集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調查，全球DRAM產業第3季營收數字達108億美元，雖然DRAM 總產出量季成長15%，但在第3季合約價跌幅超乎預期拖累，相較于上季營收104億美元，僅微幅成長約3.4%。而在全球市占上，韓系DRAM廠第3季已囊括全球61.2%市占率，日系廠占16.3%，美系廠占12.2%，臺廠則微幅下滑至10.3%。

　　集邦表示，第3季DRAM合約價受到DRAM產出增加與PC需求旺季不如預期影響，價格呈現下滑走勢，第3季DDR3 2GB合約均價為40美元，較上季的46美元下滑約13%，現貨市場DDR3 1Gb eTT顆粒均價則較上季下跌18%至2.27美元，DDR2 1Gb eTT則下跌約16%。

　　從全球DRAM廠自有品牌內存營收排名來分析，韓系廠商三星營收仍居全球DRAM廠之冠，季成長21.9%，營收成長貢獻來自DRAM產出增加20%以上， DRAM均價也微幅上揚，DRAM市占率由第2季的34.3%大幅成長至40.4%。

　　海力士第3季受到46nm良率提升不如預期，DRAM產出僅增加2%，均價下跌9%影響，市占率由上季的21.6%下跌至19.8%。

　　日系廠商爾必達第3季營收季減9.4%，市占率也由18.4%下降至16.1%. 主要因為在40nm制程上轉進仍居初期，產出僅微幅成長。

　　在華亞科制程轉換下，投片及產出減少影響，美光第3季DRAM產出減少12%，DRAM均價也微幅下跌，造成第3季營收下跌約10%，市占率也下跌至12%。

　　而在臺系廠部分，南科雖來自華亞科廠的產出減少，自有DRAM產出成長率在50nm轉進及投片增加下，總銷售位本季成長14%，但受到DRAM銷售價格下跌15%拖累，第3季營收下滑約5.2%，市占率也微幅下降至4.2%。

　　力晶為臺系廠表現最佳的廠商，在63nm制程比例增加及良率提升的挹注下，第3季營收為2.75億美元，與第2季相比上升12.9%。

　　華邦電雖然第3季營收季減2.7%，但由于華邦電已經淡出標準型內存市場，較不受此波DRAM價格下探影響，對于后續表現仍可抱持謹慎樂觀的態度。

　　集邦表示，以各國市占率版圖來分析，第3季韓系廠商市占率達61.2%，美系及日系廠商市占率皆有下滑，各有12.2%及16.3%的市占率，臺系DRAM廠方面市占率則由上季的10.5%微幅下滑至10.3%。

　　由于DRAM價格急速下滑，使各DRAM廠對未來資本支出轉趨保守，如三星Fab16的建設，將視未來市場狀況做調整，臺系廠如力晶也下修資本支出約20%，至160億元，而日臺合資的瑞晶R2廠擴廠計劃也延后討論。

　　集邦預估，此波DRAM價格下跌，第4季跌幅將增大至30%以上，價格可望在明年第1季或第2季落底，DRAM廠可能在明年上半年資本支出將保守以對。