。IBM納米科學部門資深經理斯派克
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